来源：东方日升新能源2025-03-13

专利安全区：历史机遇与技术远见●时间窗口优势：日本三洋的早期异质结基础专利已于2023年全面到期，技术底层进入“开源时代”；●自主专利矩阵：东方日升已构建覆盖 “无主栅技术”“ 昇连接-低温无应力电池互联技术

来源：北极星储能网2024-11-11

按企业来看，lg新能源和三星sdi分别以2735件（占比20.1%）和1416件（占比10.4%）占据前两位，随后依次为中国宁德时代701件、日本丰田398件、日本三洋322件，以及第6位韩国sk on

来源：放大灯2021-06-28

冷知识：异质结电池最早的开发者是日本三洋公司，但该公司之后将hit注册为了商标，使得其它企业不能随意使用这一缩写指代异质结电池。这也是为何异质结电池的叫法比较多。但生产工序少，和生产成本低是两回事。

来源：中国能源报2021-05-19

早在1990年，日本三洋公司成功开发出异质结电池，彼时的转换效率为14.5%。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2020-09-27

异质结电池真的来了异质结太阳能电池最早是由日本三洋公司于1990年开发，前期设备以进口为主，国内较早布局的企业为汉能、钧石、晋能、中智等，生产规模较小，属于小众市场，而随着异质结设备的国产化，国内光伏企业

来源：SOLARZOOM光储亿家2020-08-28

由此，日本三洋早年的hit电池厚度仅98μm。对于当下的hjt产业界而言，将在未来几年探索120-130μm的薄片化进程。

来源：能源杂志2020-08-25

一家光伏电池上市公司的原首席技术官表示，他更看好hjt电池技术的前景，hjt技术多年来进展缓慢，主要原因是hjt电池技术专利拥有者日本三洋的专利壁垒，2015年三洋专利保护期满后，hjt技术产业化进入了快车道

来源：华商韬略2020-06-28

1999年，当王传福喊出要“干掉日本三洋电池”时，日本tdk集团的技术骨干曾毓群，在两位上司的鼓动下，一起下海做起了锂电池。此后十几年，这家叫atl的公司，一直在锂电池领域默默耕耘。

来源：华创2020-06-24

hjt电池结构最早由日本三洋提出，并实现批量化生产。因此日本相应的低温银浆供应链较为成熟。

来源：光伏新闻2020-06-22

异质结(hetero-junction with intrinsic thin-layer, hit)太阳能电池是日本三洋公司1997年推出的一种商业化的高效电池设计和制造方法。

来源：天风机械团队2020-06-02

2.3. hit电池介绍2.3.1. hit技术原理简述hit（heterojunction with intrinsic thin-layer，本征薄膜异质结）电池最早由日本三洋公司于1990年成功研发

来源：摩尔光伏2020-04-29

该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，当时转换效率可达到14.5%（4mm2的电池），后来在三洋公司的不断改进下，三洋hjt电池的转换效率于2015年已达到25.6%。...因hit( heterojunction with intrinsic thin layer)已被日本三洋公司申请为注册商标，所以又被称为hjt或shj（silicon heterojunction）。

来源：老周看财报2020-02-26

hit技术本身并非是新技术，它是日本三洋在上个世纪90年代开发出一种技术，但到目前为止，量产很少，国外仅有1.86gw的产能，国内也仅有1gw的产能，与perc的产能不可同日而语，2020年perc的产能就将达到

来源：SOLARZOOM光储亿家2020-02-17

国际方面，现有产能1gw、量产效率达23%的日本三洋可谓是hit中的领头羊，除此之外，具有较成熟hit技术的还有rec、keneka、solarcity等。

来源：光伏每日头条2020-01-10

该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，当时转换效率可达到14.5%（4mm2的电池），后来在三洋公司的不断改进下，三洋hit电池的转换效率于2015年已达到25.6%。...1、hit电池结构和原理hit是heterojunctionwith intrinsic thin-layer的缩写，意为本征薄膜异质结，因hit已被日本三洋公司申请为注册商标，所以又被称为hjt或shj

来源：《能源评论》2020-01-09

从全球来看，现有产能1吉瓦、量产效率达23%的日本三洋是这个细分领域的老大,hit技术领先的企业还包括美国光伏企业rec solar、日本光伏企业kaneka、美国solarcity等大企业。

来源：华尔街见闻2020-01-08

异质结电池（hit）全称是晶体硅异质结太阳电池，最早由日本三洋公司于1991年成功开发。该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势。

来源：金融界2020-01-07

资料显示，hit电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，由于hit已经被三洋公司申请为注册商标，所以后来出现的hjt、hdt、shj其实指的都是异质结电池，2015年三洋公司的hit专利保护结束，技术壁垒消除

来源：电新产业研究2020-01-07

日本三洋用非晶硅薄膜代替本征微晶硅层，做出的电池效率达到14.5%，并命名为hit。三洋将hit注册为商标，专利保护到2015年结束。hit摸索：1991-2015年。

来源：电新产业研究2019-12-16

异质结电池最早由日本三洋于1990年研发成功，hit这个称谓由三洋提出，并被注册为商标，后来进入异质结领域的企业为了避免专利纠纷而采用了不同称谓，比如hjt、shj、hdt等，其含义是一样的，并不意味着技术分支