来源：上海市环境保护产业协会2026-07-14

泛半导体制造工序长、化学品使用种类多，在光刻、刻蚀、薄膜、沉积、扩散、离子注入、清洗、显影、蒸镀、封装、测试等环节产生大量污染物：包括以 ipa、pgmea、nmp、醇类、酯类为主的vocs废气；hf、

来源：福建省工业和信息化厅2026-07-14

上杭延伸电子特气品类，发展刻蚀气、掺杂气等细分产品，拓展湿电子化学品、光刻胶配套材料，联合新罗延伸至半导体封装材料，布局环氧塑封料、键合丝。仙游以锂电新材料为重点方向延链补链强链，做强特色新材料集群。

来源：国家电网报2026-06-30

联芯集成电路公司专注于22至40纳米先进制程芯片生产，应用的光刻机、离子注入机、刻蚀机等均属于纳米级精密设备。

来源：储能科学与技术2026-06-17

图7(c)展示了一种无需有机添加剂的优先刻蚀策略，成功制备出pba单晶纳米框，不仅简化了合成流程，还赋予材料优良的电化学性能。

来源：上海市闵行区人民政府2026-05-08

聚焦主流光伏技术电池制备中的核心工艺环节，升级真空蒸镀、激光刻蚀、精密贴膜等关键技术，提升装备国产化率与性能优势。

来源：上海市人民政府2026-05-06

聚焦主流光伏技术电池制备中的核心工艺环节，升级真空蒸镀、激光刻蚀、精密贴膜等关键技术，提升装备国产化率与性能优势。

来源：可迪尔2026-03-16

针对半导体湿法刻蚀与清洗环节产生的大量硫酸雾、氟化氢等酸性气体，洗涤塔通过酸碱中和反应实现高效净化，确保厂区环境长期安全。

来源：上海市闵行区人民政府2026-03-13

聚焦主流光伏技术电池制备中的核心工艺环节，升级真空蒸镀、激光刻蚀、精密贴膜等关键技术，提升装备国产化率与性能优势。...聚焦主流光伏技术电池制备中的核心工艺环节，升级真空蒸镀、激光刻蚀、精密贴膜等关键技术，提升装备国产化率与性能优势。

来源：上海市闵行区人民政府2026-03-13

聚焦主流光伏技术电池制备中的核心工艺环节，升级真空蒸镀、激光刻蚀、精密贴膜等关键技术，提升装备国产化率与性能优势。

来源：储能科学与技术2026-03-10

具体而言，活性刻蚀过程导致部分石墨微晶发生结构重组或消耗。图3 改性前后碳毡的xrd谱图2.3碳毡表面元素组成分析采用x射线光电子能谱(xps)技术深入分析了碳毡表面的化学组成演变。...结果表明：活化处理后，e-cf的c1s峰(结合能约为284.8 ev)强度降低，这表明电化学刻蚀过程消耗了部分碳基体；同时，e-cf的o1s峰(结合能约为532 ev)强度相对增强，其原子百分比从p-cf

来源：储能科学与技术2026-03-06

图4(c)显示，经过ar+ 120 s刻蚀，正极单质s信号消失，表明正极表面残留少量未完全反应的单质s。...ar+ 120 s刻蚀后依然能检测到明显的烷基硫酸锂信号，表明在正极界面形成了富含烷基硫酸锂的稳定界面层。图4(b)、(d)的参比电池(lfp||石墨)正极未检测到含s基团信号。

来源：广州市人民政府办公厅2026-01-08

依托黄埔、南沙、增城等区，着力补齐产业链空缺，集聚发展光掩膜、光刻胶、电子气体、高纯靶材等制造材料生产线及其产业链上下游，引进培育光刻、刻蚀、离子注入、沉积、清洗、检测设备等制造设备及零部件龙头企业。

来源：广西壮族自治区人民政府2025-11-13

加快突破第三代半导体衬底、外延、光刻、刻蚀等环节关键工艺技术，引进第三代半导体射频器件、功率器件等下游环节，推动半导体产业链上下游协同发展。完善新型显示产业配套，补齐玻璃基板、液晶材料、偏光片等环节。

来源：广西壮族自治区人民政府2025-11-13

加快突破第三代半导体衬底、外延、光刻、刻蚀等环节关键工艺技术，引进第三代半导体射频器件、功率器件等下游环节，推动半导体产业链上下游协同发展。完善新型显示产业配套，补齐玻璃基板、液晶材料、偏光片等环节。

来源：老汪聊碳中和2025-09-25

氢氟碳化物（hfcs）主要用于制冷设备的冷媒，部分也用于半导体的刻蚀气体及发泡剂使用。如果你去翻你现在旁边的空调铭牌，你会发现它的制冷剂那一栏填的就是这一类物质。

来源：老汪聊碳中和2025-09-25

氢氟碳化物（hfcs）主要用于制冷设备的冷媒，部分也用于半导体的刻蚀气体及发泡剂使用。如果你去翻你现在旁边的空调铭牌，你会发现它的制冷剂那一栏填的就是这一类物质。

来源：老汪聊碳中和2025-09-25

氢氟碳化物（hfcs）主要用于制冷设备的冷媒，部分也用于半导体的刻蚀气体及发泡剂使用。如果你去翻你现在旁边的空调铭牌，你会发现它的制冷剂那一栏填的就是这一类物质。

来源：储能科学与技术2025-09-23

在10 s刻蚀后，sn 3d峰强度显著增强，可见sn更多地分布在电极的内层。...在10 s刻蚀后，ga 3d谱图中在20.7 ev处新出现了ga—f峰，这一现象与f 1s谱图中的ga—f峰相呼应，进一步证实了ga与电解液中氟的相互作用。

来源：山东志伟2025-09-01

先进制程适配性：对于 3nm 及以下制程，晶圆表面粗糙度要求极高（0.1nm），臭氧清洗过程中需进一步降低对表面的微刻蚀效应，避免影响器件结构精度。2.

来源：广西壮族自治区人民政府2025-08-21

加快突破第三代半导体衬底、外延、光刻、刻蚀等环节关键工艺技术，引进第三代半导体射频器件、功率器件等下游环节，推动半导体产业链上下游协同发展。完善新型显示产业配套，补齐玻璃基板、液晶材料、偏光片等环节。