来源:广东易事特电源2011-07-13
ea890中大功率三进三出系列ups,是采用先进的psp数字化技术,配合高速16位数字芯片、asic的ddc控制技术与先进的大功率器件igbt及scr的完美组合,设计出的大容量、高可靠性及卓越性能的智能化
来源:株洲南车时代电气股份有限公司2011-07-01
参展期间,南车时代电气向国内外电力电子领域的广大专业人士展示了包括传统电力电子器件大功率晶闸管、整流管,及节能新秀igbt、igct等大功率半导体器件系列产品。
来源:中国IDC产业联盟2011-06-30
比如,igbt-pfc整流的无变压器ups。选择按照“高负载功率因数”设计的ups,例如06年以后设计生产的高频机ups。选择运行效率更高的ups,例如互动式(vi或fd)ups。
来源:比特网2011-06-28
igbt整流技术是随电力电子技术的发展而产生的一种新型的整流技术。采用igbt技术的ups,可以达到双向保护的目的,既保护负载,也保护电网。...随着政策和消费大环境的变化,“绿色ups”及“绿色ups技术”成为各领军ups市场争夺得战略高地,无铅生产、dsp技术、igbt整流技术、apfc技术等都得到了长足的发展和运用。
来源:电源网2011-06-28
逆变器选用igbt作为开关器件。...一是采用igbt并联,在目前技术条件下,igbt并联,不论是并联技术本身,还是并联后装置的可靠性、可维修性等,都存在很多问题。
来源:C114中国通信网2011-06-27
来源:百方网2011-06-27
ct-concept作为大、中功率igbt驱动器技术的龙头企业,展示了广泛应用于电机驱动、牵引、铁路、新能源等领域的相关产品。
来源:温州满毅电气有限公司2011-06-27
这种变频器采用低压igbt作为逆变元件,与采用高压igbt的三电平变频器相比,功率元件数目较多,但技术上较成熟。...3电压源型三电平变频器 变频器采用二极管整流,电容储能,igbt或igct逆变。
来源:搜狐IT2011-06-15
从功率分立器件来看,随着太阳能并网发电站规模的增大,采用1200v igbt将是未来的发展趋势。针对各种不同规格的逆变器的需求,igbt模块呈现集成度越来越高的发展趋势。...随着高能效的功率变换技术不断引入,新一代的igbt、超级结mosfet和碳化硅二极管的使用,使得效率的标杆不断被刷新。
来源:EDN电子设计技术2011-06-01
igbt家族又添两名新成员。...利用这些全新推出的rc-d快速igbt,可以设计出更高能效的电机驱动家用电器,它们使用尺寸更小的元件,因此成本比同类系统更低。
来源:新华网2011-05-23
除了实施以新能源动力及控制系统产业化为主体外,公司还适时投资建设该项目的延伸产业和新能源汽车相配套其他节能降耗电机产品,包括拟增发募投的驱动启动电机(bsg)及控制系统建设项目和大功率igbt 及ipm
来源:北极星电力新闻网2011-05-16
采用高效率的igbt功率器件,先进的mppt自动跟踪技术,并且运用多种语言的lcd显示功能,方便用户选择。so系列机型在防护上面具有过压、孤岛、短路、过载、过热等完善的保护功能。
来源:电源网2011-05-13
来源:北极星电力新闻网2011-05-12
来源:金融界网站2011-05-12
金风科技生产成本和管理成本等综合起来有望下降15%,其生产成本下降原因为:(1)技术优化升级;(2)电机自主生产;(3)电控系统自给能力从50%提高到70%;(4)收购叶片厂带来风机叶片成本下降;(5)igbt
来源:东海证券2011-05-11
金风科技生产成本和管理成本等综合起来有望下降15%,其生产成本下降原因为:(1)技术优化升级;(2)电机自主生产;(3)电控系统自给能力从50%提高到70%;(4)收购叶片厂带来风机叶片成本下降;(5)igbt
来源:ABB评论2011-05-09
轻型高压直流输电系统之所以具有良好的可控性,其主要原因在于采用上文所述的 igbt 半导体设备。igbt 与晶闸管相似,可通过串联提高额定电压。...igbt 的开断频率可根据不同应用调节,其范围通常为百赫兹到一千赫兹。通过这一方法组装 igbt 可构建一个紧凑且可控性极高的电力电子换流器,即使在没有额外电源的网络区域,也能够保证电压稳定。
来源:ABB评论2011-05-06
高速门级控制半导体开关( 即绝缘栅双极晶体管,igbt)的应用使最先进的电压源换流器 (vsc) 成为整个系统中不可或缺的组成部分,从而实现迅速注入或吸收无功功率的功能。...这两种外壳都适用于绝缘栅双极晶体管 (igbt) 和集成门极换流晶闸管 (igct)。但在实际应用中,集成门极换流晶闸管目前仅用于压接外壳,而绝缘栅双极晶体管则可用于这两种外壳。
来源:互联网2011-05-04
后来,随着igbt(绝缘栅双极晶体管,insulated-gatebipolartransistor)技术的出现,这一状况得到了改变。igbt就是无变压器ups得以存在的核心技术。...(现在,igbt也同样被应用于基于变压器的ups。) 20世纪几十年代,无变压器的设计开始出现在小型ups上,2000年逐渐成为了主流设计。
来源:百度文库2011-05-03
这里的可控硅串联电路如果采用穿透型igbt的话,igbt必须串联二极管。而采用非穿透型igbt的话,通态损耗会很大。理论上,如果利用接触器来代替可控硅开关的话,虽通态时无损耗,但断开动作时间太长。