来源：中国电机工程学报2018-05-30

of sic power mosfet.powerelectronics,2017,51(8):1-3(in chinese)....柏松,黄润华,陶永洪,等.sic功率mosfet器件研制进展.电力电子技术,2017,51(8):1-3. baisong,huang runhua,tao yonghong,et al.development

来源：电力电子网2018-05-29

igbt的驱动方法和mosfet基本相同，只需控制输入极n-沟道mosfet，所以具有高输入阻抗特性。...若在igb模块t的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则mosfet导通，这样pnp晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若igbt的栅极和发射极之间电压为0v，则mosfet截止，切断pnp

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-05-11

2、逆变器效率的影响因素提高逆变器效率唯一的措施就是降低损耗，逆变器的主要损耗来自于igbt、mosfet等功率开关管，以及变压器、电感等磁性器件。

来源：中国电机工程学报2018-05-09

,ssps),部分sic mosfet的开关频率达到了20khz。...freedm基于15kv sic igbt和10kv sic mosfet器件研制了三相pet。

来源：光伏时代2018-03-08

光伏逆变器中的功率开关器件主要是指分立器件功率mosfet和功率模块igbt。早期的中功率组串式逆变器，一般采取分立器件，由于功率mosfet电流都比较少，一般都采取多个器件并联的方式。...三电平功率模块相对于mosfet，igbt饱和压降低，容易实现高压、大电流化，在中大功率逆变器占主导地位。而igbt模块比分立的igbt单管具有更高的可靠性和安全工作区。

来源：户用光伏网2018-02-07

逆变器由于有电感、变压器和igbt、mosfet等功率器件，在运行时，会产生损耗。一般组串式逆变器效率为97-98%，集中式逆变器效率为98%，变压器效率为99%。9)阴影、积雪遮挡。

来源：锂电联盟会长2018-02-07

该电路主要由锂电池保护专用集成电路dw01，充、放电控制mosfet1(内含两只n沟道mosfet)等部分组成，单体锂电池接在b+和b-之间，电池组从p+和p-输出电压。...放电过程中，当单体电池的电压降到2.30v时，dw01的od脚输出信号使放电控制mosfet关断，锂电池立即停止放电，从而防止锂电池因过放电而损坏，dw01的cs脚为电流检测脚，输出短路时，充放电控制mosfet

来源：电工技术学报2018-01-29

低电压的另一特点在于可采用低压mosfet作为功率开关器件，与igbt相比在成本和开关速度方面具有明显优势。电动汽车异步电动机驱动拓扑如图1所示。

来源：北极星太阳能光伏网2017-12-07

宽禁带器件以sic mosfet为例，它是高耐压、开关损耗比较低、开关速度高，用在高压大电流的场合下也有问题，电磁干扰非常严重。

来源：合肥经信委2017-11-30

鼓励mosfet、igbt、gto等逆变控制器用关键元器件技术研发及产业化。

来源：宁波锦浪新能源科技股份有限公司2017-09-07

逆变器中主要发热器件有：开关管（igbt、mosfet）、磁芯元件（电感、变压器）等。因此，为了保证元器件能在额定温度下工作，系统的散热能力非常重要。

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2017-08-30

mosfet和igbt以及碳化硅肖特基二极管。...第四代是绝缘栅晶体管(igbt)，它是一种用mos栅控制的晶体管，它集中了gtr和mosfet的优点，驱动电路简单和开关频率高，和mosfet相似，输出电流大和gtr相似，第五代是加入sic碳化硅材料的

来源：无锡东电化兰达电子有限公司2017-08-18

开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（pwm）控制ic和mosfet构成。

来源：分布式发电与微电网2017-08-07

3)充电控制电路控制部分主要由mosfet电力管q和高频变频器t以及相对应的方波发生器及电压比较器等构成。...本文采用先进的微电子技术、mcu和电力电子技术，设计并实现了一种新型超级电容模组充电电源，包括可调节恒流充电和恒压充电电路设计、恒流与恒压转换控制电路设计、高频变压器设计与选型及功率mosfet选择等。

来源：电力合伙人2017-08-02

功率变换电路1、mos管的工作原理：目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是mosfet(mos管)，是利用半导体表面的电声效应进行工作的。也称为表面场效应器件。

来源：中国产业信息网2017-08-02

将集成电路技术的精细加工技术和高压大电流技术有机结合，出现了一批全新的全控型功率器件：功率 mosfet 的问世，促使中小功率电源向高频化发展;绝缘栅双极型晶体管(igbt)的出现，为大中型功率电源向高频发展带来机遇

来源：电子产品世界2017-07-04

比如：tbu高速保护器：作为基于mosfet半导体技术的电路保护器件，其过流保护的响应速度极快，一般只需200ns就可确保将浪涌电流隔绝在外，与速度慢、耐压低的pptc等过流保护器件相比，优势明显。

来源：电子产品世界2017-06-29

碳化硅mosfet可以实现高速开关，另外，英飞凌碳化硅mosfet技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度，因此，可以轻松优化emc性能。...在今年的pcim展会上，英飞凌将展出基于1200 v sic mosfet技术的其他模块平台和拓扑。它们将逐步扩大coolsic mosfet的性能范围。

来源：光伏街资讯2017-06-06

（5）逆变器效率逆变器由于有电感、变压器和igbt、mosfet等功率器件，在运行时，会产生损耗。一般组串式逆变器效率为97-98%，集中式逆变器效率为98%，变压器效率为99%。

来源：电子发烧友2017-05-16

方案规格：①监测单节电池的电压、温度②监测整串的电压、电流、温度③单节电池间被动均衡功能④电池包间can总线或者菊花链连接⑤带有多种保护和诊断功能⑥单颗mc33771可监测8-14串电池⑦内置被动均衡mosfet