来源：湖南省人民政府2015-02-06

1月30日，国家工信部电子信息产业发展基金倍增计划专项新型平板全压接大功率igbt器件在高压直流输变电装备的应用示范项目启动会在南车时代电气半导体事业部igbt基地召开。

来源：电气中国2014-11-19

2014年9月，中国北车永济电机公司凭借3300v igbt器件产品，力压国际知名半导体厂商，成功中标国家智能电网项目，成为国内首个高压大功率igbt器件产品批量进入国家电网系统的企业，迈出了我国igbt

来源：电气中国杂志2014-11-12

原机械工业部电工局局长、中国电工技术学会名誉理事长周鹤良对记者讲：中国电力电子技术的硅基igbt器件和模块的芯片95%以上的市场被进口产品代替，由于没有国产的先进电力电子芯片，因此严重钳制了中国电力电子行业的发展以及国家安全

来源：西安日报2014-10-31

igbt器件作为电压控制型器件，具有容量大、损耗小、易于控制等优点，是高压柔性直流输电领域的核心器件。近年来，我国长距离高压柔性直流输电领域发展迅猛，igbt器件具备广阔的应用前景。

来源：观察者网2014-10-13

目前，该公司具备年产 6种等级igbt器件10万只的能力，可满足智能电网、铁路机车、风力发电、光伏发电、电动汽车等应用领域对igbt器件的广泛需求。

来源：北极星太阳能光伏网2014-10-11

a.采用最新一代npt型igbtnpt型igbt是一种单晶非穿通型功率半导体器件，该器件相比传统pt型igbt器件具有开关损耗小，高温特性好等优点。

来源：索比太阳能光伏网2014-09-24

由igbt芯片组成的igbt器件广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、船舶驱动、新能源、电动汽车等高端产业，特别是涉及国家经济安全、国防安全灯战略性产业领域，高功率等级的igbt尤为关键。

来源：北极星太阳能光伏网2014-09-18

西北风沙严重地区，逆变器房中积灰导致防尘网堵塞、散热器散热性能变差，大功耗器件温度急剧上升，引起温度告警，更严重会导致内部igbt器件损坏，设备不断重启，甚至烧坏。

来源：中国电力报2014-08-21

500千伏等级，桥臂功率模块数量625个，包含1250个igbt;整个换流器(站)包含7500个igbt器件。现有器件耐压水平导致高电压情况下，串联级数巨大。

来源：中国电力报2014-08-21

500千伏等级，桥臂功率模块数量625个，包含1250个igbt;整个换流器(站)包含7500个igbt器件。现有器件耐压水平导致高电压情况下，串联级数巨大。

来源：中电新闻网2014-08-21

500千伏等级，桥臂功率模块数量625个，包含1250个igbt;整个换流器(站)包含7500个igbt器件。现有器件耐压水平导致高电压情况下，串联级数巨大。

来源：中利腾晖光伏科技有限公司2014-07-22

3）散热差失效积灰导致防尘网堵塞、散热器散热性能变差，大功耗器件温度急剧上升，引起温度告警，风扇转速升高，噪声增大，更严重会导致内部igbt器件损坏，设备不断重启，甚至烧坏。

来源：国家能源局网站2014-06-23

基于分层储能的主动配电网关键技术及应用示范、静止变频启动的大型发电机组控制及保护关键技术研究与应用、燃机高温叶片铸造母合金制备关键技术研究及应用示范、新能源机电装备磁材料尽限应用技术研究、直流电网装备用压接型igbt

来源：OFweek 电源网2014-04-15

随着电力电子技术的发展，很多场合需要大功率大电流的直流电源。east的磁约束核聚变装置使用的直流快控电源即是一种大功率直流电源，其技术要求为：电压响应时间1ms峰值电压50v;最大电流20ka，能实现4

来源：OFweek电源网2014-04-04

随着技术的发展，很多场合需要大功率大电流的直流电源。east的磁约束核聚变装置使用的直流快控电源即是一种大功率直流电源，其技术要求为：电压响应时间1ms峰值电压50v;最大电流20ka，能实现4个象限的运行

来源：半导体器件应用网2014-01-24

针对此要求，不可避免地需采用电源并联技术，即功率管并联或电源装置的并联。对于20ka直流电源，若采用功率管igbt并联，每个桥臂则至少需15只功率管并联，这不但给驱动带来很大困难，而且，在一般情况下，电流容量较大的功率管的电压容量也较大

来源：中国质量报 记者：徐建华2014-01-09

2013年底，西安永电公司产能将达到焊接型和压接型igbt模块30万只、智能igbt模块400万只，满足国内市场对igbt器件的需求。...与中国南车通过收购海外公司获得了igbt技术不同的是，中国北车一直在进行完全的自主研发，中国北车igbt器件封装生产线最早于2010年10月投产。

来源：北极星电力网 刘亚鹏 曹婷2013-12-27

器件成套技术特别是难度极高的高压高功率密度igbt器件技术上的超强实力。...2010年，该公司抓们在海外成立功率半导体研发中心，从事高压igbt芯片技术研究和新一代igbt器件开发，2011年启动的我国首条8英寸igbt芯片生产线，目前也已建成试运行。

来源：电子发烧友网2013-11-28

为了满足此市场中对更高功率等级、效率、功率密度等要求，半导体供应商正致力于为市场提供采用小型化封装的高开关速度、大电流、低rds(on)的sj/mv mos， igbt器件。

来源：中自网2013-11-06

igbt是mos结构的双极器件，它兼具功率mosfet(金属氧化物场效应晶体管)的高速性能和双极晶体管的低电阻性能，具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、安全工作区大等优点，这使得igbt