2003-03-28

另外，新的mosfet最小化输入容抗和栅极电荷，简化驱动电路，同时提高开关性能。 新的特性使新的irf8010 mosfet在隔离的拓扑，高效率ups和dc-dc转换器中，成为首要的理想选择。

2007-01-17

这是由于增大了栅氧化层的厚度和增长了栅极长度。 　　...另外可通过加大栅极长度和采用更高的阈值降低器件的漏电流。 　　目前多核结构分为两种,一种是对称式的，另一种是非对称的。对称的双核结构，可将双核的外部总线连在一起。