来源：环保工程师2022-06-16

变频技术简单通俗的说法是通过晶体管，将电机或其他机械的运行频率降低下来，从而降低其运转的的速度，实际上变频器自身是没有节能效果的，变频厂家做广告也不会说用了我的变频器就节约多少多少的电能，实际上，变频器由于改变了输入频率

来源：遂宁市人民政府2022-06-15

重点引导发展电动车电机，电机内半导体、马达驱动系统、控制传感器等部件，以及配置在动力电池及电机之间进行交直流转换的绝缘栅极双极晶体管、电控设备、充放电设备等产品，加快占领国内电动汽车装备市场。

来源：遂宁市人民政府2022-06-15

重点引导发展电动车电机，电机内半导体、马达驱动系统、控制传感器等部件，以及配置在动力电池及电机之间进行交直流转换的绝缘栅极双极晶体管、电控设备、充放电设备等产品，加快占领国内电动汽车装备市场。

来源：遂宁市人民政府2022-06-15

重点引导发展电动车电机，电机内半导体、马达驱动系统、控制传感器等部件，以及配置在动力电池及电机之间进行交直流转换的绝缘栅极双极晶体管、电控设备、充放电设备等产品，加快占领国内电动汽车装备市场。

来源：郑州市人民政府2022-06-13

紧盯国内外驱动电机龙头企业产业转移和区域布局需求，引进培育一批驱动电机、电机控制器配套企业，重点推进永磁电机及其控制器的研发及产业化，探索发展大功率车用绝缘栅双极晶体管（igbt）模块。...依托郑州航空港区、郑州经开区等园区，重点引进拥有高世代tft—lcd（薄膜晶体管液晶显示器）、amoled（主动矩阵有机发光二极体）等核心技术的龙头骨干企业，强化引进大尺寸oled柔性显示、8ｋ超高清显示

来源：重庆市招商局2022-06-10

tft—lcd（薄膜晶体管液晶显示器）领域，重点引进偏光片、光学膜材、背光模组等关键配套企业。...）、mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）、mems（微电机系统）、cis（图像传感器）、硅基光电子、第三代半导体器件等产品。

来源：重庆市招商局2022-06-10

tft—lcd（薄膜晶体管液晶显示器）领域，重点引进偏光片、光学膜材、背光模组等关键配套企业。...）、mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）、mems（微电机系统）、cis（图像传感器）、硅基光电子、第三代半导体器件等产品。

来源：国家电网报2022-06-07

绝缘栅双极型晶体管（igbt）驱动器是电力电子装备的关键组件，其核心技术曾一度被国外垄断。今年4月底，国网智能电网研究院有限公司“igbt数字驱动关键技术及应用”项目科技成果通过中国电机工程学会鉴定。

来源：广州市人民政府2022-06-06

针对集成电路和新型显示产业所需电子化学品，发展中高端聚氟乙烯和聚偏氟乙烯背板膜、含氟质子交换膜和薄膜晶体管—液晶显示器（tft-lcd）用偏光片等。

来源：广州市人民政府2022-06-06

针对集成电路和新型显示产业所需电子化学品，发展中高端聚氟乙烯和聚偏氟乙烯背板膜、含氟质子交换膜和薄膜晶体管—液晶显示器（tft-lcd）用偏光片等。

来源：广州市人民政府2022-06-02

针对集成电路和新型显示产业所需电子化学品，发展中高端聚氟乙烯和聚偏氟乙烯背板膜、含氟质子交换膜和薄膜晶体管—液晶显示器（tft-lcd）用偏光片等。

来源：南方电网报2022-05-27

值得一提的是，该工程首次实现工程应用绝缘栅双极型晶体管(igbt)器件国产化比例大幅提升至50%，彻底解决以往工程中igbt进口依赖的难题。

来源：新华社2022-05-25

特别是在直流电容器、二次板卡芯片等核心部件上，自研的全国产柔性直流换流阀阀段，实现了柔性直流换流阀核心组件包括igbt（绝缘栅双极型晶体管）、电容器、igbt驱动板、二次板卡芯片的完全自主可控。

来源：北极星环保网2022-05-11

开展高牌号取向硅钢片、高压大功率绝缘栅双极型晶体管（igbt）、超净交联聚乙烯（xlpe）绝缘料、特高压直流套管、非晶态合金、新型合金绕组、环保型绝缘油、绝缘纸（板）、硅橡胶等高效节能变压器用材料创新和技术升级

来源：广州市人民政府2022-05-11

加快发展中高端锂离子电池隔膜、聚氟乙烯（pvf）和聚偏氟乙烯（pvdf）背板膜、薄膜晶体管液晶显示器（tft-lcd）用偏光片等功能性膜材料。高分子产品。...薄膜晶体管液晶显示器（tft-lcd）重点推进产业技术升级和产业链优化布局，增强中下游面板、模组及终端产品生产能力，加强上游显示材料、元器件核心技术及关键生产工艺的引进和研发，加快掌握低温多晶硅（ltps

来源：重庆经信委2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经济和信息化委员会2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经信委2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经信委2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经济和信息化委员会2022-05-09

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/