来源：王火火2015-05-25

乐叶光伏太阳能电池专家汤应辉称：理论上，perc的效果和本体少子寿命有关，而单晶的晶体质量要好过多晶，平均少子寿命也比多晶长，所以，perc在单晶电池上更能充分发挥效果，相应地，perc工艺设备的投资在单晶上获得的收益更高

来源：工业和信息化部2015-03-30

（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《硅多晶》（gb/t12963）2级品以上要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5s，碳、氧含量分别小于8和6ppma；单晶硅片少子寿命大于

来源：阳光工匠光伏网2015-01-27

，含有硼和氧的硅片经过光照后其少子寿命会出现不同程度的衰减，硅片中的硼、氧含量越大，在光照或电流注人条件下在其体内产生的硼氧复合体越多，其少子寿命降低的幅度就越大。

来源：工信部2015-01-12

（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《硅多晶》（gb/t12963）2级品以上要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5s，碳、氧含量分别小于8和6ppma；单晶硅片少子寿命大于

来源：光伏资讯2014-12-12

对于电池和硅片的生产，则主要有：电阻率扫描测试仪，少子寿命扫描（微波光电导、激光电导、波导法等），粒度测试，硅锭硅片探伤仪，单片光电转换效率测试仪，漏电流测试仪、组件转换效率测试仪，光度计等。

来源：Solarzoom2014-10-23

除此之外，低温工艺还可带来其它优势：消除高温流程可维持电池的少子寿命这意味着即使使用质量较低差成本更低的太阳能级硅片，电池效率依然可以媲美采用更为昂贵的电脑切片硅片的电池。

来源：Solarzoom2014-09-30

表面复合和杂质缺陷复合会显着降低少子寿命和太阳电池性能。因此减少表面复合和杂质复合是进一步提高晶体硅电池效率的关键问题。

来源：新浪博客2014-09-19

经过喷砂过后的硅锭可以送去开方机，开方后，经过清洗，对小硅锭根据测量的电阻率值和少子寿命，根据数据进行划线和截断。截断后的硅方再进行研磨倒角，目的是去除硅方表面在开方时形成的损伤层。

来源：OFweek太阳能光伏网2014-03-11

值得指出的是这种结构的电池发射结在背面，少数载流子的扩散长度至少要大于基片厚度，因此对少子寿命要求很高。

来源：中国光伏测试网2014-01-20

《条件》还要求，现有光伏制造商，其多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%，组件效率分别不低于14.5%和15.5%，甚至对硅片的少子寿命等都有规定。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2014-01-17

上海赫爽自成立以来，开发出了包括少子寿命分析仪，太阳电池单体测试/分选仪，太阳电池组件测试仪，便携式光伏方阵测试仪，el隐裂测试仪和光老练设备在内的完整产品线，并为多家科研单位研发了性能优异,功能完善的产品

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2014-01-14

另外，国家对光伏企业也提出了一系列的技术要求，如：现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（gb/t25074）1级品的要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2013-11-29

公司的产品包括:少子寿命分析仪,太阳电池单体测试/分选仪,太阳电池组件测试仪,便携式光伏方阵测试仪和薄膜电池测试仪等.尤其是薄膜电池测试仪,已经拥有6年的研发经验,产品已为国内一些科研院所和专业公司选用

来源：中国证券网2013-11-15

高能粒子会破坏半导体整齐的晶格结构，减少少子寿命和扩散长度，降低电池转换效率、缩短电池寿命」辐射成为高海拔cx系统电池必不可少的性能。

来源：东吴证券2013-10-17

高能粒子会破坏半导体整齐的晶格结构，减少少子寿命和扩散长度，降低电池转换效率、缩短电池寿命。抗辐射成为高海拔cx系统电池必不可少的性能。

来源：Solarzoom2013-10-09

比如坩埚旋转台，需要重新定制坩埚旋转台(喷涂站没有变化)，物料转运小车需要加大加长，上料叉车臂的改造，吊锭用的g6专用夹具，后段工序的开方机需要将g5改成g6，倒角机的行程350mm，检测设备这块ir基本没问题，少子寿命仪器需要行程

来源：中国能源报2013-09-04

(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(gb/t25074)1级品的要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于

来源：中华人民共和国工业和信息化部2013-08-28

（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（gb/t25074）1级品的要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于

来源：Solarzoom2013-08-02

2、铸锭工艺的优化通过对热场温度的优化以及晶粒的细化，使晶体在初期的成核得到控制，在结晶过程中具有稳定的结晶速度和过冷度，从而提高了硅晶体的少子寿命，降低了硅晶体的内部缺陷，提高了多晶硅电池效率。

来源：《光伏产业观察》杂志2013-04-19

该公司做了大量的文献研究工作，并且对不同的钝化层工艺进行了doe试验，以实现少子寿命的稳定以及重复提升。...该创新团队利用自主设计生产的kmt-200a型原子层沉积设备，在p型单晶硅片上生长氧化铝钝化层，退火后平均少子寿命可达1ms，有效减少了硅片表面复合，具有优秀的表面钝化效果。