来源：北极星氢能网2020-06-03

包括：开发集成控制器的新型拓扑结构，实现燃料电池升压 dc/dc、空压机电机控制器、高压配电单元、电堆内部交流阻抗检测等集成控制；研究高可靠 sic mosfet 栅介质材料和芯片集成封装技术，开发 sic

来源：盖世汽车2020-05-08

此外，wolfspeed产品通过了汽车aec-q101认证，得到了e系列mosfet系列的验证，为未来符合汽车要求的650v mosfet产品铺平了道路。...（图片来源：科锐）新款650v设备分为15 mω和60 mω两个版本，采用行业领先的科锐第三代c3m mosfet技术，与其他碳化硅mosfet竞品相比，可将转化损失降低20%，而且可提供最低通路电阻，

来源：全球能源互联网期刊2020-05-06

在数字化电池能量交换系统中，模拟能量流被以网络化连接的高频mosfet电力电子开关离散化成为时间序列上的“能量片”（energy slice），离散化后的“能量片”上附加其他信息数据，如电池资产的所有者

来源：国际能源研究中心2020-04-29

根据 ic insights 的预测，未来半导体功率器件中，mosfet 与 igbt 器件将是最强劲的增长点。...gtr 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

来源：悦智网2020-04-22

igbt结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）驱动功率小、开关速度快以及双极型晶体管（bjt）通态压降低、载流能力大的优点。

来源：中信证券电新团队2020-03-10

sic-jbs二极管和mosfet晶体管因其性能优越，成为目前应用最广泛、产业化成熟度最高的sic功率器件；sic（混合）模块成为当前较多厂商的应用选择。

来源：深圳市发展和改革委员会2020-02-14

重点支持电动车用大功率igbt、碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)的芯片、器件、功率模块等关键零部件和相关核心材料，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术，氢燃料电池电堆制造、系统集成、

来源：电网头条2020-01-16

二是持续增强科技创新能力，做好“十四五”战略规划，加强先进输电技术、高端电工材料等关键领域核心技术攻关，推进4500v 硅igbt和6500v 碳化硅mosfet等关键元器件研制，加强直流电网科研布局，

来源：电网头条2020-01-16

二是持续增强科技创新能力，做好“十四五”战略规划，加强先进输电技术、高端电工材料等关键领域核心技术攻关，推进4500v 硅igbt和6500v 碳化硅mosfet等关键元器件研制，加强直流电网科研布局，

来源：电网头条2020-01-16

二是持续增强科技创新能力，做好“十四五”战略规划，加强先进输电技术、高端电工材料等关键领域核心技术攻关，推进4500v 硅igbt和6500v 碳化硅mosfet等关键元器件研制，加强直流电网科研布局，

来源：电网头条2020-01-16

二是持续增强科技创新能力，做好“十四五”战略规划，加强先进输电技术、高端电工材料等关键领域核心技术攻关，推进4500v 硅igbt和6500v 碳化硅mosfet等关键元器件研制，加强直流电网科研布局，

来源：同花顺企业公告2019-12-06

目前，丽晶美能已实现量产的有 igbt、frd、mosfet 等系列芯片和模块产品，以及新型碳化硅功率芯片产品，在工业及电力控制领域、新能源发电、新能源汽车、航空航天、家电等众多领域得到广泛应用。

来源：中证网2019-11-28

目前，丽晶美能已实现量产的有igbt、frd、mosfet等系列芯片和模块产品，以及新型碳化硅功率芯片产品，在工业及电力控制领域、新能源发电、新能源汽车、航空航天、家电等众多领域得到广泛应用。

来源：光伏盒子2019-10-18

1.4.5逆变器效率逆变器由于有电感、变压器和igbt、mosfet等功率器件，在运行时，会产生损耗。一般组串式逆变器效率为97-98%，集中式逆变器效率为98%，变压器效率为99%。

来源：深圳市发改委2019-09-10

重点支持电动车用大功率igbt、碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)的芯片、器件、功率模块等关键零部件和相关核心材料，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术，氢燃料电池电堆制造、系统集成、

来源：北极星环保网2019-09-10

重点支持电动车用大功率igbt、碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)的芯片、器件、功率模块等关键零部件和相关核心材料，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术，氢燃料电池电堆制造、系统集成、

来源：动力电池网2019-08-26

为了使ds18b20在动态转换周期中获得足够的电流供应，当进行温度转换或拷贝到e2存储器操作时，用mosfet把i/o线直接拉到vcc就可提供足够的电流，在发出任何涉及到拷贝到e2存储器或启动温度转换的指令后

来源：北极星电力网2019-06-18

核心技术有四端控制技术，通过特殊工艺将常规的 三端 mosfet（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的源极 s 和衬 底电极 b 打开，在两极之间加接偏置电压 vbs，可实现 mosfet 的阈值电压 vth

来源：北极星输配电网2019-06-17

核心技术有四端控制技术，通过特殊工艺将常规的 三端 mosfet（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的源极 s 和衬 底电极 b 打开，在两极之间加接偏置电压 vbs，可实现 mosfet 的阈值电压 vth

来源：河北省工信厅2019-04-16

氮化镓、碳化硅材料、外延用材料、高导热陶瓷、高性能陶瓷基板及外壳、低温共烧陶瓷多层基板等研发与产业化；大尺寸靶材、电子化学品、石墨烯、金刚石、电子特气等材料研发与产业化；igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet