来源：重庆市经信委2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经信委2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经济和信息化委员会2022-05-09

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星电力网2022-05-09

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星储能网2022-05-09

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经济和信息化委员会2022-05-07

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星环保网2022-05-07

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：电网头条2022-05-06

会上，专家们一致认为，该项目成果实现了高压直流输电igbt（绝缘栅双极型晶体管）数字驱动器的自主化研发与应用，系列产品可靠性高、兼容性强、电磁防护性能优异，整体技术达到国际先进水平，其中，igbt状态检测与保护技术达到国际领先

来源：南方电网报2022-03-30

装备方面，广州工程首次实现工程应用绝缘栅双极型晶体管(以下简称igbt)器件国产化比例大幅提升至50%。igbt是能源变换与传输的核心器件，被誉为电力电子装置的“cpu”。

来源：重庆市人民政府2022-03-21

聚焦先进分裂栅型沟槽、超结等中、低、高压段的金属氧化物半导体晶体管（mos）器件，超高压绝缘栅双极型晶体管（igbt）器件，第三代半导体（碳化硅、氮化镓）器件及功率模块的设计研发，建设一流功率半导体器件设计研发

来源：北极星环保网2022-03-21

聚焦先进分裂栅型沟槽、超结等中、低、高压段的金属氧化物半导体晶体管（mos）器件，超高压绝缘栅双极型晶体管（igbt）器件，第三代半导体（碳化硅、氮化镓）器件及功率模块的设计研发，建设一流功率半导体器件设计研发

来源：北极星储能网2022-02-23

发展mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）、igbt（大功率绝缘栅双极型晶体管）、高端传感器、mems（微机电系统）、大功率led（发光二极管）器件、半导体激光器等产品。

来源：北极星环保网2022-01-25

强芯片、育专用、引封测”工程，大力发展第三代半导体材料及器件，支持陶瓷封装材料、电子级化学品、4英寸碳化硅晶片提升良品率，加快6英寸以上碳化硅、氮化镓单晶片及12英寸硅外延量产化进程；推动电源管理芯片、绝缘栅双极型晶体管

来源：北极星储能网2022-01-24

重点突破半导体控制芯片、功率器件等核心元器件技术，开展igbt（绝缘栅双极型晶体管）等逆变控制器用关键元器件技术研发及产业化。（2）高效电池。

来源：合肥市经济和信息化局2022-01-20

重点突破半导体控制芯片、功率器件等核心元器件技术，开展 igbt（绝缘栅双极型晶体管）等逆变控制器用关键元器件技术研发及产业化。（2）高效电池。

来源：国家电网报2022-01-18

近年来，以绝缘栅双极型晶体管（igbt）为代表的电力电子装置大量应用于光伏逆变器、开关电源、变频器和变频节能用电设备，其开关频率可达几百千赫兹甚至更高，可产生40～3000次的超高频谐波。

来源：北极星储能网2021-12-27

提升高速列车用车轮、车轴及绝缘栅双极型晶体管（igbt）芯片成套技术，建立应用全链条技术体系和标准体系，形成完整技术创新平台，实现产品装车运用考核并推广运用。

来源：国家电网杂志2021-12-21

10月底，南瑞集团有限公司具有自主知识产权的3300伏/1500安培绝缘栅双极型晶体管(igbt)器件在福建厦门鹭岛柔直换流站换流阀一次性试验成功，正式挂网运行。

来源：北极星环保网2021-11-22

在芯片制造方面，加快布局第二、三代半导体晶片及外延衬底（砷化镓、氮化镓、碳化硅）、微机电系统（mems）、金属—氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）、绝缘栅双极型晶体管（igbt）等特色芯片生产线，

来源：电网头条2021-11-09

igbt全称为绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor），具有可关断、损耗小、易于控制等优点，是智能电网、新能源、工业控制等领域的核心零部件。