来源：重庆市人民政府2022-07-18

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星环保网2022-07-18

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：国家电网报2022-07-12

“与目前在电网中广泛应用的绝缘栅双极型晶体管（igbt）相比，集成门极换流晶闸管（igct）具有大容量、高可靠、低损耗、低成本的优点，但也存在驱动功率大、开关频率低等不足。”

来源：北极星碳管家网2022-06-29

加强绝缘栅双极型晶体管（igbt）、特种非晶电机和非晶电抗器等电机核心元器件研发。开展高牌号取向硅钢片、特高压直流套管、非晶态合金、环保型绝缘油等变压器用材料创新和技术升级。

来源：工信部2022-06-29

加强绝缘栅双极型晶体管（igbt）、特种非晶电机和非晶电抗器等电机核心元器件研发。开展高牌号取向硅钢片、特高压直流套管、非晶态合金、环保型绝缘油等变压器用材料创新和技术升级。

来源：重庆市招商局2022-06-10

晶圆制造环节，聚焦以特色工艺为主攻方向，以idm（整合原件制造）为主要路径，积极引进一批技术含量高、投资强度大、引领带动强的重大晶圆制造项目，投建生产模拟和数模混合芯片、igbt（大功率绝缘栅双极型晶体管

来源：重庆市招商局2022-06-10

晶圆制造环节，聚焦以特色工艺为主攻方向，以idm（整合原件制造）为主要路径，积极引进一批技术含量高、投资强度大、引领带动强的重大晶圆制造项目，投建生产模拟和数模混合芯片、igbt（大功率绝缘栅双极型晶体管

来源：国家电网报2022-06-07

绝缘栅双极型晶体管（igbt）驱动器是电力电子装备的关键组件，其核心技术曾一度被国外垄断。今年4月底，国网智能电网研究院有限公司“igbt数字驱动关键技术及应用”项目科技成果通过中国电机工程学会鉴定。

来源：南方电网报2022-05-27

值得一提的是，该工程首次实现工程应用绝缘栅双极型晶体管(igbt)器件国产化比例大幅提升至50%，彻底解决以往工程中igbt进口依赖的难题。

来源：新华社2022-05-25

特别是在直流电容器、二次板卡芯片等核心部件上，自研的全国产柔性直流换流阀阀段，实现了柔性直流换流阀核心组件包括igbt（绝缘栅双极型晶体管）、电容器、igbt驱动板、二次板卡芯片的完全自主可控。

来源：北极星环保网2022-05-11

开展高牌号取向硅钢片、高压大功率绝缘栅双极型晶体管（igbt）、超净交联聚乙烯（xlpe）绝缘料、特高压直流套管、非晶态合金、新型合金绕组、环保型绝缘油、绝缘纸（板）、硅橡胶等高效节能变压器用材料创新和技术升级

来源：重庆经信委2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经济和信息化委员会2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经信委2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经信委2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经济和信息化委员会2022-05-09

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星电力网2022-05-09

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星储能网2022-05-09

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经济和信息化委员会2022-05-07

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星环保网2022-05-07

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/