来源：Solarzoom2012-06-15

据该公司发布的声明称，这款电池将运用于aleosolarag,asolasolarpowergmbh,solar-fabrikag,si-modulesgmbh与solarnovaproduktions-undvertriebsgmbh

来源：solarzoom2012-06-11

a-si：h/c-si异质结电池已经成为最有市场前景的太阳电池之一，受到国际上许多国家的广泛关注，目前许多研究机构和企业正在开展a-si：h/c-si异质结电池的研究。

来源：Solarzoom2012-06-08

硅外延(epi-si)则是在硅单晶衬底上沿其原来的晶向再生长一层硅单晶薄膜的半导体硅材料，或许它将能代替非晶硅原料并提升转换效率。

来源：OFweek太阳能光伏网2012-06-07

1977年世界光伏电池超过500kw;d.e.carlson和c.r.wronski在w.e.spear的1975年控制p-n结的工作基础上制成世界上第一个非晶硅(a-si)太阳能电池。

来源：Solarzoom2012-06-06

产业龙头薄膜光伏组件分为三种制造技术：非晶硅(a-si)、碲化镉(cdte)或铜铟镓硒(cigs)及铜铟硒(cis)。

来源：PV-tech2012-06-05

中国和日本的组件供应商过去都是台湾c-si电池的大买家。确实在过去几年中，整个美国市场所消化的c-si组件使用的电池都是从台湾电池生产商进口的。因此讨论从一开始就能准备好解决方案是不可能的。

来源：北极星太阳能光伏网2012-06-04

电极的制作分两种:一种是采用埋栅接触及化学镀的方法,效率可达到17.5%(cz2si)和15.7%(mc2si);另一种是采用丝网印刷的方法,效率也分别达到了17.0%9(cz2si)和15.9%(mc2si

来源：北极星太阳能光伏网2012-05-30

严格控制a-si/c-si界面质量，不断降低缺陷态密度。2.优化光陷，降低反射率。3.提高透明导电膜的电导率，透射率。4.降低金属栅线的接触电阻。光伏技术：pecvd技术难点1.等离子体的不稳定性。

来源：世纪新能源网2012-05-30

据日经社消息，日本jfe钢铁公司宣布，将退出用于太阳能电池的多晶硅(si)铸锭和晶圆的制造销售业务。该公司2001年开始开展太阳能电池硅材料业务。

来源：北极星太阳能光伏网2012-05-24

(2)1950~1960，林德公司在西维吉尼亚建了一个用冷氢化技术生产tcs的生产线;同时，他们发现用si+hcl的方式(合成法)来生产tcs更加经济，于是就将冷氢化技术搁置。

来源：北极星太阳能光伏网2012-05-23

用f基气体，可刻蚀si、poly-si、sic、si3n4、sio2、w、wsi、mo、mosi、ta和tasi等。用o2气还可去胶。...参考工艺结果如下：(1)刻蚀出线宽为0.13m陡直的sio2窗口图形;(2)刻蚀出线宽为0.15m陡直的si窗口图形;(3)si的快速(非陡直)刻蚀可达3m/min以上;(4)刻蚀出厚度为12m陡直的sio2

来源：北极星太阳能光伏网2012-05-22

本次调查不包括使用非晶硅(a-si)、碲化镉(cdte)或铜铟镓硒(cigs)技术生产的薄膜太阳能光伏产品。

来源：ne21.com2012-05-15

与tco薄膜连接的第一结称为顶层非晶硅层a-si:h，能吸收短波长光子，与非晶硅层连接的第二结称为底层微晶硅层ucsi:h，能吸收长波长光子。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-05-08

（4）异质结太阳电池即不同半导体材料在一起形成的太阳电池j瞩sno／si，in20／si，（1n203十sno2／si电池等。

来源：北极星太阳能光伏网2012-05-07

（4）日本sharp的c一si／c-si异质pp+结高效电池sharp公司能源转换实验室的高效光伏电池，前面采用绒面织构化，在sio2钝化层上沉积sin为a只乙后面用rf-pecvd掺硼的c一si薄膜作为背场

来源：电子工程世界2012-05-04

fuji公司a-si/a-sige叠层电池稳定效率达到9%，在日本kumamoto建立了工厂，塑料衬底非晶硅电池的产量2006年达15mw。...薄膜太阳电池主要涉及非晶硅(a-si：h)、铜铟镓硒(cu(in、ga)se2，cigs)和碲化镉(cdte)光伏电池和集成组件，在本文中主要讨论的是目前商业化最成熟的非晶硅太阳电池。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-04-27

h薄膜的缺陷态密度低，掺杂a-si:h的掺杂效率高且光吸收系数低，最重要的是最终形成的a-si:h/si界面的态密度要低。...目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（pecvd）沉积本征及掺杂的a-si:h膜，同时热丝化学气相沉积法（hwcvd）制备a-si:h法也被认为很有前景。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-04-26

对此，在顶层和结晶si之间插入高质量a-si膜(i型a-si膜)，通过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是hit构造。...即hit构造中的a-si钝化性能的好坏和hit太阳电池的voc大小相关。所以，通过提高a-si的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高hit太阳电池的输出电压是有效的。

来源：北极星太阳能光伏网2012-04-25

通过优化硅的表面织构，可以降低透明导电氧化层（tco）和a-si层的光学吸收损耗。hit太阳能光伏电池抑制了p型、i型a-si的光吸收率，而增强n型c-si的光吸收率。

来源：北极星太阳能光伏网2012-04-23

高应变si-si键的化学势与h相当，可以被外界能量打断，形成si-h键或重新组成更强的si-si键。如果断裂的应变si-si键没有重构，则a-si∶h薄膜的悬挂键密度增加。