来源：互联网2009-08-27

这些技术涉及：光电，超声波，浮子式，cvd，mms，薄膜，电容，霍尔效应，传导性，微动力脉冲雷达等。除此之外gems还拥有传导率水平控制的流行品牌warrick。

来源：科学时报2009-04-21

廊坊清华科技园清芯光电有限公司研制出先进的mocvd设备，达到国际产业化先进水平。

来源：中国电子报2009-03-19

此外，全自动丝网印刷机、自动分拣机、平板式pecvd则完全依赖进口。组件生产用的层压机、太阳能模拟器等在行业获得广泛应用。...多晶铸锭炉等开始少量出口，可提供10种太阳能电池大生产线设备中的8种，其中有6种(扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉)已在国内生产线上占据主导地位，2种(管式化学气相淀积设备pecvd

来源：网友评论2009-01-15

项目位居北京公认的中央别墅区（cvd）核心位置，毗邻顺义国际学校、力迈国际学校，周边被金色河畔高尔夫广场、和睦家医院、日祥广场等完善配套环绕。目前一期工程已开发完成。 　　

来源：　网友评论2009-01-12

项目位居北京公认的中央别墅区（cvd）核心位置，毗邻顺义国际学校、力迈国际学校，周边被金色河畔高尔夫广场、和睦家医院、日祥广场等完善配套环绕。目前一期工程已开发完成。 　　

来源：中国新能源网2008-10-29

制作减反射膜层 对于高效太阳电池，最常用和最有效的方法是蒸镀zns/mgf2双层减反射膜，其最佳厚度取决于下面氧化层的厚度和电池表面的特征，例如，表面是光滑面还是绒面，减反射工艺也有蒸镀ta2o5, pecvd

来源：国际文传商讯2008-04-08

协议内容涉及gt太阳能公司的先进技术——用于生产多晶硅的48硅棒化学气相沉积（cvd）反应器和四氯化硅（stc）加氢转换装置。多晶硅是全世界生产太阳能电池板所用的主要原材料。

2006-09-05

离子注入机、刻蚀机、光刻机、mocvd等关键设备应是国产设备选择的技术突破点。 　　...我所承担的国家重大装备项目100nm离子注入机、生产型gan mocvd等相继获得重大突破。

2006-08-29

据介绍，我国led产业已初步形成了从外延片生产、芯片制造、器件封装到集成应用比较完整的产业链，但在led上游差距非常大，主要是mocvd(金属化学气相沉积设备)外延材料水平不高、规模不大、投入不够、人才缺乏

2006-02-22

针对对我国设限的关键设备，如光刻机、mocvd、离子注入机等，以及新型半导体材料，如氮化镓、soi材料等，开展自主创新，争取在全球新一轮半导体技术的竞争中占据一席之地。 　　

2005-08-08

台积电一般晶圆厂内制程设备是以逻辑芯片生产为主而配置，故台积电近期应会增加购买炉管及化学气相沉积(cvd)设备，以应对生产闪存所需。

2005-02-05

通过近三年上千炉的mocvd材料生长实验和上百次的器件工艺实验，课题组艰苦攻关，积极创新，攻克了氮化镓基激光器研究中材料生长、器件工艺、器件测试等一系列技术难题，将氮化镓材料本底电子浓度降到小于5x1016

2005-01-28

在平板显示器件(fpd)方面，tft-lcd的生产中采用了大面积制版、大面积光学曝光、多室磁控溅射、多室pecvd等诸多半导体设备；led的生产设备则包括mocvd、lpe在内的全套半导体设备；此外，pdp

2004-12-28

它扩展了ibm 90nm工艺中的低k绝缘，它基于专利的碳掺杂氧化材料，并采用applied materials公司的cvd工具沉淀而成。 　　65nm技术还采用了一种12.5埃等离子氮氧化门。

2004-12-22

其次，增加一套世界先进的全自动太阳电池生产线，包括大型pecvd设备、扩散炉和丝网印刷机等，产量可达每小时1400片，年产多晶硅电池片50兆瓦。

2004-11-23

其次,从资金方面也有较大的投入，很多研究单位(大学)为了深入并扩大研究相关课题，投入大量资金，购置新的mocvd外延设备，如中科院半导体所、南昌大学、厦门大学等单位。...许多有实力的前工序企业正在加大投资力度，购置新设备，如厦门三安、深圳方大、江西联创、上海北大蓝光等单位均在购置新的mocvd外延设备和芯片制造设备，以增强研发力度和扩大产业化规模。

2004-10-15

这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2004-08-30

这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2004-02-12

应用材料公司的低k薄膜技术是基于化学汽相沉积(cvd)，该薄膜的k值为3，具有2gpa的硬度和12gpa的模数，该公司薄膜有效k级系数为3.2。

2003-04-25

虽然据说silk比较低的k值更容易扩展，但它的热膨胀系数(cte)比cvd碳掺杂氧化物要高得多，造成绝缘材料从芯片上的铜互连上分离。分层一直是互连过孔与铜线连接点处最麻烦的问题。...ibm发言人表示，“我们一直在寻找其它的方法，如cvd材料或扩展fsg。silk也不是ibm唯一的方案。即使它很有前途，但这并不意味着我们不会寻找其它的解决方案。” 电子工程专辑