2004-04-29

美国ibm和斯坦福大学日前宣布，为了加快使用电子自旋实现内存和晶体管的“自旋电子学”领域的研究，双方将着手进行联合研究。...此次设立的spinaps研究人员希望能在上述研究的基础上再深入一步，开发出利用电子自旋的晶体管和用来实现量子计算机的基本元件。

2004-02-24

ibm通信技术经理modestoprysko表示，“我们还没有解多路复用器，但我们的多路复用器有许多晶体管，完整时钟树，我们可以说明如何使这些锁存在硅锗中工作。”

2004-02-11

随着半导体厂商在芯片中“塞入”的晶体管越来越多，晶体管就会出现电子泄露的问题。...例如，1993年推出的奔腾芯片集成了310万个晶体管，奔腾4芯片则集成了5500万个晶体管，英特尔公司在2007年推出的芯片预计将集成10亿个以上的晶体管。 　　

2004-02-06

金属互连发出了苛刻的挑战，因为铜和低k介电质的速度将无法再提升，不足以保持布线延迟与晶体管延迟的平衡，kahle指出。 为了保持芯片工业健康发展，各公司必须采取新措施以增加价值。

2003-12-30

而该公司首次绕过sige层生产出具有极薄ssdoi结构的晶体管，“在实现高电子迁移率的同时，还解决了生产时的问题”。　　

2003-12-24

自1948年第一只半导体晶体管面世以来，以半导体技术为基础的集成电路就开始迅猛的发展起来。这种势头至今非但没有减弱，反而更加快速向各个领域渗透，创造新的领域，直接改善人类的生活和行为。

2003-11-12

随着半导体厂商在芯片中“塞入”的晶体管越来越多，晶体管就会出现电子泄露的问题。...例如，1993年推出的奔腾芯片集成了310万个晶体管，奔腾4芯片则集成了5500万个晶体管，英特尔公司在2007年推出的芯片预计将集成10亿个以上的晶体管。 　　

2003-11-07

该公司将在晶体管的两个基本元素，也就是晶体管栅与闸电介质，采用不同于传统的材质。晶体管闸是控制晶体管电流的开关，目前主要采用硅；闸电介质是位于闸门之下的一个绝缘层，采用硅氧化物。

2003-11-07

全球功率半导体市场现状　　功率半导体所包括的内容，现在可以大致分成两大类：　　1.分立功率器件：包括mosfet，igbt，晶闸管，晶体管，二极管等等。　　2.功率模拟集成电路。　　

2003-11-05

同时，ibm也是第一次将两种不同的硅涂层结合在一起，这些能最大限度优化使用辅助金属氧化物半导体装置的重要晶体管的性能。而这种晶体管，无论对移动电话，还是超级计算机等的性能提高都是必不可少技术.

2003-10-10

全美达公司10月要推出省电型微处理器efficeon，处理数据能力比现有产品高五成，其特征是晶体管数量少，因此不易发热，不需要冷却风扇。

2003-10-09

ibm公司的新成果不仅有助于大幅提高硅锗双极晶体管性能，也为以同一块“绝缘体上硅”晶片为基础，同时集成互补金属氧化物半导体晶体管和硅锗双极晶体管铺平了道路。...目前，该技术主要用来制造高性能的互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管，这种晶体管是计算机中执行计算任务的微处理器的基础。

2003-09-28

据辜树辉介绍，目前该公司的节能灯用晶体管生产线已经满负荷运转，此次来参加会议的目的之一就是了解行业动态，为下一步扩大投资做准备。

2003-09-15

ibm透露说，该公司已经开发出基于ssdoi技术的第一只晶体管。该场效应晶体管克服了使用现代硅锗技术带来的材料和工艺集成的问题，具有很高的电子迁移率。 　　

2003-09-05

曾瑞铭指出，stn彩色化的趋势，目前在oled(有机电机发光显示器)、ltps(低温多晶硅)、tft(薄膜晶体管显示)、以及如color-stn、mono-stn等，都各有不同的优劣势及市场需求，现阶段不致于产生由某一技术全面独占的情形

2003-05-13

这个"概念验证型"晶体管的尺寸大约是最新型微处理器中的晶体管尺寸的十分之一，可把电子元件中的晶体管数目在目前的的基础上增加100倍。...同时，ibm在2002年度ieee国际电子设备会议上公布了他们制造出的世界上最小的6纳米晶体管。

2003-05-06

另外一个新发明就是ibm在2001年所研制的新型晶体管。传统的硅晶体管只能单独处理电子束或正极空位，二者不可兼得。但ibm的新型硅晶体管就能做到同时处理两种电子束。这就是所谓的双极晶体管技术。

2003-04-23

削减电路的宽度可增加晶体管的数量，从而增强了处理能力。该工厂还将通过采用较大 的300毫米晶片来降低成本。 　　

2003-03-28

即将成立的公司目前还没有命名，它主要面向中国市场规划、开发和生产薄细丝晶体管lcd屏面和针对pc、监视器和显示器的模块。

2003-03-31

imec和美国国家半导体自从2002年1月以来一直在合作开发0.18微米硅锗异质结双极型晶体管(hbt)模块，目标是集成到后者现有的高速bicmos工艺家族之中。