2005-04-29

此外，台积电的0.065微米工艺能让晶体管速度加快50%，让其待机能耗(standby power)减少20%，这些优势都让它在芯片制造工艺上大大领先于其它晶圆代工厂商。...微米以下制造工艺也是屡有突破，它最新推出的0.065微米工艺能让1个芯片中集成的逻辑闸(logic gates)数目比0.09微米工艺的水平多出1倍多，采用这种工艺可在1个12英寸晶圆上集成超过7500亿颗晶体管

2005-04-21

根据韩国媒体报道，三星电子和日本索尼的合资公司——s-lcd公司于今天下午在全球率先开始生产第七代基板(1870×2200毫米)薄膜晶体管液晶显示器(tft-lcd)面板。 　　

2005-04-15

通过将更多的晶体管集成在日益减小的芯片上，芯片厂商做到了这一点儿。晶体管越小，它的速度也就越快，但芯片的发热量也就越大，芯片的制造也越复杂。...菲登表示，这样的晶体管也只是在它的初级发展阶段。他说，碳纳米管能够解决目前硅芯片遇到的大多数问题。他在实验室中已经取得了一定的成功，他用了4年的时间完成了第三代碳纳米晶体管原型产品的生产。

2005-04-01

　　早已和三星针对lcd业务组建了合资公司的索尼，日前又宣布建立lcd制造公司st mobile display，该公司的产品将采用低温多晶硅薄膜晶体管技术，与传统的非晶硅液晶技术相比，这种技术可制造性能更为先进的

2005-03-16

尽管目前中国的薄膜晶体管液晶显示器(tdt-lcd)生产商在这个规模达620亿美元的行业中依然微不足道，但分析师们认为，国家的支持以及信息技术的快速发展将推动中国lcd行业的发展，最终对韩国等相关厂家构成威胁

2005-03-14

数十年来，通过缩小晶体管的尺寸，设计人员在芯片中集成的晶体管数量一直在按照摩尔定律的速度增长，但是，现在芯片内一些结构的厚度已经只有几个原子的尺寸。 　　...目前，芯片中集成的晶体管数量达到了数亿，很快这一数字就将突破10亿，厂商必须解决复杂的制造问题。尽管研究人员已经研制出了单个的纳米管晶体管，但还远没有解决大规模生产的问题。 　　

2005-02-18

从总体发展看，传统硅技术将一直延续到2047年(即晶体管发明100周年)才趋于饱和(即达到芯片特征尺寸的极限)和衰退。

2005-02-06

　　在一个理想的情况下，每颗电脑芯片上的所有晶体管都应该是一样的。...因为事实上，晶体管就如同冬天的雪花--没有两个是完全相同的。到目前为止这种略微的差异尚没有产生较大的影响，但这一点很快将被推翻。

2005-02-03

“业界已经有为数众多的研究者开始了新型晶体管的研究，然而惠普的目标并不仅仅是新型的晶体管元件，他们要创造全新概念的个人电脑。”在2月1日的《应用物理》杂志上惠普的合作伙伴如是说。 　　...按照惠普的芯片概念，在未来的五到六年中，随着技术的发展，芯片生产技术将会长足的进步，因此现在90纳米的电路规格将会进一步减小，这些覆盖在硅片上的微型电路晶体管元件也许会被其他形式的晶体管代替。

2005-01-25

安森美在元件封装上做了很多努力，其dtc114系列数字晶体管采用超小的sot-723封装，从而重新建立了最小pcb占位面积和低高度的标准(其高度仅0.5mm)。 　　

2005-01-24

据复旦大学微电子研究院院长周电介绍，“中视一号”数字电视芯片集成了70多块存储器、200多万逻辑门、2000多万晶体管，复杂程度和技术含量极高。

2005-01-11

分析师指出，由于上广电集团已涉足薄膜晶体管液晶显示器(tft-lcd)产业，该产业对资金需求量极大，集团本身短期内又无合适的资本市场融资渠道，因此政府注资也在情理之中。 　　

2004-12-16

这标明近十年来通过晶体管的数量多少来提升计算机性能的时代的结束。这两家公司放弃了时钟频率之争后，将在2005年肉搏双内核处理器市场。 　　...芯片制造商不再通过增减晶体管的数量来提高计算机的性能，而表明人们信奉的摩尔定律也面临挑战。双内核和多内核的方式意味着传统的提升计算机性能的方式已经不值得再做了。

2004-12-03

在一个芯片的单位面积上不可能增加无穷尽的晶体管数量，因为晶体管的体积虽然越来越小，但不可能无限制地增加。而且晶体管的发热量会随着数量的增加而增高，最终导致计算机不稳定甚至崩溃。

2004-10-27

lin同时表示，目前各个第6代薄膜晶体管液晶显示器制造商的生产能力正在日渐增长。就设备制造商而言，明年全球将有5个公司加入第6代薄膜晶体管液晶显示器供应商阵营。...此外，台湾奇美电子公司还将生产第5.5代相似尺寸的薄膜晶体管液晶显示器。基于此，lin对于2005年32寸和37寸液晶电视面板销售量将有所增涨持乐观态度。 　　

2004-10-26

但是，从2000年开始，芯片设计人员虽然仍然部分依赖缩小晶体管尺寸提高性能，他们也开始采用其它技术。 　　...英特尔预计在2007年开始生产45纳米的微处理器，这些芯片和现在的芯片将不同，晶体管门将用金属制造，而不是硅，充当“门氧化物”的也将不是二氧化硅。

2004-10-14

soi技术在芯片的晶体管与硅基片之间增加了一个绝缘埋层。这个绝缘层能够降低硅基片与活性晶体管之间的电容，从而使生产出的芯片速度更快，并且消耗的功率也更低。

2004-10-08

amd公司的麦克格雷斯还介绍说，单内核opterons处理器有1.06亿个晶体管。而双内核opterons处理器有2.05亿个晶体管。每个内核都有自己的1mb高速缓存。

2004-09-29

提升处理器性能最主要的方法就是在芯片上配置更多的晶体管，同时提高芯片的运算速度。但是，处理器的速度越高，其消耗的电能就越多，产生的热量也越大。

2004-09-28

新工艺将基于两家半导体制造商在先进结构和材料方面的经验，如绝缘硅晶体管、铜互连和改进的低k介电绝缘。