来源：机械专家网2011-03-08

第三种是利用晶体管振荡式或专用脉宽调制电路来产生直流高压，一般电池式和市电式的绝缘电阻表采用的方法。(2)测量回路在前面讲的摇表(兆欧表)中测量回路和显示部分的合二为一的。

来源：互联网2011-03-04

用igbt(绝缘栅双极晶体管)代替 growian 的第一代可控硅，就可使用脉宽调制(pwm)来克服不良的谐波性能。该技术也使实际功率和无功功率的控制更为方便。

来源：赛迪网2011-02-14

后来，随着igbt(绝缘栅双极晶体管，insulated-gate bipolar transistor)技术的出现，这一状况得到了改变。igbt就是无变压器ups得以存在的核心技术。

来源：广州市爱浦电子科技有限公司2011-01-18

较典型的是高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfets)，其在同步整流器中取代了传统设计中使用的二极管，使压降由0.4v降到0.2v; 功率mosfet制造商正在开发导通电阻越来越小的器件，其导通电阻已由

来源：中投证券电力设备行业研究主管2010-11-30

我国变频器生产企业基本没有掌握核心技术，在高压变频器领域，基本上只掌握了低压变频的集成技术，核心器件比如igbt(绝缘栅极晶体管)、电容等关键器件仍然需要进口，控制技术方面，国内企业基本掌握了矢量控制，

来源：索比太阳能网2010-11-29

世纪80年代，功率场效应管、绝缘栅型晶体管、mos控制晶闸管等功率器件的诞生为逆变器向大容量方向发展奠定了基础。...第一阶段：20世纪50-60年代，晶闸管scr的诞生为正弦波逆变器的发展创造了条件；第二阶段：20世纪70年代，可关断晶闸管gto及双极型晶体管bjt的问世，使得逆变技术得到发展和应用； 第三阶段：20

来源：索比太阳能网2010-11-26

世纪80年代，功率场效应管、绝缘栅型晶体管、mos控制晶闸管等功率器件的诞生为逆变器向大容量方向发展奠定了基础。...第一阶段：20世纪50-60年代，晶闸管scr的诞生为正弦波逆变器的发展创造了条件；第二阶段：20世纪70年代，可关断晶闸管gto及双极型晶体管bjt的问世，使得逆变技术得到发展和应用； 第三阶段：20

2010-11-25

北京工业大学亢宝位教授作了题为“绝缘栅晶体管（igbt)在开关过程中的失效与器件设计”的报告。

来源：电气中国2010-11-16

我国变频器生产企业基本没有掌握核心技术，在高压变频器领域，基本上只掌握了低压变频的集成技术，核心器件比如igbt（绝缘栅极晶体管）、电容等关键器件仍然需要进口，控制技术方面，国内企业基本掌握了矢量控制，

来源：帮考网2010-09-09

数字电子技术基础部分　　　　1、逻辑代数基础　　　　2、逻辑门电路与组合逻辑电路　　　　4、触发器与时序逻辑电路　　　　5、脉冲信号产生与变换电路　　　　二、考查重点：　　　　（一）模拟电子技术基础部分　　　　1、掌握晶体管基本放大电路的静态与动态分析计算

来源：北极星电力论坛2010-09-01

华北电力调度局自动化处郭子明处长（职务核实）说，早在1970年代华北电力调度局就用晶体管计算机调度电力，从国产121机到176机，再到176双机，华北电力调度局全用过，到1978年已经基本实现了电网调度自动化

来源：机电商报网2010-09-01

据悉，在高压变频器中，约有一半的成本来自绝缘栅双极晶体管（igbt）等电力电子元器件。相比中低压变频器，这类产品的价格与质量对高压变频器而言要重要得多。

来源：技术在线2010-08-26

与sbd成对使用的晶体管仍是igbt(insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极晶体管)。三菱电机表示，“此次sic制sbd的作用是‘突击队长’。

2010-07-14

但是，由于当时我国走的是一条按部就班的由电子管、锗晶体管、硅晶体管、集成电路的路子，很快就被绕过电子管和晶体管、直接走向集成电路、实现跨越式发展的日本超过了。...此工作导致了电力部门161电子管计算机和167晶体管计算机两代计算机的研制和应用开发工作。

来源：中国传动网2010-07-02

包括高压变频器在内的变频器主电路一般为交-直-交拓扑结构，外部由电网输入工频电源经三相桥路不可控整流成直流电压信号，经过电容滤波及大功率晶体管开关元件逆变为频率可变的交流信号。

来源：互联网2010-06-10

该系列压力开关带有一个led显示器和两个阈值输出（pnp晶体管或电隔离）。可以输出模拟信号（4…20 ma）或数字信号（rs485 modbus）。

来源：互联网2010-06-08

如果是一台主动式pfc电源，那么它的在一次侧的散热片上，你可以看到开关管、pfc晶体管以及二极管。...☆功率mosfet晶体管，主要负责3.3v输出。这款电源的mosfet型号为php45n03lt，最大可允许45a的电流通过。

来源：互联网2010-06-02

新南威尔士大学量子计算技术中心和威斯康星大学麦迪逊分校通过使用一种特殊的显微镜操作原子创建了这种晶体管。...这种7个原子大小的晶体管的尺寸为四十亿分之一米并且嵌入在一个单个的硅晶体中，是朝着“量子计算”迈出的第一步。量子计算将使计算速度比现有的设备快100倍。

2010-05-27

５．按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管（ｉｇｂｔ）逆变器等。又可将其归纳为“半控型”逆变器和“全控制”逆变器两大类。...前者，不具备自关断能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为“半控型”普通晶闸管即属于这一类；后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为“全控型”，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管

来源：互联网2010-05-26

最近又有两个高端高质大项目落户高新区：一是友达光电,全球著名的薄膜晶体管液晶显示器设计、研发及制造公司，也是世界上第一个面板制造商在纽约证券交易所挂牌的公司，大尺寸tft-lcd面板的全球市场占有率达20%