来源：中国电力电子产业网2015-05-06

如果双向晶闸管被触发但没有导通(整个电流仍然流经机电继电器)，当电流开始流动时，硅衬底的电阻率很高，这会产生很高的峰值电压，在使用t2550-12g进行的试验中，这个峰值电压为11.6 v，如图3所示。

来源：OFweek 电子工程网2015-05-04

如果双向晶闸管被触发但没有导通(整个电流仍然流经机电继电器)，当电流开始流动时，硅衬底的电阻率很高，这会产生很高的峰值电压，在使用t2550-12g进行的试验中，这个峰值电压为11.6 v，如图3所示

来源：energytrend2015-03-26

资料显示，晶能光电主要从事于生产可广泛应用在通用照明、显示幕、lcd背光和工业领域的led芯片产品，是拥有硅衬底gan外延生长和芯片加工技术的世界级领跑者。...对于此次收购，顺风清洁能源表示，此次投资使得顺风清洁能源向打造全球低碳解决方案供应商迈出重要一步，晶能光电的硅衬底gan技术为全球独家拥有，与蓝宝石衬底技术led相比具有明显的成本优势；该公司目前拥有超过

来源：阳光工匠光伏网2015-03-24

晶能光电集团是拥有硅衬底gan外延生长和晶片加工技术的世界级领跑者，是全球第一家量产高功率、高性能的硅衬底led晶片公司。...晶能光电集团拥有颠覆性的六寸和八寸硅衬底led技术，已取得全球二百多项专利，垂直整合led产业链，并成功达致商业大量生产，为通用照明、智慧手机和汽车照明提供低成本、高效能的led照明产品。

来源：美通社2015-03-10

采用含碲导电浆料能让硅衬底形成更良好的电接触。...玻璃料是导电浆料的关键成分，用以粘合硅衬底和金属导体。通常使用的玻璃料是含铅硼硅酸盐玻璃。

来源：OFweek太阳能光伏网2014-03-11

2.hit异质结高效n型硅太阳能电池所谓hit结构就是在p型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜，以此改变pn结的性能。

来源：北极星电力网2013-12-04

ansys 15.0在电磁设计软件包中提供了更多用于高速和无线通信设计的新功能，其中包括： 面向硅衬底、封装和印刷电路板等多层结构的新一代phi 网格生成技术，将3d网格的创建速度提高30倍以上，从而完全满足板级电子设计工程师的仿真需求

来源：讯石光通讯咨询网2013-10-12

导线区的一个主要优点就是导线可以做在石英层上，而不是在硅衬底上。通常硅衬底导线由于硅表面本身具有微弱导电性，所以在传输高速电信号时会有很大的损耗和电容。而这个问题可以用石英层导线解决。

来源：汇能资讯2013-09-18

2cm2cm)、12%(10cm10cm)，gaas电池20.1%(lcmcm)，gaas/ge电池19.5%(am0)，culnse电池9%(lcm1cm)，多晶硅薄膜电池13.6%(lcm1cm，非活性硅衬底

来源：新世纪LED网2013-09-04

而硅衬底的散热能力是蓝宝石的三倍以上，这样可以把工作中产生的热传给硅衬底，控制芯片的体温。...顺势：硅衬底led产品成本低廉，综合优势突出相比蓝宝石衬底、碳化硅衬底技术，硅衬底led技术具有材料成本低、器件散热性好、结构简单等综合优势。

来源：中国电子报2013-05-09

p型硅衬底，由于n型硅有高的少数载流子寿命和对某些金属杂质的不敏感性，使n型硅电池有高的稳定性和效率。...既在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区，而在其它区域形成低掺杂浅扩散区)，降低内部和表面复合损失和接触电阻;6.采用背面金属点接触结构，以进一步降低背表面的复合损失，提高电池的长波长光谱响应;7.使用n型硅衬底代替

来源：CSIA-中国半导体行业协会2013-02-25

近年来，随着gan材料在光电器件领域的广泛应用，加速了gan材料的发展，特别是大直径硅衬底gan外延生长技术的进步以及逐步商业化，使得gan具有更低廉的成本价格，有力地促进了gan功率半导体器件的发展。

来源：发改委2013-02-18

led芯片技术从无到有，2010年led芯片国产化率达到60％；具有自主知识产权的硅衬底功率型led器件光效超过90流明/瓦(lm/w)，处于国际领先水平。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-10-26

赛昂的triex技术融合了n型晶体硅衬底、半导体氧化物层及薄膜钝化层这三种不同材料的最佳属性，在优化电池片和组件性能的同时降低了成本。

来源：工控网2012-10-11

同时，我国led产业的技术水平也有了明显的提升，特别是具有自主知识产权的南昌大学材料研究所采用硅衬底成功研制出的衬底转移蓝光led，创造性地发展了硅衬底led技术路线，改变了日美等国垄断led照明核心技术的局面

来源：北极星电力网2012-10-10

据悉，晶能光电(常州)有限公司专门从事硅衬底氮化镓基led外延材料与芯片生产的高科技企业，拥有200多个国际国内专利，是全球高功率、高性能硅衬底led芯片生产企业的领跑者。

来源：北极星太阳能光伏网2012-08-22

n型硅衬底的优点：n型硅（n-si）相对于p型硅来说，由于对金属杂质和许多非金属缺陷不敏感，或者说具有很好的忍耐性能，故其少数载流子具有较长而且稳定的扩散长度。...如何在n型硅衬底上实现pn结：硼扩散制结、非晶硅/晶硅异质结以及al扩散制结三种基本方法。硼扩散制结需要高温，高温是太阳能电池制备工艺最忌讳的！hit电池只有sanyo做得较好，没有推广。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-08-20

与传统工艺的前表面镀敷金属层相比，这种电池具有的优点是：栅电极遮光率小、电流密度高，埋栅电极深入硅衬底内部可增加对基区光生电子的收集，浓磷扩散降低浓磷区电阻功耗和栅指电极与衬底的接触电阻功耗，提高了电池的开路电压

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-08-17

图：mwt电池将发射极从正面卷绕至背面在mwt器件中，工艺的难点包括：激光打孔和划槽隔绝的对准及重复性、孔的大小及形状的控制、激光及硅衬底造成的损伤及孔内金属的填充等。

来源：OFweek太阳能光伏网2012-07-30

但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。