来源：福建省发改委2022-03-01

一期）618 宁德国泰华荣年产8万吨新材料项目619 福鼎市凯欣电池材料年产10万吨锂电池电解液项目620 中国太子参智慧产业园621 星网锐捷科技园基地三期建设项目622 福建省福联集成电路有限公司砷化镓一期增资扩产项目

来源：福建省发改委2022-03-01

一期）618 宁德国泰华荣年产8万吨新材料项目619 福鼎市凯欣电池材料年产10万吨锂电池电解液项目620 中国太子参智慧产业园621 星网锐捷科技园基地三期建设项目622 福建省福联集成电路有限公司砷化镓一期增资扩产项目

来源：北极星环保网2022-02-25

一期）618 宁德国泰华荣年产8万吨新材料项目619 福鼎市凯欣电池材料年产10万吨锂电池电解液项目620 中国太子参智慧产业园621 星网锐捷科技园基地三期建设项目622 福建省福联集成电路有限公司砷化镓一期增资扩产项目

来源：北极星储能网2022-02-23

支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化铟等化合物半导体器件和模块的研发制造。封测技术。大力发展晶圆级封装、系统级封装、凸块、倒装、硅通孔、面板级扇出型封装、三维封装、真空封装等先进封装技术。

来源：北极星太阳能光伏网2022-02-21

喀左县半导体新材料产业突破发展，以砷化镓晶体、磷化铟晶片为重点的产业集群初具规模。双塔区“文化兴区”战略加快推进，主业突出、特色鲜明的现代服务业发展格局逐步形成。...重点推进高登赛锂电池、一汽凌源重卡、国建慧投无机凝胶、中电国际全域光伏、通美晶体砷化镓晶片、威高医疗器械、嘉寓新能源示范基地等项目加快开工、加快投资、加快投产。聚焦产业引领，全力推进乡村振兴。

来源：北极星太阳能光伏网2022-02-10

壮大5g基础材料及元器件企业发展，支持省内半导体企业布局砷化镓、氮化镓、碳化硅等5g基础应用化合物半导体材料及器件生产线。

来源：河南人民政府2022-01-25

加快发展大尺寸单晶硅抛光片、电子级高纯硅材料、区熔硅单晶、碳化硅（sic）、氮化镓（gan）、砷化镓（gaas）等半导体材料产品，推进新型敏感材料、复合功能材料研发及产业化。

来源：《华电技术》2021-12-27

通过建立聚光砷化镓‒余热辅助胺法脱碳的能量转化模型，验证了聚光光伏余热在质和量上都具有直接辅助胺法脱碳的潜力。

来源：河北省人民政府2021-12-02

中试等成果转化服务平台，加强石墨烯在锂离子电池等新能源领域的技术攻关和应用研究，开展电磁、力学、射频、耐环境等方向新材料的研发及产业化，研发应用面向航空航天、汽车等领域的增材制造专用材料，加快碳化硅单晶及外延材料、砷化镓

来源：北极星固废网2021-11-25

中试等成果转化服务平台，加强石墨烯在锂离子电池等新能源领域的技术攻关和应用研究，开展电磁、力学、射频、耐环境等方向新材料的研发及产业化，研发应用面向航空航天、汽车等领域的增材制造专用材料，加快碳化硅单晶及外延材料、砷化镓

来源：北极星环保网2021-11-22

在芯片制造方面，加快布局第二、三代半导体晶片及外延衬底（砷化镓、氮化镓、碳化硅）、微机电系统（mems）、金属—氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）、绝缘栅双极型晶体管（igbt）等特色芯片生产线，

来源：北极星储能网2021-11-10

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造

来源：北极星环保网2021-09-06

建筑材料、食品医药等高端领域需求，重点发展功能材料产品如纳米级二氧化钛、碳纳米管（cnt），纳米锗化硅（sige），纳米砷化物（gaas），碳酸钙、氧化锌、氧化镁、氢氧化镁等纳米材料，磷化铟（inp）、砷化镓

来源：北极星环保网2021-08-04

半导体材料：大尺寸硅片、gaas（砷化镓）/inp（磷化铟）/gan（氮化镓）/sic（碳化硅）等化合物半导体衬底及外延、集成电路封装载板等。晶圆制造：高精度高稳定性模拟工艺技术、硅光工艺等。

来源：北极星电力网2021-07-08

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造

来源：北极星太阳能光伏网（整理）2021-07-08

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造

来源：北极星氢能网2021-07-08

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造

来源：福建省人民政府2021-07-08

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造

来源：北极星输配电网2021-07-07

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造

来源：北极星环保网2021-07-07

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造