来源：北极星太阳能光伏网2012-05-29

另外，许多著名pecvd厂商也在为如何提升自身的竞争力殚精竭虑，例如，著名管式pecvd厂商centrotherm就推出了centaurus技术，平板式pecvd厂商roth&rau也依据平板式镀膜的优势而推出了异质结结构

来源：日经电子2012-05-29

利用以sih4为原料的等离子cvd进行成膜时，等离子产生的高硅烷(hos簇)会进入膜中，引起光劣化。因此，日本产综研将等离子cvd反应器内用网状金属隔开，使等离子区远离基板。

来源：北极星太阳能光伏2012-05-25

在太阳能电池的一般生产工艺中，经过扩散制结，等离子刻蚀去周边和pecvd制减反膜，下一工艺主要是形成良好的电极接触，而这正是通过丝网印刷和烧结两道工艺共同完成的。...7.4丝网印刷设备的维护和保养7.5丝网印刷设备的发展方向全自动丝网印刷机、自动分检机和平板式pecvd等3种设备在近期内需完全依赖进口，但相应国产设备推出的日子已为期不远。

来源：北极星太阳能光伏网2012-05-24

表6.1pecvd的主要性能指标6.3.3pecvd设备的主要特点pecvd设备的主要特点(如表6.2)表6.2pecvd的主要特点表6.3pecvd设备的优点pecvd集成了真空、化学、物理、机械、电气

来源：中电电气2012-05-21

封装试验及讨论不同氮化硅膜厚电池的封装对比选族三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶s125-d165（对角线165mm）电池制作组件（板型：49=36片串联），在板式pecvd时，调节氮化硅膜后分布为

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-05-18

三、oltsolar晶体硅太阳能电池的pecvd新系统oltsolar展出了一款用于生产晶体硅太阳能电池的pecvd新系统。

来源：ne21.com2012-05-15

太阳能电池就是以tco薄膜为衬底生长的，用等离子体增强化学气相沉积法（pecvd）生长的太阳能电池层也称为有效层。有效层包括两个pin串联的双结结构。...其中pin膜的沉积是利用pecvd技术在非硅衬底上制备晶粒较小的多晶硅薄膜的一种方法。该薄膜是一种p-i-n结构，主要特点是在p层和n层之间有一层较厚的多晶硅的本征层（i层）。

来源：环球企业家网站2012-05-14

一个例子是，保利协鑫今年涉足led产业后，在购买mocvd机环节，具体选择哪家设备商的机器的决策就是由朱共山做出，而不是协鑫光电的专业团队。大家都知道，很多事情必须朱老板点头才能定。

来源：OFweek太阳能光伏网2012-05-11

美国商务部(doc)宣布，针对我国光伏电池进口的反补贴关税(cvd)调查和反倾销关税(ad)调查两项最终判决将同时做出。两项判决最迟不会晚于2012年7月30日做出。...ad的初步裁决将于5月16日做出，而cvd的初步判决已于3月给出。商务部宣称，我国光伏组件生产商不恰当地接受了政府的补贴。据中国业者委外成本推算台湾业者的接单量在五月之后会继续提升。

来源：北极星太阳能光伏网2012-05-07

使用pecvd法在更低的温度下进行表面氧化，近年来也被使用，具有一定的效果。...在多晶硅太阳电池表面采用pecvd法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。

来源：中国能源报2012-05-04

在生产装备方面，晶体硅电池用的高档设备仍需进口，如高纯多晶硅生产的氢化炉、四氯化硅闭环回收装置、大尺寸(如450kg以上)铸锭炉、多线切割机、pecvd镀膜设备、自动丝网印刷机、全自动电池焊接机等。

来源：电子工程世界2012-05-04

然后采用等离子体化学气相沉积法(pecvd)沉积非晶硅层，以形成叠层太阳电池结构，这是整个制造过程中最关键的工艺步骤。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-05-04

表面有有机油污污染或清洗液残留等造成的硅片表面沾污，在制绒过程中，会出现异常图7硅片表面因为有油污等存在，制绒后未能长出金字塔结构的绒面图8由于原始硅片手指印和有误的存在，在制绒过程中无法去除，在pecvd

来源：中国能源报2012-05-03

在生产装备方面，晶体硅电池用的高档设备仍需进口，如高纯多晶硅生产的氢化炉、四氯化硅闭环回收装置、大尺寸(如450kg以上)铸锭炉、多线切割机、pecvd镀膜设备、自动丝网印刷机、全自动电池焊接机等。

来源：环球光伏网2012-05-02

ad的初步裁决将于5月16日做出，而cvd的初步判决已于3月给出。商务部宣称，我国光伏组件生产商不恰当地接受了政府的补贴。...近日，美国商务部(doc)宣布，针对我国光伏电池进口的反补贴关税(cvd)调查和反倾销关税(ad)调查两项最终判决将同时做出。两项判决最迟不会晚于2012年7月30日做出。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-04-27

目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（pecvd）沉积本征及掺杂的a-si:h膜，同时热丝化学气相沉积法（hwcvd）制备a-si:h法也被认为很有前景。...hwcvd的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接接触，这样会导致高缺陷，这样界面面积和缺陷态密度的增大会导致高的暗电流，继而开路电压也会减低。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-04-25

1引言等离子增强气相沉积(pecvd)制备氢化非晶氮化硅(sinx：h)已经成为工业太阳电池的标准工艺中一道工序。...2实验156156cm、电阻率0.5-3p型多晶硅片经历制绒、扩散和去磷硅玻璃后，centrotherm管式pecvd(40khz)制备sinx：h薄膜，采用sentech的se400测试监控氮化硅在633nm

来源：电子工程世界2012-04-23

用化学气相沉积法(cvd)在这种衬底上沉积一层外延有源硅薄层。产业竞争力外延薄膜硅太阳能电池的生产工艺与传统的体硅太阳能电池非常相似。

来源：北极星太阳能光伏网2012-04-23

烧结就是把印刷到硅片上的电极在高温下烧结成电池片,最终使电极和硅片本身形成欧姆接触,从而提高电池片的开路电压和填充因子2个关键因素参数,使电极的接触具有电阻特性,达到生产高转效率电池片的目的.烧结过程中有利于pecvd

来源：北极星太阳能光伏网2012-04-19

对一般尺寸的cvd反应容器（直径430mm内）来说，在流速不高（约10cm/s）时，气体将处于黏滞流的层流状态。...这点与用lpcvd所形成的氮化硅膜是有差异的。随着工艺气体总流量的增加，吸光系数也缓慢增加，hf酸腐蚀的速度也缓慢提高，可见致密性在变差。