来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-05-04

表面有有机油污污染或清洗液残留等造成的硅片表面沾污，在制绒过程中，会出现异常图7硅片表面因为有油污等存在，制绒后未能长出金字塔结构的绒面图8由于原始硅片手指印和有误的存在，在制绒过程中无法去除，在pecvd

来源：中国能源报2012-05-03

在生产装备方面，晶体硅电池用的高档设备仍需进口，如高纯多晶硅生产的氢化炉、四氯化硅闭环回收装置、大尺寸(如450kg以上)铸锭炉、多线切割机、pecvd镀膜设备、自动丝网印刷机、全自动电池焊接机等。

来源：环球光伏网2012-05-02

ad的初步裁决将于5月16日做出，而cvd的初步判决已于3月给出。商务部宣称，我国光伏组件生产商不恰当地接受了政府的补贴。...近日，美国商务部(doc)宣布，针对我国光伏电池进口的反补贴关税(cvd)调查和反倾销关税(ad)调查两项最终判决将同时做出。两项判决最迟不会晚于2012年7月30日做出。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-04-27

目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（pecvd）沉积本征及掺杂的a-si:h膜，同时热丝化学气相沉积法（hwcvd）制备a-si:h法也被认为很有前景。...hwcvd的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接接触，这样会导致高缺陷，这样界面面积和缺陷态密度的增大会导致高的暗电流，继而开路电压也会减低。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-04-25

1引言等离子增强气相沉积(pecvd)制备氢化非晶氮化硅(sinx：h)已经成为工业太阳电池的标准工艺中一道工序。...2实验156156cm、电阻率0.5-3p型多晶硅片经历制绒、扩散和去磷硅玻璃后，centrotherm管式pecvd(40khz)制备sinx：h薄膜，采用sentech的se400测试监控氮化硅在633nm

来源：电子工程世界2012-04-23

用化学气相沉积法(cvd)在这种衬底上沉积一层外延有源硅薄层。产业竞争力外延薄膜硅太阳能电池的生产工艺与传统的体硅太阳能电池非常相似。

来源：北极星太阳能光伏网2012-04-23

烧结就是把印刷到硅片上的电极在高温下烧结成电池片,最终使电极和硅片本身形成欧姆接触,从而提高电池片的开路电压和填充因子2个关键因素参数,使电极的接触具有电阻特性,达到生产高转效率电池片的目的.烧结过程中有利于pecvd

来源：北极星太阳能光伏网2012-04-19

对一般尺寸的cvd反应容器（直径430mm内）来说，在流速不高（约10cm/s）时，气体将处于黏滞流的层流状态。...这点与用lpcvd所形成的氮化硅膜是有差异的。随着工艺气体总流量的增加，吸光系数也缓慢增加，hf酸腐蚀的速度也缓慢提高，可见致密性在变差。

来源：投资者报2012-04-16

与此同时，公司还布局石墨热场、蓝宝石炉、mocvd炉、切线机等产品。但目前起色都不大，而且增多需要先进的技术，短期内难为公司贡献业绩。

来源：solarF2012-04-13

cvd还原反应(将高纯度tcs还原为高纯度多晶硅)是改良西门子法多晶硅生产工艺中能耗最高和最关键的一个环节，cvd工艺的改良是多晶硅生产成本下降的一项重要驱动力。...另一方面，改良西门子法在二次创新(提高cvd产能、优化cvd单位功耗、改进stc氢化工艺等)后，无论是还原电耗还是综合电耗都有显著降低，考虑到目前改良西门子法的单位建设成本已经很低(保利协鑫约30美元/

来源：PV-Tech2012-04-10

参加这一项目的机构包括：洛桑联邦理工学院(epfl)捷克科学院物理研究所(fyziklnstavavr,v.v.i)斯洛文尼亚卢布尔雅那大学(univerzavljubljani)英国公司cvdtechnologies

来源：PV-Tech2012-04-10

参加这一项目的机构包括：洛桑联邦理工学院(epfl)捷克科学院物理研究所(fyziklnstavavr,v.v.i)斯洛文尼亚卢布尔雅那大学(univerzavljubljani)英国公司cvdtechnologies

来源：光伏制造2012-04-09

二pecvd技术的分类用来制备sinx膜的方法有很多种，包括：化学气相沉积法（cvd法）、等离子增强化学气相沉积（pecvd法）、低压化学气相沉积法（lpcvd法）。在目前产业上常用的是pecvd法。

来源：北极星太阳能光伏网2012-03-31

薄膜是要进行cvd沉积的，目前从工艺效率和环保的角度来说，最佳的原料气体应该是硅烷气。...主要硅提纯工艺分别介绍1 改良西门子法闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢(或外购氯化氢)，氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行cvd

来源：北极星太阳能光伏网2012-03-27

国内外多晶硅生产的主要工艺技术1、改良西门子法闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢，氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行cvd

来源：仪表网2012-03-27

在电池片制备中，国产的pecvd还没有成为新建和扩产项目的首选，这说明它与国外先进的pecvd设备还有一些差距，最为薄弱的是国内在组件制备中的自动化生产线尚属空白，希望有实力的设备生产企业尽快涉足，以解国内燃眉之急

来源：北极星太阳能光伏网2012-03-19

si500d等离子沉积系统是icp-pecvd设备，用于在基片上沉积 siox, sioxny或 siny薄膜。沉积薄膜的厚度、折射率、应力可以简单的、连续的调节。...sentech icp-pecvd设备的安装，由德国原厂技术支持工程师和东方集成工程师共同完成，由sentech和东方集成共同承担售后保修，具有标志性的历史意义。

来源：北极星太阳能光伏网2012-03-15

我们研制的led外延片核心设备mocvd，目前已交付台湾用户试用，今年将实现批量化生产，彻底打破该设备受美国和德国企业绝对垄断的行业竞争格局。

来源：九江新闻网2012-03-15

超日公司于2010年在深交所上市，超日电池片生产工艺以及太阳能电池组件上已取得了多项技术突破，尤其是清洗工艺中的表面织构化技术、扩散工艺中的均匀发射极制备技术、等离子体边缘刻蚀最优化技术处于国内领先水平;pecvd

来源：solarzoom2012-03-14

中科院半导体所许颖等也用rf-pecvd在p型衬底上制备出了n型nc-si发射极。除pecvd法以外，中科院研究生院的张群芳等还用hwcvd法制备c-si发射极。