来源：环球企业家2012-05-11

高瑞彬介绍，在半导体行业，30年间单个晶体管成本降低了2千万倍。光伏行业中，4年时间太阳能电池每瓦成本降低了5倍。以半导体发展趋势来看光伏，成本下降空间还很大。

来源：环球企业家2012-05-10

高瑞彬介绍，在半导体行业，30年间单个晶体管成本降低了2千万倍。光伏行业中，4年时间太阳能电池每瓦成本降低了5倍。以半导体发展趋势来看光伏，成本下降空间还很大。

来源：《Photovoltaics International》2012-05-09

在对硅基mosfet等新材料的要求方面，sic技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得mosfet(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管(insulated-gatebipolartransistor

来源：麻省理工科技创业2012-04-25

理解为什么这种材料性能如此好，有助于科学家利用它的本质属性，设计新材料，进行一系列广泛的应用，用于显示器，固态照明，晶体管，也可改进太阳能电池，他说。

来源：北极星太阳能光伏网2012-04-18

与传统的非晶矽tft-lcd技术相比，夏普的技术能够缩小晶体管尺寸，使移动装置更轻薄，耗电量也降至三分之二。因此，苹果在过去几年与鸿海合作，不断派人驻厂夏普。

来源：solarF阳光网2012-04-13

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管在光伏逆变器中的应用降低了晶体管和二极管整流和传输的损耗。单晶硅和多晶硅技术正在逐步被超薄膜硅和带状硅技术所取代，非晶硅和碲化镉薄膜电池也正在被铜铟镓硒技术所取代。

来源：环球光伏网2012-04-13

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管在太阳能光伏逆变器中的应用降低了晶体管和二极管整流和传输的损耗。

来源：IT专家网2012-03-27

据估算，当今数据中心消耗了全球约 1.5% 的电能i,年度成本高达 260 亿美元ii.从单个晶体管层面到处理器、服务器平台、数据中心和电网，英特尔提供了一整套技术来应对这一能源挑战。

来源：LED环球在线2012-02-27

这款控制器灵活多用，透过驱动外接的场效晶体管(fet)，可构成降压、升压及升降压的驱动器电路。在升压模式下，它可以准确地驱动多达二十个高电流led 。

来源：工信部网站2012-02-24

7、新型显示器件液晶显示器件方面，重点提升薄膜晶体管(tft)性能，提高载流子迁移率和液晶面板的透过率，降低生产成本。...高世代薄膜晶体管液晶显示屏(tft-lcd)和等离子显示屏(pdp)面板规模化生产技术取得重大进展，填补了国产平板电视面板空白。

来源：大比特电子变压器网2012-02-24

逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(bjt)，功率场效应管(mos-fet)，绝缘栅晶体管(igbt)和可关断晶闸管(gto)等，在小容量低压系统中使用较多的器件为

来源：北极星太阳能光伏网2012-02-22

（bjt），功率场效应管（mos－fet），绝缘栅晶体管（igbt）和可关断晶闸管（gto）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为mosfet，在大容量系统中一般均采用igbt模块，而在高压特大容量（1000kva

来源：电源在线网2012-02-21

该控制器灵活多用，通过驱动外接的场效应晶体管 (fet)，可构成降压、升压及升降压的驱动器电路。在升压模式下，它可以准确地驱动多达二十个高电流的led。

来源：国际新能源网2012-02-14

氧化铪是一种电绝缘体，能被用于制造光学涂层、电容器以及晶体管等。

来源：北极星太阳能光伏网2012-02-13

氧化铪是一种电绝缘体，能被用于制造光学涂层、电容器以及晶体管等。

来源：C114中国通信网2012-02-09

被认为在晶体管方面具有广泛的应用前景，这种特性对于制造需要快速转换信号的晶体管非常重要，也可以大幅提高计算机的速度。

来源：电子工程世界2012-02-08

假设每年的晶体管出货量是20亿颗，而上一代晶体管被当今的先进晶体管所取代，电源设备每年将节省电能4-5万亿瓦时，这个数字相当于两座500mw（兆瓦）核电站的年发电量。采用智能系统更为重要。

来源：自动化网2012-02-08

国产微机保护已取代晶体管、集成电路等保护，占据了主导地位。...杨奇逊认为，微机保护是靠软件实现保护功能，较之传统的晶体管、集成电路型保护，具有自检功能强、保护功能集成度高、动作特性稳定、可靠性高、维护量小等显著优点，代表了继电保护技术的发展方向。

来源：电子工程世界2012-02-04

3.新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：电子工程世界2012-01-29

2.3新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器