来源：古瑞瓦特2019-12-03

1500v的功率模块，普通采用含1200v和950v igbt芯片。

来源：北极星输配电网2019-10-18

联研院于2010年开始研究功率半导体器件，拥有100多人的技术团队和先进的功率器件中试线，是国内少数掌握高压igbt芯片设计技术的单位之一。...（7）关于技术评估范围内1200v、1700vigbt芯片升级版本，联研院根据合资公司规划产品路线图，给出产品研发计划表，满足合资公司的市场需求。

来源：电池联盟2019-10-08

因此，车企不仅要做电池，还要做电机、电控，自己生产igbt芯片，自己做智能网联模块，自己做大数据和云端系统。

来源：国家科学技术奖励工作办公室2019-03-27

芯片关键技术的研究，突破igbt芯片参数均匀性的提升，并主持igbt芯片制造工艺研究与开发。...芯片及其封装基础理论研究，提出了igbt动静态解析模型，完成高压igbt芯片导通损耗、开关损耗建模及设计仿真，为高压igbt芯片设计特别是导通损耗与关断损耗的优化提供解决方案。

来源：氢云链2019-02-22

“深圳市绿色低碳产业2019年第一批扶持计划”，指出要重点发展纯电动汽车、混合动力汽车、燃料电池等新能源整车以电池、电控、电机、充电设备、直流变换器等关键零部件材料、制造和装备；重点支持电动车用大功率igbt...芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。

来源：中国能源报2019-02-13

电控中作为能源转换与传输的核心零部件igbt芯片和模块目前主要依赖进口，高端市场被英飞凌、三菱等外国企业占据，比亚迪、中车时代电气等企业虽然分享了igbt剩余市场，但仍与外资品牌存在较大技术差距。

来源：北极星输配电网2019-01-22

重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。（二）先进核能核电站及其配套技术及设备。

来源：北极星电力网2019-01-21

重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。（二）先进核能核电站及其配套技术及设备。

来源：深圳市发改委2019-01-21

重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。（二）先进核能核电站及其配套技术及设备。

来源：北极星储能网2019-01-21

重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。（二）先进核能核电站及其配套技术及设备。

来源：深圳发改委2019-01-21

重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。（二）先进核能核电站及其配套技术及设备。

来源：前瞻研究院2019-01-02

igbt芯片技术打破了车用电池与igbt芯片的国外技术垄断，让中国新能源汽车行业在快马加鞭中，与欧洲、日本的企业站在了同一起跑线上。...9、技术：比亚迪推出新一代电动车芯片技术电动车核心技术告别“卡脖子”时代12月10日，比亚迪新一代自主研发igbt芯片技术——“igbt4.0”于12月10日举行的“igbt电动中国芯——比亚迪核心技术解析会

来源：科华恒盛2018-10-17

行业应用中芯天津8寸晶圆生产线国内首条8寸igbt芯片生产线——株洲南车12寸高阶cis芯片生产线——德淮半导体中国首个相变存储器生产基地——江苏时代芯存12寸pcm芯片生产线中国第一家12寸硅晶圆片厂

来源：中国产业信息网2018-07-18

中国南车也因此成为国内唯一一家全面掌握igbt芯片技术研发、模块封装测试和系统应用的企业。作为城市轨道交通牵引主流器件，轨道交通用3000伏电压等级igbt芯片应用前景广泛。

来源：北极星风力发电网2018-07-16

支持绝缘栅双极型晶体管（igbt）芯片、集成电力电子控制器（pcu）、永磁驱动电机、交流感应电机、车用dc/dc控制系统、驱动系统总成等核心部件开发和产业化。

来源：河北发改委2018-07-16

支持绝缘栅双极型晶体管（igbt）芯片、集成电力电子控制器（pcu）、永磁驱动电机、交流感应电机、车用dc/dc控制系统、驱动系统总成等核心部件开发和产业化。

来源：河北省发改委2018-07-16

支持绝缘栅双极型晶体管（igbt）芯片、集成电力电子控制器（pcu）、永磁驱动电机、交流感应电机、车用dc/dc控制系统、驱动系统总成等核心部件开发和产业化。

来源：北极星输配电网2018-07-16

支持绝缘栅双极型晶体管（igbt）芯片、集成电力电子控制器（pcu）、永磁驱动电机、交流感应电机、车用dc/dc控制系统、驱动系统总成等核心部件开发和产业化。

来源：北极星储能网2018-07-16

支持绝缘栅双极型晶体管（igbt）芯片、集成电力电子控制器（pcu）、永磁驱动电机、交流感应电机、车用dc/dc控制系统、驱动系统总成等核心部件开发和产业化。

来源：国家电网公司2018-05-31

本项目共历时3年，联研院通过方案制定，试验设计，工艺加工，样品试制和测试评估，全面掌握了高压igbt芯片表面的钝化工艺，完成了整个钝化工艺的研究与开发。...5月24日，国家电网公司科技部在北京组织召开了国家电网公司科技项目高压igbt芯片表面钝化工艺研究项目验收会。国家电网公司科技部、验收专家、项目研究团队等20余人参加了会议。