来源：国家电网报2023-07-27

该站在国内首次应用了两套兆瓦级绝缘栅双极型晶体管（igbt）变充一体化电源设备，可动态合理分配全站18个充电桩用电容量，极大地提高了充电效率。

来源：国家电网报2023-07-24

雄安新区能源互联网标准化试点工作通过验收，推动标准化与科技创新融合发展；南瑞集团有限公司自主研发的4500伏/3000安绝缘栅双极型晶体管高压大功率电力电子器件挂网运行，实现国产化设备工程应用；涵盖10

来源：深圳市光明区发展和改革局2023-07-14

本措施重点支持：锂离子电池、钠离子电池、半固态/固态电池等先进电化学储能技术路线的新型材料、元器件（绝缘栅双极型晶体管igbt、金氧半场效晶体管mosfet、数字信号处理dsp等芯片）、工艺装备、电芯模组

来源：南宁市工信局2023-07-13

推动新型储能与新一代信息技术深度融合，重点发展储能变流器、电池管理系统和能量管理系统关键部件，引进储能控制芯片重大项目，发展绝缘栅双极型晶体管功率器件及模块，推动碳化硅、氮化镓外延材料加工项目落地，提升电力电子器件

来源：三峡小微2023-07-04

为了保障电网安全稳定运行，纳日松项目大规模使用万安培级igbt（绝缘栅双极型晶体管）电源代替传统的晶闸管。

来源：中国三峡能源2023-06-30

为了保障电网安全稳定运行，纳日松项目大规模使用万安培级igbt（绝缘栅双极型晶体管）电源代替传统的晶闸管。

来源：北极星碳管家网2023-03-21

加快建设储能控制芯片重大制造项目，大力发展新型储能用高性能、低损耗、高可靠的绝缘栅双极型晶体管功率器件及模块，推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体功率器件产业化推广及应用。

来源：广东省人民政府2023-03-20

加快建设储能控制芯片重大制造项目，大力发展新型储能用高性能、低损耗、高可靠的绝缘栅双极型晶体管功率器件及模块，推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体功率器件产业化推广及应用。

来源：广东省人民政府2023-03-20

加快建设储能控制芯片重大制造项目，大力发展新型储能用高性能、低损耗、高可靠的绝缘栅双极型晶体管功率器件及模块，推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体功率器件产业化推广及应用。

来源：广东省人民政府2023-03-20

加快建设储能控制芯片重大制造项目，大力发展新型储能用高性能、低损耗、高可靠的绝缘栅双极型晶体管功率器件及模块，推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体功率器件产业化推广及应用。

来源：国家电网报2023-03-20

设备性能与制造水平占据了国际制高点——自主研制了世界上首批最高电压等级的直流断路器，攻克了“大功率直流电流开断”这一世界性难题；研制了世界上最大换流容量的柔直换流阀，可靠性达到国际领先水平；研制了世界上最高功率的绝缘栅双极型晶体管

来源：江苏省人民政府2023-02-27

16日，江苏省政府办公厅印发关于推动战略性新兴产业融合集群发展实施方案的通知，通知指出，加快n型隧穿氧化层钝化接触（topcon）、异质结（hjt）、钙钛矿电池及高效薄膜电池的研发和产业化，突破主轴承、绝缘栅双极型晶体管

来源：江苏省人民政府2023-02-24

加快n型隧穿氧化层钝化接触（topcon）、异质结（hjt）、钙钛矿电池及高效薄膜电池的研发和产业化，突破主轴承、绝缘栅双极型晶体管（igbt）、控制系统、高压直流海底电缆等核心技术和部件，推进海上风电机组规模化应用

来源：江苏省人民政府2023-02-24

，江苏省人民政府办公厅印发关于推动战略性新兴产业融合集群发展实施方案的通知，通知指出，加快n型隧穿氧化层钝化接触（topcon）、异质结（hjt）、钙钛矿电池及高效薄膜电池的研发和产业化，突破主轴承、绝缘栅双极型晶体管

来源：江苏省人民政府2023-02-24

加快n型隧穿氧化层钝化接触（topcon）、异质结（hjt）、钙钛矿电池及高效薄膜电池的研发和产业化，突破主轴承、绝缘栅双极型晶体管（igbt）、控制系统、高压直流海底电缆等核心技术和部件，推进海上风电机组规模化应用

来源：国家电网报2023-02-14

多项自主化攻关技术应用，助力示范工程安全稳定运行除了在能量路由器技术和设计建造上开展创新，国网智研院还在随州广水科技示范工程建设中围绕数字化绝缘栅双极型晶体管（igbt）驱动芯片技术、自主化直流电压互感器技术

来源：深圳市人民政府2023-02-10

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2023-02-10

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2023-02-10

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-22

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。