来源：北极星风力发电网2018-11-19

推动面向先进工艺的刻蚀机、离子注入机等关键设备研发和产业化，积极引进国际顶尖半导体设备制造企业。（责任单位：市经贸信息委、发展改革委、科技创新委）3．进一步增强产业配套能力。

来源：北京纳米能源与系统研究所2018-06-14

如在钛基材料的表面通过离子注入的方式引入银、锌等纳米颗粒，可由于在银、锌纳米颗粒的周围与钛基底发生微观的电化学反应而使得钛基底获得抗菌性能。

来源：摩尔光伏2018-05-28

目前选择性发射极的主要实现工艺有氧化物掩膜法、丝网印刷硅墨水法、离子注入法和激光掺杂法等，其中激光psg掺杂法由于其工艺过程简单，从图1可以看出从太阳电池常规产线升级成激光掺杂选择性发射极太阳电池生产线

来源：科华恒盛2018-05-14

以电脑处理器（cpu）为例，从沙子到芯片，需要经过提纯硅、切割成硅圆片、研磨硅圆片、涂抹光刻胶、蚀刻、离子注入、构建晶体管之间连接电路等5000道复杂工序，对生产设备、环境有严苛的要求。

来源：PV兔子2018-02-27

首先使用热生长在硅片两面得到2.2nm氧化层，lpcvd沉积本征多晶硅使用硼离子注入将背面的多晶硅掺杂为p型背面使用光刻技术开孔，留光刻胶作为阻隔层，两面离子注入进行磷掺杂，背面得到交错的p和n掺杂区域高温退火

来源：北极星电力网2017-12-27

重点研发12英寸及以上集成电路芯片用低能大束流离子注入机、化学机械抛光设备、激光消融设备、新一代电力电子器件制造用碳化硅高温离子注入机、高温金属有机化合物化学气相沉淀设备、八代以上面板用平板显示光刻机、

来源：北极星输配电网2017-12-27

重点研发12英寸及以上集成电路芯片用低能大束流离子注入机、化学机械抛光设备、激光消融设备、新一代电力电子器件制造用碳化硅高温离子注入机、高温金属有机化合物化学气相沉淀设备、八代以上面板用平板显示光刻机、

来源：合肥经信委2017-11-30

重点引进全自动大面积等离子增强化学气相沉积（pecvd）、多槽制绒清洗设备、激光刻蚀机、干法刻蚀机、离子注入机、高精度丝网印刷机等晶硅电池片生产线设备，大面积tco导电玻璃镀膜设备、用于背电极制备的多靶位磁控溅射系统

来源：摩尔光伏2017-10-23

离子注入是一种能够单面掺杂且均匀性很好的半导体制造工艺，通过调节注入参数和配套的退火工艺可以达到所需要设计的结形及结深，而且可以省去去磷/硼硅玻璃(p/bsg)步骤，简化了制造工艺。...图6 硼扩散方阻均匀性示意图（左至右分别为均匀性差、中、好）背面n+的形成可以有热扩散的形式也可以用离子注入的形式。若是使用热扩散的方式，则工艺过程中要用到掩膜工艺，增加了工艺的成本及复杂性。

来源：PV兔子2017-10-20

毕竟绝大部分的晶硅电池不就是扩散就是离子注入，被掺杂的材料都是晶体硅，当然是同质结。这就跟说普通人是非基因改造人类差不多。当然这里主要是为了跟hit区分开来，所以强调同质。

来源：摩尔光伏2017-10-18

背面全背场扩散可以通过不同的工艺方式实现，主要包括管式扩散，外延生长法，离子注入法等。...另外，使用离子注入技术可获得均匀性好、结深精确可控的p区和n区，具有很好的发展前景，但成本较高，尚未产业化。

来源：能见2017-10-18

比如说原来现在大部分用的是叫所谓铝贝厂，这个就变成了perc，如果把perc变成空型，变成离子注入，再变成正面扩散，相当于基本的扩散基本结构不太变化，这就变成了n型的perc，你把它用成三氧化铝，再用点多晶硅...从设备和技术工艺上没有太大变化，但是比常规电池多了两道工序，n型电池实际上也是七道工序，但是多了两个问题，一个多了扩硼，现在它的成本高于perc很多，因为扩硼工艺虽然说已经解决了，但实际上扩硼的难度非常大的，第一离子注入硼是很难的

来源：能见2017-10-17

离子注入在p型电池中的应用。...我们现在是离子注入机的领跑者，是第一家能把它运用到光伏领域，帮助光伏生产企业降低设备成本，实现产业化，达到平价上网的最终目标。

来源：能见2017-10-17

刘正新：ibc的话，离子注入的话，要很多氧膜，这个成本你们是否算过?杨智：ipc的做下来不比我们的cop。...实际上我们中来自己的规划，我们大概有三种，第一个n-pert，但是这块我们也因为是一个离子注入技术。下一步我们想做ibc，目前这些我们都做了一些布局。下面为大家详细介绍。

来源：中时电子报2017-09-05

半导体产业中常用的离子注入技术，虽均匀性较佳、结深精确可控但成本高昂，如何达到量产化，是目前最具挑战的关键议题。...并随着雷射、离子注入等技术的量产化，hjt太阳能电池将可望在2026年超过10%市场占有率，ibc背部接触式达12%。而传统的p型电池市占率将逐年降低。

来源：南墅石墨2017-06-12

第二是离子注入技术，它形成的pn结非常均匀。

来源：中国电力报2017-04-20

目前，国内外有关硼离子掺杂的方法主要有减压扩散法、离子注入法等。运用减压扩散法时，硼和氧气形成三氧化二硼，沸点可以达到1600摄氏度以上。...王文静表示，运用离子注入法掺杂硼效果同样不理想硼原子比硅原子轻，注入到晶体硅后不宜将注入区打成非晶态，硅片损伤比较少，需在后续过程中以非常高的温度或很长的时间才能形成很好的结晶，消除缺陷。

来源：北极星太阳能光伏网2017-04-14

ibc结构图泰州中来光电科技有限公司自2016年成立以来，始终以创新为主，立足于技术的不断进步，创新将离子注入技术应用于n型太阳能电池生产中，实现了正面大于21.0%、背面大于19.0%的高效率n型单晶双面太阳能电池

来源：北极星太阳能光伏网2017-04-13

该公司创新性地将离子注入技术应用于n型太阳能电池生产中，产品实现了正面大于21.0%、背面大于19.0%的高转化效率。

来源：中国化工报2017-03-27

据京润环保董事长肖东介绍，该技术针对气化灰水系统结垢污堵严重现象，将电化学处理技术和hpin氢离子注入技术两种专利技术组合应用于灰水处理工艺中。她还介绍，该技术在思路、技术和工艺三方面都有创新。