来源：互联网2015-08-31

这些器件(q3和q4)可提供更低的栅极损耗，从而允许更高频率的运行。其它寄生损耗(如coss)也更低。此外，不存在本征体二极管，所以反向恢复损耗最小。

来源：电工学习网2015-08-13

上面说过这时我们不能直接快速关断 igbt，我们可以降低栅极电压来减小集电极的电流以延长保护时间的耐量和减小集电极的di/dt.如果不采取降低栅极电压来减小集电极的电流这个措施的话一般2v以下饱和压降的

来源：电工学习网2015-08-12

对上图电路简单分析：当控制信号en_vddx为高电平时，q2饱和导通，q1栅极拉低，q1迅速导通，电源vdd输出到相应通道的vdd_out并供给待烧录目标板。...当q2集电极变低时，c1通过r4放电，q1栅极电压随之缓慢下降，从而控制q1缓慢导通，使vdd_outx不会发生突变。用示波器zds2022观察vdd_outx上电过程中vdd的变化，得到如下波形。

来源：电子产品世界2015-08-04

变压器次级电路和初级电路的隔离应用几个次级绕组以取得相位关系;隔离电源部分的直流成分;在晶体管脉冲振荡器中使集电极和基极间得到强藕合;采用若干个次级绕组，以便得到几个不同幅值的脉冲，使电子管的板极回路和栅极回路

来源：EET2015-07-27

自1957年第一个晶闸管问世以来，大功率的模拟电力电子器件已经走过了近50年的发展历程，可关断晶闸管(gto)、电力晶体管(gtr)、mos可控晶闸管(mct)、电力mosfet以及绝缘栅极双极晶体管(

来源：《电气技术》2015-07-23

举例而言，液态水附着于功率器件散热板之上，会导致igbt的栅极和漏极之间形成通路，并严重破坏igbt的栅极，导致igbt失去正常功能;再比如液态水附着于电路板之上，会导致相应端子出现短路现象，进而造成脉冲混乱

来源：电源网2015-07-20

上面说过这时我们不能直接快速关断igbt，我们可以降低栅极电压来减小集电极的电流以延长保护时间的耐量和减小集电极的di/dt。...当c1充电到zd2的击穿电压时zd2被击穿，c1停止充电，降栅压的过程也结束，栅极电压被钳位在一个固定的电平上。q3的集电极电流也被降低到一个固定的水平上。

来源：北极星电力网2015-07-08

在可靠耐用的封装中集成igbt、栅极驱动器、散热器、传感器、数控电子元件以及数字总线通信功能，这使得mipaq pro具备了物联网特性，帮助用户完成大数据分析。

来源：北极星电力网2015-07-03

mipaq pro是完全检验并经过充分测试的ipm，在可靠耐用的封装中集成了igbt、栅极驱动器、散热器、传感器、数字控制以及数据总线通信功能。

来源：广州金升阳科技有限公司2015-06-25

优良的输入特性，即sic mosfet拥有低栅极电荷，具备卓越的切换速率;3.

来源：广州金升阳科技有限公司2015-06-16

如果器件工作频率越快，栅极电容的充放电时间要求越短，则要求输入的栅极电容越小，驱动的脉冲电流越大才能满足驱动要求;2.栅极驱动电路必须合理选择一定的驱动电压，栅极的驱动电压越高，则mosfet的感应导电沟道越大

来源：OFweek 电子工程网2015-06-09

mipaqpro是经过完全检验和充分测试的ipm，在可靠耐用的封装中集成igbt、栅极驱动器、散热器、传感器、数控电子元件以及数字总线通信功能。高性能子系统可以提供高功率密度和大安全工作区(soa)。

来源：中国电力电子产业网2015-05-06

在双向晶闸管关断后，线路电压回加到接线端子上，使电压vtpeak升高，升幅足以使在栅极施加的电流达到双向晶闸管的额定栅极电流igt。...图4： 负关断电流时的vfp第二个小贴士是提高双向晶闸管的栅极电流。

来源：OFweek 电子工程网2015-05-04

在双向晶闸管关断后，线路电压回加到接线端子上，使电压vtpeak升高，升幅足以使在栅极施加的电流达到双向晶闸管的额定栅极电流igt。...第二个小贴士是提高双向晶闸管的栅极电流。

来源：德州仪器2015-02-26

此外，将数据和电源传输过隔离栅的技术已经在栅极驱动器和工业传感器中得以应用。...针对高压驱动器、工业测量与监控以及工业以太网的栅极驱动器是这项技术的诸多应用之一。

来源：中国电工网2015-02-17

针对高压驱动器、工业测量与监控以及工业以太网的栅极驱动器是这项技术的诸多应用之一。...此外，将数据和电源传输过隔离栅的技术已经在栅极驱动器和工业传感器中得以应用。ti可提供大量的全新隔离技术，并且正保持持续的发展以实现在保证高效的前提下提供更高数据速率数字隔离。

来源：OFweek电子工程网2015-02-04

台积电表示，16nm finfet工艺能够显著改进芯片性能、功耗，并降低漏电率，栅极密度是台积电28nm hpm工艺的两倍，同等功耗下速度可以加快超过40%，同频率下功耗则可以降低超过60%。

来源：OFweek 锂电网2015-01-16

基金资助领域主要包括：适合石墨烯基电子设备的制备;石墨烯电子、结构、机械、振动等性能表征与操控;石墨烯纳米结构制备和表征及性能操控;石墨烯与衬底材料、栅极材料相互作用的理解和控制;输运研究(如声子和电子传输

来源：中国产业洞察网2015-01-09

2、德国石墨烯行业发展重点方向基金资助领域主要包括：适合石墨烯基电子设备的制备;石墨烯电子、结构、机械、振动等性能表征与操控;石墨烯纳米结构制备和表征及性能操控;石墨烯与衬底材料、栅极材料相互作用的理解和控制

来源：北极星电力网2014-11-27

电机系统领域，集中突破高效电机新材料、绝缘栅极型功率管(igbt)、高效电机专用制造设备、稀土永磁无铁芯电机、特种非晶电机和非晶电抗器、特大功率高压变频、无功补偿控制系统、高效风机水泵等机电装备整体化设计等核心技术瓶颈