来源：i投资2014-11-14

理论上而言，石墨烯的电子迁移率和空穴移动率相等，其n形场效应晶体管和p型场效应晶体管是对称的;此外，石墨烯还具有零禁带特性，在室温下，载流子在石墨烯中平均自由程和相干长度可以达到微米级别。

来源：电气中国杂志2014-11-12

一个普通的计算机芯片，至少由300万～400万个甚至更多晶体管构成。至于每个晶体管具体起什么作用，有什么实际功能都难以查清楚，所以芯片中就比较容易设置大量后门。

来源：北极星环保网2014-11-05

绝缘栅双极晶体管(igbt)是变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。

来源：西安日报2014-10-31

西安经开区管委会传来消息，中国北车永济电机公司近日以其研制的3300v igbt(绝缘栅双极型晶体管)器件产品一举中标国家智能电网项目，成为我国首个高压大功率igbt产品批量进入国家电网系统的企业，打破了欧美等对我国在这一市场领域的技术垄断

来源：OFweek 工控网2014-10-30

ti于20世纪50年代初开始研究晶体管，同时也制造了世界上第一个商用硅晶体管。1954年，ti研发制造了第一台晶体管收音机，1958年，在ti中新研究实验室工作的jackkilby发明了集成电路。

来源：能源观察网微信2014-10-24

ibm 的研究人员开发出了石墨烯场效应晶体管，其截止频率可达100ghz，频率性能远超相同栅极长度的最先进硅晶体管的截止频率(40ghz)。(四)生物医学领域。

来源：OFweek 电子工程网2014-10-23

飞利浦发明了旋转刀头，继而发展成为philishave电动剃须刀，并为之后在晶体管和集成电路上的突破奠定了基础。飞利浦还为电视图像的记录、传播和复制技术的发展做出了重要贡献。

来源：能源观察网微信2014-10-22

ibm 的研究人员开发出了石墨烯场效应晶体管，其截止频率可达100ghz，频率性能远超相同栅极长度的最先进硅晶体管的截止频率(40ghz)。(四)生物医学领域。

来源：能源与节能2014-10-20

1 变频与节能原理概述1.1 变频原理功率单元串联叠加是高压变频器所采用的串联方式，其主电路开关的主要组成部分是功率极大的绝缘栅双极型晶体管(igbt)。

来源：OFweek工控网2014-10-17

东芝在许多产品上都是日本首家制造出的厂商，例如：雷达(1942年)、晶体管电视与微波炉(1959年)、彩色影像电话(1971年)、日文字处理器(1978年)、笔记型电脑(1985年)、dvd(1995年

来源：观察者网2014-10-13

igbt全称是绝缘栅双极型晶体管，它是一种电压控制型器件。igbt具有容量大、损耗小、易于控制等优点，可使换流器拓扑结构更加简单、损耗更小，因此成为高压柔性直流输电领域核心器件。

来源：西安西驰电气2014-09-29

26 、仪控接地发电厂的热力控制系统、数据采集系统、计算机监控系统、晶体管或微机型继电保护系统和远动通信系统等，为了稳定电位、防止干扰而设置的接地。仪控接地亦称电子系统接地。

来源：无锡尚德光伏研究院2014-09-28

串联控制器的优点是体积小、线路简单、价格便宜，但是由于控制用功率晶体管存在着管压降，当充电电压较低时会带来较大的能量损失。

来源：索比太阳能光伏网2014-09-24

igbt，中文名绝缘栅双极型晶体管。指甲大小的芯片却是包括光伏逆变器、高速动车组、巨型船舶等变流装备的核心器件，技术门槛之高，被业内公认为现代变流工业皇冠上的明珠。

来源：北京商报2014-09-15

英国布鲁内尔大学高级动力与燃油研究中心博士刘泉介绍，石墨烯将成为高速晶体管、高灵敏传感器、激光器、触摸屏以及生物医药器材等多种器件的核心材料。

来源：微波射频网2014-09-04

在初级电路中，要求输入端电容、晶体管和变压器彼此靠近，且布线紧凑;在次级电路中，要求二极管、变压器和输出端电容彼此贴近。

来源：和讯股票2014-09-03

重点方向包括复合材料、石墨烯电子器件、cmos晶体管、存储器件开发，生物传感器和石墨烯制备等方面。...这块集成电路建立在一块碳化硅上，并且由一些石墨烯场效应晶体管组成。最新的石墨烯集成电路混频最多可达10g赫兹，承受125摄氏度的高温。

来源：PV-Tech2014-08-27

此次该公司刷新了自己的纪录，其原动力来自全sic化，也就是说二极管和晶体管均使用了sic，而非原来的si。此次三菱电机采用了自主制造的功率半导体模块，将先于其他公司上市全sic光伏逆变器。

来源：OFweek锂电网2014-08-25

根据该定律，处理器中的晶体管数量每两年会翻一番，而这也说明了技术进步的稳定性。我们目前所面临的局势是，晶体管尺寸已接近原子水平，芯片无法容纳更多的处理器，而且我们对设备中一成不变的电池感到不满。

来源：北极星电力网2014-08-25

半导体激光器件、高性能全固态激光器件、高性能敏感元器件、新型晶体器件、高精密电阻器件、高压绝缘栅双极晶体管(igbt)、可控硅(scr)、集成门极换流晶闸管(igct)、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管