来源：北极星输配电网2015-09-28

突破低温多晶硅、氧化物背板工艺大规模生产技术，提升85代以上薄膜晶体管液晶显示屏面板和45代以上有源矩阵有机发光二极管面板生产能力与工艺水平，发展配套有机发光材料、靶材、偏光片、驱动芯片、光刻设备与检测设备

来源：长江有色金属网2015-09-23

一种已知的人类致癌物质镉电池，蓝2绿磷发射器罩盒，印刷电路板肺部损伤，肾脏疾病，骨骼易碎裂汞电池，开关罩盒，印刷电路板慢性大脑、肾脏、肺及胎儿损伤;血压升高，心率加快，过敏反应，影响大脑功能和记忆力砷晶体管掺杂剂

来源：国际节能环保网2015-09-16

比如，绝缘栅双极晶体管(igbt)是变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由一些拥有领先技术优势的外资企业所把控。

来源：电子产品世界2015-09-15

它是由c1、r、c2组成的型rc滤波电路与有源器件--晶体管t组成的射极输出器连接而成的电路。由图2可知，流过r的电流ir=ie(1+)=ir(1+)。...这样所需的电容c2只是一般rc型滤波器所需电容的1/，比如晶体管的直流放大系数=50，如果用一般rc滤波器所需电容容量为1000f，如采用电子滤波器，那么电容只需要20f就满足要求了。

来源：赛迪网2015-09-02

国内首条、世界第二条8英寸igbt(绝缘栅双极型晶体管)专业生产线建成投产，打破国外垄断，有效提升我国在船舶、电网以及轨道交通车辆方面的智能化水平。企业实力和创新能力不断增强。

来源：中国电子商务研究中心2015-09-01

在2014年下半年，ibm对外宣布，他们发布了新一代的，成为神经凸出内核的芯片，叫truenorth，这个芯片采用54亿个晶体管，来模拟人脑神经功能，而不是传统意义上逻辑计算功能。

来源：互联网2015-08-31

q1和q2在线路频率下被切换，并且它们可以是硅金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，比单用二极管能减少的损耗更多。展望未来iot为电源设计人员带来了许多新挑战，这里只提到了几种。

来源：供用电杂志2015-08-28

图1集装箱式柔性直流输电的电气一次侧单线图无论是整流器还是逆变器，其中各个模块在接到控制器发出的脉冲指令后对其绝缘栅双极型晶体管(igbt)进行开关动作，多个模块的输出相互叠加，形成等效平滑的正弦波电压输出

来源：北极星售电网2015-08-27

1990年代末，随着半导体器件技术的进步，绝缘栅双极型晶体管(igbts)的出现使得hvdc技术得到了更广泛的应用，绝缘栅双极型晶体管每周期的开断可以切换多次，当前最先进的绝缘栅双极型晶体管的打开(关闭

来源：能源圈2015-08-24

1990年代末，随着半导体器件技术的进步，绝缘栅双极型晶体管(igbts)的出现使得hvdc技术得到了更广泛的应用，绝缘栅双极型晶体管每周期的开断可以切换多次，当前最先进的绝缘栅双极型晶体管的打开(关闭

来源：电工学习网2015-08-19

这是为确保金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)能保持zvs状态。llc-src的效率只能在一个操作点进行优化。

来源：电工学习网2015-08-13

igbt的驱动和短路保护igbt作为一种新型的功率器件，具有电压和电流容量高等优点，开关速度远高于双极型晶体管而略低于mos管，因而广泛地应用在各种电源领域里，在中大功率逆变器中也得到广泛应用。

来源：科学网2015-08-11

中国先闯入领地研究发现，石墨烯专利技术主要集中在以下几个方向：石墨烯的制备，例如氧化还原法、化学气相沉积(cvd)等;石墨烯用于制备半导体器件、光电器件及场发射晶体管等;用于制备石墨烯复合材料及薄膜等;...石墨烯专利的热点技术领域主要包括以下几个方面：石墨烯制备，例如液相剥离、化学氧化、外延生长和化学气相沉积;石墨烯分散和粉末制备技术;石墨烯用作锂离子电池电极材料、超级电容器材料、太阳能电池电极材料等;石墨烯用于制备薄膜晶体管

来源：电力系统自动化2015-08-11

开状态的判断是通过子模块的电容电压和绝缘栅双极型晶体管(igbt)的开关信号来确定的。由于 mc元件在电路上有单相串联的拓扑特点,所以流过子模块的电流是一致的。

来源：电工学习网2015-08-04

lg-is3-4 3.7kw变频器一启动就跳oc分析与维修:打开机盖没有发现任何烧坏的迹象，在线测量igbt(7mbr25nf-120)基本判断没有问题，为进一步判断问题，把igbt拆下后测量7个单元的大功率晶体管开通与关闭都很好

来源：电子产品世界2015-08-04

;采用若干个次级绕组，以便得到几个不同幅值的脉冲，使电子管的板极回路和栅极回路，或晶体管的集电极与基极间形成正反馈，以便产生自激振荡;作为功率合成及变换元件等。...脉冲变压器原理--应用脉冲变压器广泛用于雷达、变换技术;负载电阻与馈线特性阻抗的匹配;升高或降低脉冲电压;改变脉冲的极性;变压器次级电路和初级电路的隔离应用几个次级绕组以取得相位关系;隔离电源部分的直流成分;在晶体管脉冲振荡器中使集电极和基极间得到强藕合

来源：中国自动化网2015-07-30

3、硬件配合：相应的断路器与漏电保护器均按照设计要求设计到配电箱内;电路控制板采用继电器、可控硅与晶体管作为输出，对电器进行控制;输入采用模块化接口，有模拟量、开关量两种方式;面板控制采用触摸方式，遥控器采用无线电或者红外线方式进行控制

来源：EET2015-07-27

自1957年第一个晶闸管问世以来，大功率的模拟电力电子器件已经走过了近50年的发展历程，可关断晶闸管(gto)、电力晶体管(gtr)、mos可控晶闸管(mct)、电力mosfet以及绝缘栅极双极晶体管(

来源：科学网2015-07-24

在传统的芯片生产中，诸如晶体管之类的电子元件表面都是以硅等半导体材料制造的坚固晶片。

来源：电源网2015-07-20

igbt的驱动和短路保护igbt作为一种新型的功率器件，具有电压和电流容量高等优点，开关速度远高于双极 型晶体管而略低于mos管，因而广泛地应用在各种电源领域里，在中大功率逆变器中也得 到广泛应用。