来源：北极星太阳能光伏网（独家）2014-01-17

目前主要产品涉及材料科学、微纳米技术、表面测量和光电器件、光伏产品、半导体器件的检测与研发等领域。

来源：EEWORLD2014-01-16

凭借在高密度互连(hdi)衬底，集成先进的磁性结构、功率半导体器件和控制asic，chip具备卓越的热管理能力，支持前所未有的功率密度。

来源：中国质量报 记者：徐建华2014-01-09

芯片及其模块研究开发项目鉴定会上，由该公司研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压igbt芯片及其模块首次向外界亮相，并获得权威专家的广泛认可，项目成果总体技术处于国际领先水平，代表了我国功率半导体器件行业

来源：中国证券网2014-01-08

公司半导体器件由于折旧成本较高,盈利能力较差,公司大功率igbt 产品已小批量生产,国内大部分市场被欧美日企业占据,未来进口替代空间大。投资逻辑:从光伏制造到聚光电站,业绩有望高速增长。

来源：电气自动化技术网2014-01-07

长期以来，多晶硅作为生产单晶硅的直接原料，仅仅在半导体器件的电子信息基础材料上得到应用，除了这个领域外，几乎被人们遗忘。

来源：中电新闻网2014-01-06

几度大起大落长期以来，多晶硅作为生产单晶硅的直接原料，仅仅在半导体器件的电子信息基础材料上得到应用，除了这个领域外，几乎被人们遗忘。

来源：工业电器网2014-01-03

半导体器件和集成电路测试仪的产值达到2698亿日元，比上一年增长34%，占整个电子测量仪器总产值的55%。换句话说，这类测试设备已成为日本整个电子测试仪器市场的支柱产品。

来源：北极星电力网 刘亚鹏 曹婷2013-12-27

中国南车株洲所作为我国电力电子器件原始创新能力的主要企业之一，从最早的轨道交通用晶闸管、gto的研制，到新世纪开始在igbt、igct等高端功率半导体器件技术的发力，走过了漫长的一段路程。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2013-12-23

有关逆变器分类的方法很多，例如：根据逆变器输出交流电压的相数，可分为单相逆变器和三相逆变器；根据逆变器使用的半导体器件类型不同，又可分为电晶体逆变器、晶闸管逆变器及可关断晶闸管逆变器等等据gtmresearch

来源：电气自动化技术网2013-12-20

变频器发展从调速到节能变频技术最先用来对电机进行无级调速，通过控制半导体器件的通断改变输出频率，以实现对后端拖动交流电机的软启动、变频调速及提高运转精度，并实现过流、过压、过载保护。

来源：工控中国2013-12-16

变频器工业应用优势明显 十二五明确产业规划变频技术最先用来对电机进行无级调速，通过控制半导体器件的通断改变输出频率，以实现对后端拖动交流电机的软启动、变频调速及提高运转精度，并实现过流、过压、过载保护。

来源：电源网2013-12-12

变频器发展从调速到节能变频技术最先用来对电机进行无级调速，通过控制半导体器件的通断改变输出频率，以实现对后端拖动交流电机的软启动、变频调速及提高运转精度，并实现过流、过压、过载保护。

来源：坐下再说2013-12-05

然而gerald对基于薄膜不定型硅的pn结结构的评价一针见血：danglingbonds导致缺陷态太多，大大影响了光电转换效率，harold本身对半导体器件工作原理又不太了解，以至于公司成立了几年，连一片像样的样品都做不出来

来源：金融界网站2013-12-04

公司的发展战略为：构建创新机制，打造创新团队，提升管理素养;坚持以品质为核心，提升产品质量水平，追赶并超越国际先进标准;以市场为导向，持续跟踪和开发适应市场需求的功率半导体器件，不断满足更多领域客户的需要

来源：中金在线2013-11-20

;以下限分支机构经营;半导体材料、半导体器件的制造。...名称：天津环鑫科技发展有限公司住所：华苑产业区海泰发展六道6号海泰绿色产业基地g-907室法人代表：初亚东注册资本：2,000万元人民币业务范围：半导体材料、半导体器件的技术开发、销售;货物及技术的进出口业务

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2013-11-19

公司产品广泛应用于厚膜混合集成电路(hic)、电阻网络、片式电阻、玻璃釉电位器、电阻器、电容器、敏感元器件、半导体器件等。

来源：太平洋电脑网2013-11-14

株洲南车时代电气股份有限公司即将在高交会上带来的大功率半导体器件igbt产业化建设项目却是节能减排的大手笔。...大功率半导体器件igbt产业化建设项目是该公司的一个大手笔，该公司拟15亿元在轨道交通千亿产业园建设一条年产12万元8英寸igbt芯片生产线，同时具备年产100万只大功率igbt模块的封装和测试能力。

来源：浙江在线-浙江日报2013-11-06

著名半导体器件专家邓先灿评价自己的得意门生。而这个制高点，目前为intel、lsi等少数国际巨头所掌握，多少企业花费大量人力、物力还是难以突破。

来源：北极星环保网2013-11-06

大功率半导体器件工作时所产生的热量，将导致芯片温度的升高，如果没有适当的散热措施，就可能使芯片温度超过最高允许温度值，从而导致器件性能的恶化以致损坏。

来源：雪球2013-11-04

因为大部分硅基半导体器件和工艺设计的方向都是高集成和低功率的方向，而太阳能电池作为功率半导体器件，不太容易被cmos工艺的进步所帮助。