来源：北极星太阳能光伏网2023-12-13

图14 三相桥式逆变电路仿真图其中，直流侧输入电压为dc750v，主电路模块为通用桥臂，核心元件为igbt,其既有mosfet的高输入阻抗又有gtr的低导通压降的优点，驱动功率小而饱和压降低，集成模块如图

来源：厦门市科学技术局2023-12-11

引进培育发展碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等器件，加快sic-肖特基二极管（sbd）、mosfet、绝缘栅双极型晶体管（igbt）等技术升级，协同牵引金属有机化合物化学气相沉积（mocvd

来源：厦门市科学技术局2023-12-06

引进培育发展碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等器件，加快sic-肖特基二极管（sbd）、mosfet、绝缘栅双极型晶体管（igbt）等技术升级，协同牵引金属有机化合物化学气相沉积（mocvd

来源：临沂市人民政府2023-12-05

大力引进发展拥有igbt、mosfet等功率半导体器件及核心元器件技术的企业，支持技术产业化和国产化。...光伏逆变器的原材料和元器件成本占总成本的80%，以mosfet和igbt为核心，但是此部分产品技术门槛高，现阶段仍以海外企业供应为主，因此也是我国光伏产业发展的卡脖子环节。

来源：重庆市政府2023-12-01

车规级芯片重点发展系统级芯片（soc）、现场可编程门阵列（fpga）等主机芯片，微控制单元（mcu）控制芯片、绝缘栅双极晶体管（igbt）、金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等功率类芯片和微机电系统

来源：储能科学与技术2023-11-23

表1给出了mosfet和igbt的性能比较，其中mosfet的导通电阻较小、通态损耗小。此外，与igbt相比，低压低功耗mosfet的价格更低，在构建大规模电池储能系统时具有更强的价格优势。

来源：SGB2023-11-07

其工艺技术平台覆盖jbs和mosfet等，已建成自主知识产权的车规级650v/750v/1200v碳化硅jbs工艺平台、650v/750v/1200v碳化硅mosfet工艺平台。

来源：重庆市经信委2023-09-13

车规级芯片重点发展系统级芯片（soc）、现场可编程门阵列（fpga）等主机芯片、微控制单元（mcu）控制芯片、绝缘栅双极晶体管（igbt）、金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等功率类芯片、微机电系统

来源：纳芯微2023-08-29

与此同时，纳芯微不断拓展其汽车应用的产品组合，如应用于汽车主驱电机电流检测的磁电流传感器，同时也在积极开发和验证车规级1200v sic mosfet产品。

来源：深圳市光明区发展和改革局2023-08-23

本措施重点支持：锂离子电池、钠离子电池、半固态/固态电池等先进电化学储能技术路线的新型材料、元器件（绝缘栅双极型晶体管igbt、金氧半场效晶体管mosfet、数字信号处理dsp等芯片）、工艺装备、电芯模组...针对辖区薄弱的钠离子电池、半固态/固态电池、燃料电池等领域关键环节，及储能电池绝缘栅双极型晶体管（igbt）、金氧半场效晶体管（mosfet）、数字信号处理（dsp）等元器件，经认定，对新引入的重大项目落地建设

来源：深圳市工业和信息化局2023-08-01

聚焦cpu、gpu、fpga等高端数字芯片，模数/数模转换芯片、高速接口芯片、电源管理、光电转换、射频等高性能模拟芯片，工业级、车规级igbt、mosfet等高可靠功率器件，先进存储芯片，以及自主可控ip

来源：北极星储能网2023-07-31

聚焦cpu、gpu、fpga等高端数字芯片，模数/数模转换芯片、高速接口芯片、电源管理、光电转换、射频等高性能模拟芯片，工业级、车规级igbt、mosfet等高可靠功率器件，先进存储芯片，以及自主可控ip

来源：国家国防科技工业局2023-07-14

碳化硅mosfet能让整车性能大幅提升。基于碳化硅的新一代新能源汽车平台，可使充电速度提高5-10倍，续航里程提高8%以上，损耗降低50%。...国基南方、55所聚焦强链补链，持续推进新能源汽车用碳化硅mosfet关键核心技术攻关和产业化应用，贯通碳化硅衬底、外延、芯片等全产业链量产平台，率先在新能源汽车、光伏、智能电网等领域规模化应用，累计保障超过

来源：深圳市光明区发展和改革局2023-07-14

本措施重点支持：锂离子电池、钠离子电池、半固态/固态电池等先进电化学储能技术路线的新型材料、元器件（绝缘栅双极型晶体管igbt、金氧半场效晶体管mosfet、数字信号处理dsp等芯片）、工艺装备、电芯模组...针对辖区薄弱的钠离子电池、半固态/固态电池、燃料电池等领域关键环节，及储能电池绝缘栅双极型晶体管（igbt）、金氧半场效晶体管（mosfet）、数字信号处理（dsp）等元器件，经认定，对新引入的重大项目落地建设

来源：北极星储能网2023-07-12

此外，禾川科技近年来在mosfet、igbt模块及gan器件等领域也有布局，功率器件与控制芯片逐步实现自研、自用，可充分提升光伏储能逆变器产品性能、降低成本，保证核心器件供应链的安全稳定。

来源：国家电网报2023-07-04

国网智能电网研究院有限公司依托国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项，成立碳化硅功率器件攻关团队，潜心攻关碳化硅器件制造和碳化硅高端电力电子装备关键技术，突破了国产6.5千伏碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（mosfet

来源：基本半导体2023-06-03

第二代碳化硅mosfet基本半导体第二代碳化硅mosfet系列新品基于6英寸晶圆平台开发，与上一代产品相比，拥有更低比导通电阻（降低约40%）、器件开关损耗（降低约30%），以及更高可靠性和更高工作结温

来源：北极星储能网2023-05-11

据悉，清纯半导体是目前国内极少数能够在sic器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产车规级sic mosfet的企业之一，相关产品已经在光伏储能、新能源汽车等领域得到广泛应用。

来源：北极星储能网2023-05-04

报告期内公司已完成部分mosfet、igbt等功率半导体方面的研发，并已为终端应用企业送样测试。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2023-04-11

对此，利尔达与新洁能、意法半导体（st）、乐山无线电（lrc）等多个品牌达成战略合作，无论是igbt模块，亦或mosfet、二三级管等，均可充分保障产品的持续供货能力。