来源：山东省工信厅2024-07-08

加快igbt、mosfet等功率半导体器件及核心元器件产品发展。（五）光伏应用跨界融合。

来源：山东省工业和信息化厅2024-07-05

加快igbt、mosfet等功率半导体器件及核心元器件产品发展。（五）光伏应用跨界融合。

来源：北极星储能网2024-06-05

【特斯拉能效“秘密武器”——电机系统】此次碳博会特斯拉展台上，首次展出了电机系统的深度拆解件，揭开其“神秘面纱”：率先使用碳化硅mosfet功率元件，提升电机控制精度，实现电驱更低能耗；独特的工艺技术，

来源：北极星储能网2024-02-21

国内市场方面，我国功率二极管、功率三极管、晶闸管等功率器件产品大部分已实现国产化，而功率mosfet 特别是超级结mosfet、igbt等高端功率器件产品还较大程度上依赖进口。...从目前市场需求来看，硅基mosfet、硅基igbt 以及碳化硅，为目前功率半导体分立器件的主力产品。

来源：北极星输配电网2024-02-07

芯联集成从2021年起开始投入碳化硅mosfet芯片、模组封装技术的研发和产能建设，公司在两年时间内完成了三轮技术迭代，碳化硅mosfet的器件性能已经与国际先进水平同步，是国内规模化量产最大的碳化硅mosfet

来源：广东省发展和改革委员会2024-02-01

推动建设mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）、igbt（大功率绝缘栅双极型晶体管）、高端传感器、mems（微机电系统）、半导体激光器、光电器件等产线。

来源：深圳市宝安区人民政府2024-01-18

下一代晶硅电池（topcon、hjt、xbc）、薄膜太阳能电池、先进逆变技术等领域；新型储能产业面向先进储能技术（新型锂离子电池、钠盐电池、钠离子电池、液流电池、固态电池、超级电容等）的原材料、元器件（igbt、mosfet

来源：深圳市宝安区人民政府2024-01-17

下一代晶硅电池（topcon、hjt、xbc）、薄膜太阳能电池、先进逆变技术等领域；新型储能产业面向先进储能技术（新型锂离子电池、钠盐电池、钠离子电池、液流电池、固态电池、超级电容等）的原材料、元器件（igbt、mosfet

来源：国家发改委2024-01-02

3、新能源汽车关键零部件：电动汽车驱动电机系统（高效区：85%工作区效率≥80%），车用 dc/dc（输入电压100～400v），大功率电子器件（igbt，电压等级≥750v，电流≥300a；sic mosfet

来源：金升阳2023-12-25

一、产品介绍基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏svg行业，igbt/sic mosfet的应用广泛，而驱动电源作为专为igbt/sic mosfet驱动器提供驱动能力的来源

来源：中国能源新闻网2023-12-14

今年，双方持续深化合作，全力攻坚核心元器件国产化，实现国产sic-mosfet替代进口igbt功率芯片，并正式投入应用。...现场联调结果的成功，标志着首台基于国产sic-mosfet（碳化硅场效应管）的低压配电网柔性调控装置在嘉兴平湖投运，处于国际领先水平。

来源：北极星太阳能光伏网2023-12-13

图14 三相桥式逆变电路仿真图其中，直流侧输入电压为dc750v，主电路模块为通用桥臂，核心元件为igbt,其既有mosfet的高输入阻抗又有gtr的低导通压降的优点，驱动功率小而饱和压降低，集成模块如图

来源：厦门市科学技术局2023-12-11

引进培育发展碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等器件，加快sic-肖特基二极管（sbd）、mosfet、绝缘栅双极型晶体管（igbt）等技术升级，协同牵引金属有机化合物化学气相沉积（mocvd

来源：厦门市科学技术局2023-12-06

引进培育发展碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等器件，加快sic-肖特基二极管（sbd）、mosfet、绝缘栅双极型晶体管（igbt）等技术升级，协同牵引金属有机化合物化学气相沉积（mocvd

来源：临沂市人民政府2023-12-05

大力引进发展拥有igbt、mosfet等功率半导体器件及核心元器件技术的企业，支持技术产业化和国产化。...光伏逆变器的原材料和元器件成本占总成本的80%，以mosfet和igbt为核心，但是此部分产品技术门槛高，现阶段仍以海外企业供应为主，因此也是我国光伏产业发展的卡脖子环节。

来源：重庆市政府2023-12-01

车规级芯片重点发展系统级芯片（soc）、现场可编程门阵列（fpga）等主机芯片，微控制单元（mcu）控制芯片、绝缘栅双极晶体管（igbt）、金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等功率类芯片和微机电系统

来源：储能科学与技术2023-11-23

表1给出了mosfet和igbt的性能比较，其中mosfet的导通电阻较小、通态损耗小。此外，与igbt相比，低压低功耗mosfet的价格更低，在构建大规模电池储能系统时具有更强的价格优势。

来源：SGB2023-11-07

其工艺技术平台覆盖jbs和mosfet等，已建成自主知识产权的车规级650v/750v/1200v碳化硅jbs工艺平台、650v/750v/1200v碳化硅mosfet工艺平台。

来源：重庆市经信委2023-09-13

车规级芯片重点发展系统级芯片（soc）、现场可编程门阵列（fpga）等主机芯片、微控制单元（mcu）控制芯片、绝缘栅双极晶体管（igbt）、金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等功率类芯片、微机电系统

来源：纳芯微2023-08-29

与此同时，纳芯微不断拓展其汽车应用的产品组合，如应用于汽车主驱电机电流检测的磁电流传感器，同时也在积极开发和验证车规级1200v sic mosfet产品。