来源：广东省发展和改革委员会2024-02-01

推动建设mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）、igbt（大功率绝缘栅双极型晶体管）、高端传感器、mems（微机电系统）、半导体激光器、光电器件等产线。

来源：深圳市宝安区人民政府2024-01-18

下一代晶硅电池（topcon、hjt、xbc）、薄膜太阳能电池、先进逆变技术等领域；新型储能产业面向先进储能技术（新型锂离子电池、钠盐电池、钠离子电池、液流电池、固态电池、超级电容等）的原材料、元器件（igbt、mosfet

来源：深圳市宝安区人民政府2024-01-17

下一代晶硅电池（topcon、hjt、xbc）、薄膜太阳能电池、先进逆变技术等领域；新型储能产业面向先进储能技术（新型锂离子电池、钠盐电池、钠离子电池、液流电池、固态电池、超级电容等）的原材料、元器件（igbt、mosfet

来源：国家发改委2024-01-02

3、新能源汽车关键零部件：电动汽车驱动电机系统（高效区：85%工作区效率≥80%），车用 dc/dc（输入电压100～400v），大功率电子器件（igbt，电压等级≥750v，电流≥300a；sic mosfet

来源：金升阳2023-12-25

一、产品介绍基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏svg行业，igbt/sic mosfet的应用广泛，而驱动电源作为专为igbt/sic mosfet驱动器提供驱动能力的来源

来源：中国能源新闻网2023-12-14

今年，双方持续深化合作，全力攻坚核心元器件国产化，实现国产sic-mosfet替代进口igbt功率芯片，并正式投入应用。...现场联调结果的成功，标志着首台基于国产sic-mosfet（碳化硅场效应管）的低压配电网柔性调控装置在嘉兴平湖投运，处于国际领先水平。

来源：北极星太阳能光伏网2023-12-13

图14 三相桥式逆变电路仿真图其中，直流侧输入电压为dc750v，主电路模块为通用桥臂，核心元件为igbt,其既有mosfet的高输入阻抗又有gtr的低导通压降的优点，驱动功率小而饱和压降低，集成模块如图

来源：厦门市科学技术局2023-12-11

引进培育发展碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等器件，加快sic-肖特基二极管（sbd）、mosfet、绝缘栅双极型晶体管（igbt）等技术升级，协同牵引金属有机化合物化学气相沉积（mocvd

来源：厦门市科学技术局2023-12-06

引进培育发展碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等器件，加快sic-肖特基二极管（sbd）、mosfet、绝缘栅双极型晶体管（igbt）等技术升级，协同牵引金属有机化合物化学气相沉积（mocvd

来源：临沂市人民政府2023-12-05

大力引进发展拥有igbt、mosfet等功率半导体器件及核心元器件技术的企业，支持技术产业化和国产化。...光伏逆变器的原材料和元器件成本占总成本的80%，以mosfet和igbt为核心，但是此部分产品技术门槛高，现阶段仍以海外企业供应为主，因此也是我国光伏产业发展的卡脖子环节。

来源：重庆市政府2023-12-01

车规级芯片重点发展系统级芯片（soc）、现场可编程门阵列（fpga）等主机芯片，微控制单元（mcu）控制芯片、绝缘栅双极晶体管（igbt）、金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等功率类芯片和微机电系统

来源：储能科学与技术2023-11-23

表1给出了mosfet和igbt的性能比较，其中mosfet的导通电阻较小、通态损耗小。此外，与igbt相比，低压低功耗mosfet的价格更低，在构建大规模电池储能系统时具有更强的价格优势。

来源：SGB2023-11-07

其工艺技术平台覆盖jbs和mosfet等，已建成自主知识产权的车规级650v/750v/1200v碳化硅jbs工艺平台、650v/750v/1200v碳化硅mosfet工艺平台。

来源：重庆市经信委2023-09-13

车规级芯片重点发展系统级芯片（soc）、现场可编程门阵列（fpga）等主机芯片、微控制单元（mcu）控制芯片、绝缘栅双极晶体管（igbt）、金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等功率类芯片、微机电系统

来源：纳芯微2023-08-29

与此同时，纳芯微不断拓展其汽车应用的产品组合，如应用于汽车主驱电机电流检测的磁电流传感器，同时也在积极开发和验证车规级1200v sic mosfet产品。

来源：深圳市光明区发展和改革局2023-08-23

本措施重点支持：锂离子电池、钠离子电池、半固态/固态电池等先进电化学储能技术路线的新型材料、元器件（绝缘栅双极型晶体管igbt、金氧半场效晶体管mosfet、数字信号处理dsp等芯片）、工艺装备、电芯模组...针对辖区薄弱的钠离子电池、半固态/固态电池、燃料电池等领域关键环节，及储能电池绝缘栅双极型晶体管（igbt）、金氧半场效晶体管（mosfet）、数字信号处理（dsp）等元器件，经认定，对新引入的重大项目落地建设

来源：深圳市工业和信息化局2023-08-01

聚焦cpu、gpu、fpga等高端数字芯片，模数/数模转换芯片、高速接口芯片、电源管理、光电转换、射频等高性能模拟芯片，工业级、车规级igbt、mosfet等高可靠功率器件，先进存储芯片，以及自主可控ip

来源：北极星储能网2023-07-31

聚焦cpu、gpu、fpga等高端数字芯片，模数/数模转换芯片、高速接口芯片、电源管理、光电转换、射频等高性能模拟芯片，工业级、车规级igbt、mosfet等高可靠功率器件，先进存储芯片，以及自主可控ip

来源：国家国防科技工业局2023-07-14

碳化硅mosfet能让整车性能大幅提升。基于碳化硅的新一代新能源汽车平台，可使充电速度提高5-10倍，续航里程提高8%以上，损耗降低50%。...国基南方、55所聚焦强链补链，持续推进新能源汽车用碳化硅mosfet关键核心技术攻关和产业化应用，贯通碳化硅衬底、外延、芯片等全产业链量产平台，率先在新能源汽车、光伏、智能电网等领域规模化应用，累计保障超过

来源：深圳市光明区发展和改革局2023-07-14

本措施重点支持：锂离子电池、钠离子电池、半固态/固态电池等先进电化学储能技术路线的新型材料、元器件（绝缘栅双极型晶体管igbt、金氧半场效晶体管mosfet、数字信号处理dsp等芯片）、工艺装备、电芯模组...针对辖区薄弱的钠离子电池、半固态/固态电池、燃料电池等领域关键环节，及储能电池绝缘栅双极型晶体管（igbt）、金氧半场效晶体管（mosfet）、数字信号处理（dsp）等元器件，经认定，对新引入的重大项目落地建设