来源：厦门市科学技术局2023-12-11

引进培育发展碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等器件，加快sic-肖特基二极管（sbd）、mosfet、绝缘栅双极型晶体管（igbt）等技术升级，协同牵引金属有机化合物化学气相沉积（mocvd

来源：厦门市科学技术局2023-12-06

引进培育发展碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）等器件，加快sic-肖特基二极管（sbd）、mosfet、绝缘栅双极型晶体管（igbt）等技术升级，协同牵引金属有机化合物化学气相沉积（mocvd

来源：电网头条2023-10-27

雄安新区能源互联网标准化试点工作通过验收，推动标准化与科技创新融合发展；南瑞集团自主研发的4500伏/3000安绝缘栅双极型晶体管高压大功率电力电子器件挂网运行，实现国产化设备工程应用；我国首个220千伏柔性低频输电工程在浙江杭州投运

来源：江门工信局2023-10-25

（五）电子元器件类新型储能用耐高压、耐高温、低损耗、高可靠的绝缘栅双极型晶体管igbt器件及模块。

来源：招远市人民政府2023-10-12

推进超大型海上风电机组研制以及高承载主轴承、绝缘栅双极型晶体管(igbt)等各类电力电子器件、控制系统等核心技术研发和创新，开展深远海海上风电勘察、施工及柔性直流送出等新技术的研究和应用。

来源：北极星储能网2023-10-11

作为逆变器的核心半导体器件，绝缘栅双极型晶体管(igbt）性能直接影响着产品整体性能，它对储能变流器的价值贡献占比约在20%-30%。

来源：天津市政府2023-09-28

积极引进新能源汽车逆变器等生产企业和绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体生产企业。

来源：财政部2023-09-18

3.绝缘栅双极型晶体管电源感应热处理装备。4.连续热处理生产线：生产能力≥1吨/小时。5.自动电镀设备：行车上自带独立控制箱和主可编程逻辑控制器网络通信，具备四轴运动能力。

来源：中能传媒研究院2023-09-11

但是，产业上下游的供需不平衡，仍然存在一些“卡脖子”环节，控制芯片、igbt（绝缘栅双极型晶体管）、高端隔膜、涂布机模头、激光器激光头等核心零部件仍依赖进口。

来源：深圳市光明区发展和改革局2023-08-23

本措施重点支持：锂离子电池、钠离子电池、半固态/固态电池等先进电化学储能技术路线的新型材料、元器件（绝缘栅双极型晶体管igbt、金氧半场效晶体管mosfet、数字信号处理dsp等芯片）、工艺装备、电芯模组

来源：广州市人民政府2023-08-16

依托广州市场优势，重点建设储能电池、储能控制产品及系统集成产业集聚区，扩大锂电池生产制造规模，提升储能控制芯片和绝缘栅双极型晶体管（igbt）等储能电子元器件产品供给，推进低成本、高性能电池管理系统和能量管理系统应用

来源：广州市人民政府2023-08-16

依托广州市场优势，重点建设储能电池、储能控制产品及系统集成产业集聚区，扩大锂电池生产制造规模，提升储能控制芯片和绝缘栅双极型晶体管（igbt）等储能电子元器件产品供给，推进低成本、高性能电池管理系统和能量管理系统应用

来源：国家电网报2023-07-27

该站在国内首次应用了两套兆瓦级绝缘栅双极型晶体管（igbt）变充一体化电源设备，可动态合理分配全站18个充电桩用电容量，极大地提高了充电效率。

来源：国家电网报2023-07-24

雄安新区能源互联网标准化试点工作通过验收，推动标准化与科技创新融合发展；南瑞集团有限公司自主研发的4500伏/3000安绝缘栅双极型晶体管高压大功率电力电子器件挂网运行，实现国产化设备工程应用；涵盖10

来源：深圳市光明区发展和改革局2023-07-14

本措施重点支持：锂离子电池、钠离子电池、半固态/固态电池等先进电化学储能技术路线的新型材料、元器件（绝缘栅双极型晶体管igbt、金氧半场效晶体管mosfet、数字信号处理dsp等芯片）、工艺装备、电芯模组

来源：南宁市工信局2023-07-13

推动新型储能与新一代信息技术深度融合，重点发展储能变流器、电池管理系统和能量管理系统关键部件，引进储能控制芯片重大项目，发展绝缘栅双极型晶体管功率器件及模块，推动碳化硅、氮化镓外延材料加工项目落地，提升电力电子器件

来源：三峡小微2023-07-04

为了保障电网安全稳定运行，纳日松项目大规模使用万安培级igbt（绝缘栅双极型晶体管）电源代替传统的晶闸管。

来源：中国三峡能源2023-06-30

为了保障电网安全稳定运行，纳日松项目大规模使用万安培级igbt（绝缘栅双极型晶体管）电源代替传统的晶闸管。

来源：北极星碳管家网2023-03-21

加快建设储能控制芯片重大制造项目，大力发展新型储能用高性能、低损耗、高可靠的绝缘栅双极型晶体管功率器件及模块，推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体功率器件产业化推广及应用。

来源：广东省人民政府2023-03-20

加快建设储能控制芯片重大制造项目，大力发展新型储能用高性能、低损耗、高可靠的绝缘栅双极型晶体管功率器件及模块，推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体功率器件产业化推广及应用。