来源：贺利氏可再生能源2020-07-10

一种是用lpcvd原位（或离位）掺杂形成多晶硅，由于lpcvd沉积过程会带来绕镀问题，使电池性能退化，因此可选择离位掺杂，即lpcvd形成本征多晶后再进行扩散或离子注入掺杂，形成重掺杂的多晶硅；另一种是使用

来源：SOLARZOOM光储亿家2020-06-23

可以说，应用材料的薄膜沉积（cvd、pvd 等）、氧化、刻蚀、离子注入、快速热处理、化学机械平整（cmp）、计量检验等设备基本覆盖了集成电路生产的全部环节。

来源：北极星储能网2020-06-03

重点为高端芯片产品（处理器芯片、存储器芯片、通信芯片、高端传感器芯片、模拟或数模混合芯片等）；高端集成电路装备产品（光刻设备、刻蚀设备、薄膜设备、湿法设备、扩散设备、抛光设备、离子注入设备、检测设备等）

来源：摩尔光伏2020-05-25

同样，通过掩膜可以形成选择性的离子注入掺杂。离子注入后，需要进行一步高温退火过程来将杂质激活并推进到硅片内部，同时修复由于高能离子注入所引起的硅片表面晶格损伤。...博世和三星都成功将离子注入技术运用到ibc电池中，实现了22.1%和22.4%的转换效率。当然，离子注入技术的量产化导入，设备和运行成本是考量的关键。

来源：OFweek2020-05-14

根据研究人员的研究，通过离子注入技术将金和银纳米颗粒嵌入二氧化钛中。依赖纳米颗粒的细胞效率及其等离激元诱导的光电效应显示，其效率（相对而言）比未植入的细胞高89％。

来源：华创证券2020-05-08

，提升了制造的成本和复杂性，而离子注入可实现单面掺杂，均匀性好，可简化制造流程。...正面扩硼主要采用液态三溴化硼管式扩散方式，相比其他扩硼方式更有利于避免金属污染， 背面磷背场可通过热扩散和离子注入的方式形成，热扩散工艺由于涉及二次扩散，需要额外的掩模工艺和清洗工艺 以及特殊的边缘隔离

来源：华金证券2020-04-07

3） ibc电池需要在背面制成交叉分布的p区和n区，增加了制作掩膜和激光开槽两道工序， 同时由于掺杂区面积较小，采用 perc 工艺中的热扩散炉不易控制精度，需要使用半导 体生产中的离子注入工艺，提高了生产的技术门槛和成本

来源：摩尔光伏2020-02-17

减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善pn结形成技术(如离子注入等)、新型钝化材料与技术(如topcon、polo等)、金属接触技术等方面入手［1］。

来源：湖南工信厅2020-02-10

发展离子注入机等集成电路装备，研发光刻机、刻蚀机等关键设备技术，提升集成电路国产化装备和成套建设能力和水平。布局新一代半导体产业。

来源：韦伯咨询2019-12-25

酸性废气主要来源于工艺流程中使用各种酸液刻蚀、清洗过程，碱性废气主要来源于光刻、显影、化学机械抛光等工艺，有机废气主要来源于涂胶、显影工序以及各工序使用有机溶剂清洗过程，有毒有害废气主要来自于化学气相沉积、干法 刻蚀和离子注入等工序

来源：摩尔光伏2019-10-18

然后通过lpd技术沉积本征多晶硅，再运用离子注入技术，形成p、n型的多晶硅和单晶硅。...(3)前者在离子注入后会形成n+/p+c-si，而后者无该掺杂技术的使用，不会形成p+/n+c-si。

来源：光伏們2019-09-19

另外，王文静认为，topcon技术在bbr3扩散、硼离子注入、制备双面掺杂层、 p-topcon电池的掺硼多晶硅等方面仍面临着较大的挑战。

来源：中核集团2019-09-18

北京大学教授翟茂林：辐照应用技术通常应用于医疗卫生用品消毒灭菌、食品辐射加工、农作物诱变育种、杀虫灭菌、离子注入、纳米材料制备、环保“三废”（废水、废气和固废）处理等，已成为民用非动力核技术中一大支柱性产业

来源：摩尔光伏2019-06-18

veschetti等还用光刻、硼离子注入实现了局部背面场(localbsf)，与全面积al背面场相比，开路电压大大提高，达到了676mv，证明了p型衬底hit电池极大的发展潜力［47］。

来源：中核集团2019-05-28

该项目形成的高压加速器技术，也可应用于离子注入、核材料辐照筛选、材料改性、中子产生等多个领域，对中核集团核技术应用产业及国内相关行业的发展起到积极的促进作用。

来源：材料导报、摩尔光伏2019-05-13

然后通过lpd技术沉积本征多晶硅，再运用离子注入技术，形成p、n型的多晶硅和单晶硅。...(3)前者在离子注入后会形成n+/p+c-si，而后者无该掺杂技术的使用，不会形成p+/n+c-si。

来源：光伏测试网2019-03-28

然后通过lpd技术沉积本征多晶硅，再运用离子注入技术，形成p、n型的多晶硅和单晶硅。...(3)前者在离子注入后会形成n+/p+c-si，而后者无该掺杂技术的使用，不会形成p+/n+c-si。

来源：电子世界2019-02-26

（2）先采用pecvd或lpcvd法沉积本征多晶硅薄膜，然后再采用离子注入、扩散等工艺进行掺杂，各种掺杂方法在工艺效果上相差不大。...目前的研究主要是利用lpcvd设备，同时完成隧穿氧化层和本征多晶硅层的生长，再利用离子注入或扩散法对本征多晶硅层进行掺杂来形成topcon结构。

来源：北极星电力网2018-11-22

推动面向先进工艺的刻蚀机、离子注入机等关键设备研发和产业化，积极引进国际顶尖半导体设备制造企业。（责任单位：市经贸信息委、发展改革委、科技创新委）3．进一步增强产业配套能力。

来源：北极星储能网2018-11-20

推动面向先进工艺的刻蚀机、离子注入机等关键设备研发和产业化，积极引进国际顶尖半导体设备制造企业。(责任单位：市经贸信息委、发展改革委、科技创新委)3.进一步增强产业配套能力。