来源：pv magazine2020-02-13

研究人员表示，moox——因其高工作功能和带隙而已被用作有机、无机和薄膜太阳能电池的载流子选择层和晶体硅衬底——已被运用于设备中，而后者的结构设计能使前者充分发挥其比p型氢化非晶硅更高透明度的优势。

来源：摩尔光伏2020-02-13

硅衬底是异质结界面的一部分，其品质是决定电池性能的关键因素之一。

来源：光伏测试网2020-01-31

pecvd分rfcvd（射频等离子体化学气相沉积）与vhfcvd（甚高频等离子体化学气相沉积），差异主要是射频频率，总体来说rfcvd沉积非晶硅均匀性较好，但成膜质量不如vhfcvd，并且对硅衬底的轰击也强于

来源：国金证券2020-01-31

hjt 的技术原理为：以 n 型单晶硅(c-si)为衬底光吸收区，经过制绒清洗 后，其正面依次沉积厚度为 5-10nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-si:h)和掺杂的 p 型非晶硅(p-a-si:h)，和硅衬底形成

来源：光伏每日头条2020-01-10

而且低温环境使得a_si：h基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，单品硅片弯曲变形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（约80μm）；同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化

来源：摩尔光伏2019-10-18

但其优势也很突出，具有优异的选择性钝化接触特性，低温条件下就可以制备，且对硅衬底表面的洁净度要求不高。...fraunhoferise采用一种无光刻、加工速度快、适用各种不同硅衬底的技术，获得的peｒc电池效率超过21%，具有很好的产业化前景［27］。

来源：光伏测试网2019-09-18

该电池具有双面对称结构，n型硅衬底两侧两层薄本征非晶硅层，正面一层p型非晶硅发射极层，背面一层n型非晶硅膜背表面场；在两侧非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜，最后制备金属栅极。

来源：摩尔光伏2019-06-18

太阳能电池同时也具有天然的优势，如前所说，p型单晶硅成本低，易获得;p型衬底太阳能电池对界面的要求较低，因此对生产环境的要求比较宽松，易于制备，这对于大型的商业化利用有很大的好处，可以很大程度上节省成本;另外，对p型硅衬底

来源：材料导报、摩尔光伏2019-05-13

但其优势也很突出，具有优异的选择性钝化接触特性，低温条件下就可以制备，且对硅衬底表面的洁净度要求不高。...fraunhoferise采用一种无光刻、加工速度快、适用各种不同硅衬底的技术，获得的perc电池效率超过21%，具有很好的产业化前景。

来源：光伏测试网2019-03-28

但其优势也很突出，具有优异的选择性钝化接触特性，低温条件下就可以制备，且对硅衬底表面的洁净度要求不高。...fraunhofer ise采用一种无光刻、加工速度快、适用各种不同硅衬底的技术，获得的perc电池效率超过21%，具有很好的产业化前景。

来源：《全球工程前沿2018》2018-12-21

基于碳化硅（sic）和氮化镓（gan）材 料的新型高压高频电力电子器件，能满足智能电网 和新能源技术高能效、高功率密度和更多新功能的 发展需求，其主要技术方向包括高质量sic 厚外延 和硅衬底gan 外延技术

来源：《全球工程前沿2018》2018-12-21

基于碳化硅（sic）和氮化镓（gan）材 料的新型高压高频电力电子器件，能满足智能电网 和新能源技术高能效、高功率密度和更多新功能的 发展需求，其主要技术方向包括高质量sic 厚外延 和硅衬底gan 外延技术

来源：《全球工程前沿2018》2018-12-21

基于碳化硅（sic）和氮化镓（gan）材 料的新型高压高频电力电子器件，能满足智能电网 和新能源技术高能效、高功率密度和更多新功能的 发展需求，其主要技术方向包括高质量sic 厚外延 和硅衬底gan 外延技术

来源：北极星环保网2018-10-08

制定完善省级制造业创新中心建设布局，促进硅衬底半导体照明、有机硅、稀土功能材料等创新中心尽快发挥作用，推动共性关键技术突破并首次商业化应用。

来源：江西省工信委2018-09-30

制定完善省级制造业创新中心建设布局，促进硅衬底半导体照明、有机硅、稀土功能材料等创新中心尽快发挥作用，推动共性关键技术突破并首次商业化应用。

来源：北极星电力网2018-09-29

制定完善省级制造业创新中心建设布局，促进硅衬底半导体照明、有机硅、稀土功能材料等创新中心尽快发挥作用，推动共性关键技术突破并首次商业化应用。...制定完善省级制造业创新中心建设布局，促进硅衬底半导体照明、有机硅、稀土功能材料等创新中心尽快发挥作用，推动共性关键技术突破并首次商业化应用。

来源：北极星环保网2018-06-12

聚焦半导体照明、集成电路封装测试、通信设备、数字音视频等核心领域，重点攻克触摸屏、高清摄像模组等关键元器件技术，加快硅衬底led原创技术产业化，加大生物识别等前沿技术开发力度。

来源：北极星输配电网整理2018-05-15

晶能光电是中国大功率led产业龙头企业，全球硅衬底led技术的主导者。...围绕公司自主创新的硅衬底led技术在全球已申请或拥有340多项专利，获得2015年度国家技术发明奖一等奖，2012年信息产业重大技术发明，是全球第三条蓝光led技术路线。

来源：OFweek2018-04-27

而且低温环境使得a_si：h基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，单品硅片弯曲变形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（约80m）；同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化

来源：天合光能2018-02-14

天合光能自主研发的可商业化光电转换效率25.04%的ibc太阳电池，是迄今为止经第三方权威认证的中国本土首次效率超过25%的单结晶体硅电池，也是目前世界上大面积6英寸晶体硅衬底上制备的晶体硅电池的最高转换效率