来源：中国材料进展2018-06-29

laik等通过两步cvd的方法制备了si纳米颗粒与碳纳米管复合材料，碳纳米管能连接si和金属集流体，这有利于电子和锂离子的传输，使其表现出优异的电化学性能。...jia等利用高能球磨和cvd的方法合成了碳包覆的nisi2 /si核-壳结构，且nisi2材料为多孔结构。这种多孔的核-壳结构能有效的缓冲体积膨胀。

来源：盖世汽车网2018-06-19

该大学团队通过微波-等离子体化学气相沉积(mpcvd)技术合成了纳米金刚石界面，该技术在涂层应用上成本非常低。

来源：石墨邦2018-06-11

最近，更有日本研究者开发了低温cvd方法直接将石墨烯生长在塑料或者二氧化硅基底上，来避免单晶膜转移时可能受到的损伤。预计2018年会有更新颖的石墨烯制备技术出现。...美国能源部旗下的阿贡国家实验室(argonne national laboratory)新开发了一个应用金刚石衬底材料通过超高速化学气相沉积(cvd)法制备单晶石墨烯的技术，这个技术可以大大降低石墨烯膜的成本

来源：新兴产业观察者2018-06-07

同时中南大学、武汉理工大学以及北京化工大学等研究机构也都有研究，其中中南大学提出了化学气相沉积(cvd)热解炭改性碳纸的新技术，发明了与变形机制高度适应的异型结构碳纸，采用干法成型、cvd、催化炭化和石墨化相结合的连续化生产工艺

来源：摩尔光伏2018-05-28

3.2激光掺杂实验结果用四探针对激光扫描的2020mm的样片进行方块电阻的测量，然后四组实验在相同的工艺条件下进行洗磷刻蚀、pecvd镀减反膜、丝网印刷电极和烧结，制成成品电池片，并测试其电性能参数，不同激光功率对重掺杂区方块电阻以及最终对电池串联电阻的影响如表

来源：北极星输配电网整理2018-05-15

北方华创微电子的主要产品包括刻蚀、pvd、cvd、氧化/扩散、清洗、气体质量流量计等高端半导体工艺装备及核心零部件，广泛应用于集成电路、先进封装、半导体照明、微机电系统、功率半导体、化合物半导体、新能源光伏

来源：能源学人2018-05-14

作者先对高质量石墨烯薄膜的制备，围绕气相沉积(cvd)、液相剥离 (lpe)和氧化-还原法(oxidation-reduction)三大方面展开讨论，重点对cvd的优劣以及卷对卷规模化制备大面积石墨烯基柔性透明导电薄膜等方面进行了详细阐述

来源：清新电源2018-05-09

为了制备llzo薄膜，可以采用溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积 (pld)、基于有机-金属前驱体的化学气相沉积法 (la-cvd)、静电纺丝、气溶胶沉积法 (ad)、射频磁控溅射等方法。...为了减小llzo-li界面电阻，还可以用等离子体增强化学气相沉积 (pecvd)、原子层沉积 (ald)、磁控溅射、蒸发镀膜等方法在llzo与锂负极之间引入组分为si、ge、au、zno、al2o3等的缓冲层

来源：科学通报、石墨邦2018-05-07

相反,液相剥离法、化学气相沉积(cvd)生长等方法则可以得到缺陷更少的石墨烯.huang课题组比较了用氧化-还原法、cvd法等得到的石墨烯作为lfp的导电剂的效果....虽然cvd制备的石墨烯缺陷少、电子导电率高, 但是cvd方法制备的石墨烯成本较高; 另外, 少缺陷石墨烯也不利于锂离子的传输,将会对电池的倍率性能造成影响.在产业界, 液相剥离法得到的石墨烯已被大量用于锂离子电池导电剂

来源：OFweek2018-04-27

图表2：hit太阳能电池工艺流程资料来源：ofweek行业研究中心制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用pecvd法制备。

来源：AutoR智驾2018-04-17

我们刚刚介绍的是从上到下的方法，为了得到更高质量的、大面积的石墨烯，我们采用了从下到上的方法，就是cvd的方法。我们2011年开发了常压cvd，在薄膜上生产石墨烯。...刚刚讲了cvd方法是薄膜，如果单纯的石墨烯是0.7毫克，企业界的人士如果想用在锂电或者储能器件上那是非常困难的，成本也太高了。所以cvd方法能不能规模生长石墨烯?

来源：锂电联盟会长2018-04-02

用cvd法可以制备出高质量大面积的石墨烯，但是理想的基片材料单晶镍的价格太昂贵，这可能是影响石墨烯工业化生产的重要因素。cvd法可以满足规模化制备高质量石墨烯的要求，但成本较高，工艺复杂。

来源：锂电联盟会长2018-03-29

)和物理气相沉积法(pvd).cvd是一种用于生产高质量、高性能的固体材料的化学过程，这个方法通常应用于半导体领域的薄膜制造.pvd是一种真空沉积法，可以用来制作薄膜和涂层.pvd是材料从凝聚态转变为气态..., 2014, 16(9): 4135. bke f, giner i, keller a, et al. plasma-enhanced chemical vapor deposition (pe-cvd

来源：雷锋网2018-03-19

不仅如此，很多经过物理/化学气相沉积(pvd/cvd)制备的全固态电池，其整体厚度可能只有几十个微米，因此就可以制成非常小的电源器件，整合到mems(微机电系统)领域中。...问题之一：成本依然偏高，制备工艺复杂，技术不够成熟目前的全固态锂电池的电解质主要有有机和无机两大体系，成本总体偏高，尤其是无机体系的电池很多采用cvd/pvd等复杂的工艺制备，生产(沉积薄膜)速度慢，成本昂贵

来源：中国粉体网2018-03-14

例如，与石墨烯粉体的制备相比，cvd石墨烯薄膜的生产成本要高多，资金投入也要更大，这也是目前大多企业布局开发石墨烯粉体及其下游应用产品的因素之一。...材料研发企业一般具有许多专用性资产，特别是生产线(反应釜、cvd沉积设备等)，一旦当企业退出时，很难将这些资产转为他用，生产其它产品，也难以将这些资产以公平的价格卖给其它生产同类产品的企业。

来源：锂电大数据2018-03-13

2016年，韩国一家研究所通过化学气相沉积(cvd)法，有效解决了硅体积膨胀的问题，推动碳-纳米硅-石墨复合负极材料大规模生产。

来源：哈尔滨工业大学2018-03-09

这项工作首创了一种三维石墨烯连续纤维材料，突破了热cvd不能生长立式石墨烯的难题，找到了快速生长的催化热解方法，并进行了大尺寸块体材料生长示范，消除了立式石墨烯规模化应用的主要障碍，可望快速实现规模化生产...目前的三维石墨烯制备技术存在孔隙过大、活性边缘缺失、缺陷多、杂质多、导电性差、力学性能差等问题，材料科学与工程学院博士生曾杰在导师于杰的指导下，利用热化学气相沉积(cvd)成功实现石墨烯片在电纺纳米碳纤维表面的垂直定向生长

来源：PV兔子2018-02-27

首先使用热生长在硅片两面得到2.2nm氧化层，lpcvd沉积本征多晶硅使用硼离子注入将背面的多晶硅掺杂为p型背面使用光刻技术开孔，留光刻胶作为阻隔层，两面离子注入进行磷掺杂，背面得到交错的p和n掺杂区域高温退火...正面掺杂的多晶硅对硅片起到吸杂(gettering)的效果去除正面氧化层，再使用光刻技术对背面氧化层开孔使用koh刻蚀，正面制绒，背面断开掺杂区域的衔接ald生长20nm的alox用作钝化，正面再用pecvd

来源：北极星环保网2018-02-06

青春康源制药公司中药配方颗粒生产项目 17000 四新经济项目16 玢华实业公司带钢生产项目 1000017 炬煌磁电硅钢及薄板加工生产项目 23000 四新经济项目18 赛维ldk光伏硅公司hc-2和cvd

来源：SOLARZOOM2018-01-30

发言人说，印度在近期的太阳能关税中被豁免，印度ad / cvd需求的将会大幅增长，加上美国市场的预期需求，隆基将会持续扩大产能。