来源：《科技创新与应用》2016-09-27

图2中c表示电容，d表示二极管，s表示开关，t表示绝缘栅双极型晶体管，r表示电阻，l表示电感；t1、t2、t3、t4、t5及t6共同组成igbt的abc桥型电路。

来源：新能量e电工2016-09-26

2.划分单元电路一般来讲，晶体管、集成电路等是各单元电路的核心元器件。因此，我们可以以晶体管或集成电路等主要元器件为标志，按照信号处理流程方向将电路图分解为若干个单元电路，并据此画出电路原理方框图。

来源：北极星环保网2016-09-26

自主发展各系列的cpu产品,形成自主芯片开发、升级和应用的核心能力;加快推进新建12英寸生产线建设,支持16/14纳米工艺量产及10纳米先导工艺技术研发,发展嵌入式闪存、微机电系统(mems)、绝缘栅双极型晶体管...建立完善的智能网联汽车标准、自主研发、检测认证、示范应用与生产配套等体系;持续推进智能驾驶辅助系统(adas)等安全智能化技术的研发及产业化,推动整车网络体系构架、网络操作系统、嵌入式系统平台建设,不断优化绝缘栅双极型晶体管

来源：北极星电力网2016-09-26

自主发展各系列的cpu产品,形成自主芯片开发、升级和应用的核心能力;加快推进新建12英寸生产线建设,支持16/14纳米工艺量产及10纳米先导工艺技术研发,发展嵌入式闪存、微机电系统(mems)、绝缘栅双极型晶体管...建立完善的智能网联汽车标准、自主研发、检测认证、示范应用与生产配套等体系;持续推进智能驾驶辅助系统(adas)等安全智能化技术的研发及产业化,推动整车网络体系构架、网络操作系统、嵌入式系统平台建设,不断优化绝缘栅双极型晶体管

来源：正尔科技2016-09-22

简化等效图如(b)，可看出这是用双极型晶体管与mosfet组成的达林顿结构，相当于一个由mosfet驱动的厚基区pnp晶体管。图rn为晶体管基区内的调制电阻。...下图(a)给出了一种由n沟道mosfet与双极型晶体管组合构成的igbt（为n沟道igbt）的基本机构。

来源：北极星电力网2016-09-19

3、控制系统加快发展混合动力多能源管理系统、整车控制系统、无人驾驶控制系统，积极发展大功率绝缘栅双极晶体管(igbt)等车用功率型电子元器件。...关键技术：积极探索石墨烯材料、磷酸铁锂电池、三元锂电池、氢燃料电池、储能型电池组、绝缘栅双极晶体管等核心技术，着力突破电源管理系统、混合动力系统、电动汽车变速器、轻量化材料、智能控制等关键技术。

来源：北极星输配电网2016-09-19

3、控制系统加快发展混合动力多能源管理系统、整车控制系统、无人驾驶控制系统，积极发展大功率绝缘栅双极晶体管(igbt)等车用功率型电子元器件。...专栏1：半导体产业发展重点2、新型显示产业积极引进先进工艺技术，加快建设8.6代tft-lcd(薄膜晶体管液晶显示器)生产线，抢占4k/8k超高清大屏幕电视、大尺寸igzo(铟镓锌氧化物)面板等产业高地

来源：北极星输配电网2016-09-18

充电桩心脏mosfet国内外知名厂家解析mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)，金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管

来源：NE电气2016-09-18

积分控制将谐振变换器下方的驱动晶体管短路，减小了原边电流峰值。通过这种控制方式，系统实现了能量流动控制，且保证了系统的安全稳定运行。如下图所示。

来源：ittbank2016-09-18

mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)，金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。...官网：/11、无锡华润华晶微电子有限公司总部：无锡主营：以功率器件为核心，主导产品为双极型功率晶体管、mos型功率晶体管、igbt和特种二极管。

来源：离子心2016-09-10

由于晶体管是最基础电子元件，因此也是cnt电子技术的主攻方向。然而，由于碳纳米管的管壁厚度只有一个原子，因此它的三极管的研发之路面临诸多挑战。...长期以来，cnt晶体管的性能远远低于传统的硅和砷化镓材料三极管。近日，美国威斯康星大学麦迪逊分校的材料科学家们首次制成了性能超过硅三极管的cnt三极管。

来源：中联电力2016-09-01

160、电磁型继电保护和晶体管继电保护是怎样起动的？...答：在电磁型继电保护装置中，继电器线圈通电后，通过衔铁带支触点接通或断开回路来起动保护；而晶体管保护装置则是采用电流电抗变压器通电后，在其二次形成的电位变化使晶体管导通或截止来起动保护的。

来源：中国节能在线2016-08-29

近年来，采用电力晶体管(gtr)和可关断晶闸管(gto)及脉宽调制(pwm)技术等构成的有源滤波器，可对负荷电流作实时补偿。

来源：新材料在线2016-08-29

2014年10月，ibm研究人员发现石墨烯材料能大幅降低蓝光led成本，而这种技术有机会催生高频晶体管、光探测器、生物传感器以及其他后硅时代组件，为此，该公司计划未来5年内投入30亿美元研究下一代芯片技术

来源：云回路2016-08-26

（4）使某些类型的继电保护，如晶体管整流型距离保护、变压器及母线复合电压保护由于相位变化而误动或拒动。（5）使通信回路、弱电回路产生杂音，甚至造成故障。抑制谐波的措施：（1）由短路容量大的电网供电。

来源：中文科技资讯2016-08-25

为了解决传统电池自放电的问题，osu团队模仿人体细胞膜能够根据电刺激做出打开、闭合细孔的特点，开发出了名为离子氧化还原晶体管(ionic redox transistor)的研究成果，这是一种导电聚合薄膜...研究小组展示智能电池薄膜在传统电池中的应用的同时，还表示他们的终极目标是利用该项技术和现有的氧化还原液流电池制造出氧化还原晶体管电池(redox transistor battery)，实现与标准电池一样的充电功能

来源：北极星储能网2016-08-23

加快自主封装水平和系统集成能力提升，配套发展大功率车用绝缘栅双极晶体管(igbt)模块等配套器件。控制系统及配套软件。

来源：锂粉焙烧技术2016-08-22

特别是其在锂离子电池/钠离子电池，晶体管电子元器件和下一代太阳能电池等领域具有十分广阔的应用前景。今天小编就带大家了解一下磷烯材料在这三个领域的应用，以及磷烯材料的几种制备工艺。...相比于其他二维材料如石墨烯、mos2等，磷烯材料的各项参数虽然不是最优秀的，但是其各项指标都相对平衡，因此保证了磷烯材料具有良好的特性，并且磷烯具有可调节能带间隙这一属性，这就使得其具有更为广阔的应用范围，例如晶体管

来源：和讯网2016-08-18

使用石墨烯作为基质生产出的处理器能够达到thz(即1000ghz)，ibm已经在2010年研制出运行速度超快的石墨烯晶体管，其最大频率可以达到230ghz，远远超过现在的硅基晶体管运行速度。

来源：烯碳资讯2016-08-18

汽车电路目前，电路技术所用硅晶体管尺寸已经接近了相关物理定律极限，在尺寸方面难有更大突破。...研究表明，与硅相比，电子在石墨烯内移动阻力更小，消耗能量更少;同时，基于石墨烯的晶体管尺寸可以更小，从而可实现更高的集成度。因此，石墨烯被称之为后摩尔时代取代硅的微电子材料。