来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-05-24

电感专利技术(专利号：201520371560.8)晶体管压接技术与常规压接技术对比2、器件工程古瑞瓦特设有专门的器件可靠性部门，由多位有十几年经验的器件工程师对器件的品质进行严格把控。...古瑞瓦特已取得晶体单管压接工艺专利，这种压接工艺确保晶体管能够在长期的工作过程中紧密均匀贴合散热器，确保晶体管长期的散热可靠性，间接地保护逆变器的稳定性和寿命;为了确保电感的质量和可靠性，古瑞瓦特自主研发了密封罐胶电感

来源：智能电网开关柜2018-05-22

（4）、电压接口电平转换电路主要用在直流电路上，包括快速切换的晶体管方式。用户选择电平转换为高和转换为低，以匹配于所需要的输出高逻辑电平和低逻辑电平。用在遥信和遥控的信号电平转换。

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-05-21

高品质逆变器内部核心元器件全部采用国际一流品牌;其中开关管元器件，在工艺上采用古瑞瓦特自主创新的晶体管压接技术专利，保证了晶体管的压接牢靠和高效散热，从而保证了产品的高品质和高可靠，如下对比图所示：古瑞瓦特自主专利的晶体压接方式

来源：科华恒盛2018-05-14

以电脑处理器（cpu）为例，从沙子到芯片，需要经过提纯硅、切割成硅圆片、研磨硅圆片、涂抹光刻胶、蚀刻、离子注入、构建晶体管之间连接电路等5000道复杂工序，对生产设备、环境有严苛的要求。

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-05-11

利用碳化硅材料制作的igbt(绝缘栅双极晶体管)等功率器件，其通态阻抗减为通常硅器件的十分之一，碳化硅技术可以有效减小二极管反向恢复电流，从而能降低功率器件上的开关损耗，主开关所需的电流容量也能相应减小

来源：中国电机工程学报2018-05-09

其中,双向开关由两只绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)器件反向串联构成。...现有的pet中,主要采用的高压sic器件包括金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)和igbt

来源：低碳工业网2018-05-08

光伏逆变器分类有关逆变器分类的方法很多，例如：根据逆变器输出交流电压的相数，可分为单相逆变器和三相逆变器;根据逆变器使用的半导体器件类型不同，又可分为晶体管逆变器、晶闸管逆变器及可关断晶闸管逆变器等。...1、集中型逆变器集中逆变技术是若干个并行的光伏组串被连到同一台集中逆变器的直流输入端，一般功率大的使用三相的igbt功率模块，功率较小的使用场效应晶体管，同时使用dsp转换控制器来改善所产出电能的质量，

来源：前瞻产业研究院2018-05-02

在电控技术发展领域，igbt，即绝缘栅双极型晶体管的发展对于电控技术的突破和电控成本的降低极为关键。

来源：电力系统自动化2018-04-19

随着以绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistors，igbt)为代表的全控型功率半导体器件的技术进步，基于电压源换流器的高压直流输电技术日趋成熟。

来源：《电气技术》杂志2018-04-10

电路触发的过零点与实际过零点时间差t由达林顿驱动电路晶体管vt1、vt2和光耦d1的导通延时t1和电容c2、c3的充电时间t2决定。

来源：动力电池技术2018-04-04

这些方法包括电阻分压器方法，光耦合隔离放大器方法，离散晶体管的方法 ，分布式测量方 ，光耦合中继方法 等等。目前，电池的电压和温度采样已形成芯片产业化，表1比较了大多数bms所用芯片的性能。

来源：北极星环保网2018-03-22

包括薄膜晶体管液晶显示器件（tn/stn-lcd、tft-lcd）、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件（ltps-tft-lcd）、有机发光二极管显示器件（oled）、真空荧光显示器件（vfd）、场发射显示器件

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-03-19

（2）h5拓扑结构这种拓扑结构相比于全桥只需要增加一个的晶体管，这就是它命名h5的原因。电流续流期间将光伏电池从电网断开，以防止面板两极对地电压随开关频率波动，从而保持共模电压几乎不变。

来源：中项网2018-03-05

常州英科环境科技有限公司常州市污泥焚烧中心一期项目北京再生能源发电厂项目配套烟气净化设施项目保定蠡县污水处理有限公司蠡县污泥无害化处理项目山西金象煤化工有限责任公司235t锅炉烟气脱硫改造项目（epc）二连浩特市生态污水处理中心采购污泥无害化项目滁州惠科光电第8.6代薄膜晶体管液晶显示器件项目配套废气项目山东万洁环保科技有限公司

来源：中国科学报2018-03-02

肖劲松也指出，美国专利布局重点在集成电路、晶体管、传感器、信息存储、增强复合材料等领域，注重对整个产业链的全面布局和保护。

来源：河北省人民政府2018-02-13

英寸碳化硅(sic)、氮化镓(gan)单晶及外延产业化，加快12英寸硅外延研发，推进高端传感器、光机电集成微系统(mems)、光通信器件、半导体激光器、射频芯片、探测器芯片、高端晶体振荡器、绝缘栅双极型晶体管

来源：北极星环保网2018-02-11

国家存储器基地一期华星光电第6代柔性ltps-amoled显示面板生产线四期武汉国家航天产业基地东风本田汽车有限公司生产能力扩建东风格特拉克汽车变速箱有限公司导入dct200双离合自动变速箱武汉高世代薄膜晶体管液晶显示器件

来源：中国能源报2018-02-09

此外，国外申请主体以ibm、intel等大型跨国公司为主，专利布局围绕产业链，重点在集成电路、晶体管、传感器、信息存储、增强复合材料等领域布局，注重对整个产业链的全面布局和保护。

来源：北极星环保网2018-02-08

基于物联网和云平台的集成式智能光引擎的研制及应用24、基于多频点聚合与动态感知技术的低频无线能源物联网研发及产业化25、锂离子电池高容量硅基负极材料的开发与应用26、高速动车组玻璃结构优化、检测评价技术与设备开发应用27、ffs模式用薄膜晶体管液晶材料的研发与产业化

来源：中国能源报2018-02-07

此外，国外申请主体以ibm、intel等大型跨国公司为主，专利布局围绕产业链，重点在集成电路、晶体管、传感器、信息存储、增强复合材料等领域布局，注重对整个产业链的全面布局和保护。