来源：亮报2018-06-20

进入90年代以后，随着可关断开关器件的发展，特别是绝缘栅双极型晶体管igbt的广泛应用，采用可关断器件的电压源换流器性能得到了改善，后来被引入到直流输电领域。

来源：国家电网报2018-06-19

作为世界上首个将绝缘栅双极型晶体管(igbt)作为主功率元件的upfc工程，其成功投运意味着国家电网公司在upfc关键技术的掌握上又迈进了一大步。

来源：国家电网报2018-06-19

作为世界上首个将绝缘栅双极型晶体管(igbt)作为主功率元件的upfc工程，其成功投运意味着国家电网公司在upfc关键技术的掌握上又迈进了一大步。

来源：输配电世界2018-06-06

h桥采用绝缘栅双极晶体管(igbt)。h桥被控制为直接向传输线中注入电压以维持期望的电抗。它通过检测ct1(电流感应)线路电流来确定正确的注入电压大小以保持所需的电抗。

来源：户用光伏网2018-06-01

逆变器主要由晶体管等开关元件构成，通过有规则地让开关元件重复开-关（on-off），使直流输入变成交流输出。当然，这样单纯地由开和关回路产生的逆变器输出波形并不实用。

来源：电子发烧友网2018-05-30

逆变器主要由晶体管等开关元件构成，通过有规则地让开关元件重复开-关（on-off），使直流输入变成交流输出。当然，这样单纯地由开和关回路产生的逆变器输出波形并不实用。

来源：电力电子网2018-05-29

晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。...若在igb模块t的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则mosfet导通，这样pnp晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若igbt的栅极和发射极之间电压为0v，则mosfet截止，切断pnp

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-05-24

电感专利技术(专利号：201520371560.8)晶体管压接技术与常规压接技术对比2、器件工程古瑞瓦特设有专门的器件可靠性部门，由多位有十几年经验的器件工程师对器件的品质进行严格把控。...古瑞瓦特已取得晶体单管压接工艺专利，这种压接工艺确保晶体管能够在长期的工作过程中紧密均匀贴合散热器，确保晶体管长期的散热可靠性，间接地保护逆变器的稳定性和寿命;为了确保电感的质量和可靠性，古瑞瓦特自主研发了密封罐胶电感

来源：智能电网开关柜2018-05-22

（4）、电压接口电平转换电路主要用在直流电路上，包括快速切换的晶体管方式。用户选择电平转换为高和转换为低，以匹配于所需要的输出高逻辑电平和低逻辑电平。用在遥信和遥控的信号电平转换。

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-05-21

高品质逆变器内部核心元器件全部采用国际一流品牌;其中开关管元器件，在工艺上采用古瑞瓦特自主创新的晶体管压接技术专利，保证了晶体管的压接牢靠和高效散热，从而保证了产品的高品质和高可靠，如下对比图所示：古瑞瓦特自主专利的晶体压接方式

来源：科华恒盛2018-05-14

以电脑处理器（cpu）为例，从沙子到芯片，需要经过提纯硅、切割成硅圆片、研磨硅圆片、涂抹光刻胶、蚀刻、离子注入、构建晶体管之间连接电路等5000道复杂工序，对生产设备、环境有严苛的要求。

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-05-11

利用碳化硅材料制作的igbt(绝缘栅双极晶体管)等功率器件，其通态阻抗减为通常硅器件的十分之一，碳化硅技术可以有效减小二极管反向恢复电流，从而能降低功率器件上的开关损耗，主开关所需的电流容量也能相应减小

来源：中国电机工程学报2018-05-09

其中,双向开关由两只绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)器件反向串联构成。...现有的pet中,主要采用的高压sic器件包括金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)和igbt

来源：低碳工业网2018-05-08

光伏逆变器分类有关逆变器分类的方法很多，例如：根据逆变器输出交流电压的相数，可分为单相逆变器和三相逆变器;根据逆变器使用的半导体器件类型不同，又可分为晶体管逆变器、晶闸管逆变器及可关断晶闸管逆变器等。...1、集中型逆变器集中逆变技术是若干个并行的光伏组串被连到同一台集中逆变器的直流输入端，一般功率大的使用三相的igbt功率模块，功率较小的使用场效应晶体管，同时使用dsp转换控制器来改善所产出电能的质量，

来源：前瞻产业研究院2018-05-02

在电控技术发展领域，igbt，即绝缘栅双极型晶体管的发展对于电控技术的突破和电控成本的降低极为关键。

来源：电力系统自动化2018-04-19

随着以绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistors，igbt)为代表的全控型功率半导体器件的技术进步，基于电压源换流器的高压直流输电技术日趋成熟。

来源：《电气技术》杂志2018-04-10

电路触发的过零点与实际过零点时间差t由达林顿驱动电路晶体管vt1、vt2和光耦d1的导通延时t1和电容c2、c3的充电时间t2决定。

来源：动力电池技术2018-04-04

这些方法包括电阻分压器方法，光耦合隔离放大器方法，离散晶体管的方法 ，分布式测量方 ，光耦合中继方法 等等。目前，电池的电压和温度采样已形成芯片产业化，表1比较了大多数bms所用芯片的性能。

来源：北极星环保网2018-03-22

包括薄膜晶体管液晶显示器件（tn/stn-lcd、tft-lcd）、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件（ltps-tft-lcd）、有机发光二极管显示器件（oled）、真空荧光显示器件（vfd）、场发射显示器件

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-03-19

（2）h5拓扑结构这种拓扑结构相比于全桥只需要增加一个的晶体管，这就是它命名h5的原因。电流续流期间将光伏电池从电网断开，以防止面板两极对地电压随开关频率波动，从而保持共模电压几乎不变。