来源：电子工程世界2011-03-23

20世纪60年代以后，电力电子器件经历了scr(晶闸管)、gto(门极可关断晶闸管)、bjt(双极型功率晶体管)、mosfet(金属氧化物场效应管)、sit(静电感应晶体管)、 sith(静电感应晶闸管

来源：现代电子技术2011-03-22

4ds18b20与单片机的典型接口设计以mcs51单片机为例，图3中采用寄生电源供电方式， p11口接单线总线为保证在有效的ds18b20时钟周期内提供足够的电流，可用一个mosfet管和89c51

来源：互联网2011-03-04

大功率 igbt 既有 mosfet 的容易驱动和电流共享特性，又有1ms 的开关时间。虽然转换线路频率所需的 pwm 频率很低，仅为几千赫兹，但这种快速切换在igbt穿越线性工作区时可减小传导损耗。

来源：EEWORLD2011-03-01

恩智浦还供应各种超低功耗的微控制器、驱动器、mosfet以及其它元件，以满足太阳能技术发展的需求，而较竞争技术，太阳能技术可提供更高的性能和效率。...700伏电压下运行的小型设备;abcd9和co50pmu工艺，为电流转换应用领域制定了高达120伏的新性能基准，并将推出卓越的直流/直流转换器;以及之前提到的氮化镓工艺，可生产传导和切换损耗极低的功率mosfet

来源：广州市爱浦电子科技有限公司2011-01-18

在10mω负载的情况下，通往负载路径上的每mω电阻都会使效率下降10%，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及mosfet的管芯接线等对效率都有影响。...由于每相输出电流减小，可以采用较小的功率mosfet和较小的电感器和电容器，这样也简化了设计。

来源：慕尼黑上海电子展2011-01-11

国际电力电子创新论坛”主要议题包括：功率转换：高效电源转换方案，新型开关电源设计、高频开关电源、矩阵变换器、直流变换电源技术、数字控制技术、pwm、pfc、软开关技术、有源钳位、同步整流、igbt集成功率模块、mosfet

来源：互联网2010-12-31

更高级的设计还可采用变压器磁通复位控制和高压端mosfet充电恢复开关，以进一步降低开关损耗。...通过这种创新组合可设计出效率极高的电源，同时只需使用更小的mosfet、更少的无源及分离元件以及成本更低的变压器。

来源：中国传动网2010-12-13

sic可以用来制造射频和微波功率器件、高频整流器、mesfet、mosfet和jfet等。...而现代ups普遍采用了脉宽调制技术和功率mosfet、igbt等现代电力电子器件，使用现代电力电子器件让电源的噪声得以降低，功率和可靠性增大。

来源：中国投资咨询网2010-10-12

85照明供电电路结构框图 图表86高频逆变电路输出电流波形（感性负载） 图表87太阳光发电控制系统构成图 图表88太阳能电池的电压-电流特性 图表89太阳能电池的输出关系图 图表90程序流程图 图表91mosfet

来源：互联网2010-06-13

新一代的igbt、igbt模块、mosfet和碳化硅二极管的使用，使效率的标杆正在不断被刷新。”他说。　　　　...光伏发电系统市场的增长使逆变器、控制器的供应商如合肥阳光电源，以及功率器件mosfet、igbt的主要供应商如英飞凌、飞兆、赛米控等半导体公司直接受益。

来源：互联网2010-06-08

☆功率mosfet晶体管，主要负责3.3v输出。这款电源的mosfet型号为php45n03lt，最大可允许45a的电流通过。...为了易于理解，我们用在字母标记了每一颗mosfet开光管：s表示源极（source）、d表示漏极（drain）、g表示栅极（gate）。 　　

2010-04-22

它既有功率mosfet易于驱动、控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的显著优点。...igbt 绝缘栅双极型晶体管（igbt：insulated gate bipolar transistor）是一种mosfet与双极晶体管复合的器件。

来源：互联网2010-04-15

三菱电机半导体产品包括三菱功率模块（igbt、ipm、dipipmtm、hvigbt、mosfet等）、三菱微波/射频和高频光器件、光模块等产品，其中三菱功率模块在电机控制、电源和白色家电的应用中有助于您实现变频

来源：互联网2010-01-15

diodes的产品主要包括二极管、整流器、晶体管、mosfet、保护器件、针对特定功能的阵列，放大器和比较器，霍尔效应传感器, 以及涵盖led驱动器、直流-直流切换、调节器 、线性稳压器和电压参考在内的功率管理器件

来源：互联网2009-09-28

内置的数字软启动和集成的功率mosfet控制浪涌电流，并减少了所需的外部元件数量。max17100从2.5v至6v输入可以产生高达18v的输出电压，效率高于85%。

来源：阿拉丁照明网2009-09-27

另一类不含功率开关，需要外接功率mosfet，称dc/dc控制器。...boost升压方式也出现了采用mosfet代替二极管的同步boost的产品。在低压领域，增加效率的幅度很大，而且正在设法进一步消除mosfet的体二极管的导通及反向恢复问题。 　　

来源：互联网2009-09-27

功率mosfet，500v、to220封装的hexfet自1996年以来，其通态电阻以每年50%的速度下降。...功率场效应管（mosfet）由于单极性多子导电，显著地减小了开关时间，因而很容易地便可达到1mhz的开关工作频率而受到世人瞩目。

来源：互联网2009-09-27

源极s：连接内部mosfet功率管的源极，最初级控制电路的公共端和参考点。 　　开关频率选择端f：用于选择开关频率的输入端，该端与s端相连可得到130khz开关频率，这有助于减小高频变压器的体积。...3结论 　　topswitch-fx系列内部集成了功率开关mosfet及各种保护电路，配合外部电路可以实现多达14种控制功能，而将该电路与微控制器（不限于8051）结合使用则能实现更多功能并体现设计的灵活性

来源：维库开发网2009-09-27

5.外部mosfet的连接 　　由于外部mosfet放在ic以外，设计工程师可以选择防雪崩器件。在某些情况下无需有源箝位网络就能够工作，例如低输出功率的应用。...在电路中可以控制mosfet的栅极。由于它的雪崩性能与低漏感变压器的设计相结合，设计工程师不再需要其它电路所用的昂贵的箝位网络。

来源：互联网2009-09-27

关注点一：功率半导体器件性能 　　1998年，infineon公司推出冷mos管，它采用“超级结”（super-junction）结构，故又称超结功率mosfet。...功率半导体器件从双极型器件（bpt、scr、gto）发展为mos型器件（功率mosfet、igbt、igct等），使电力电子系统有可能实现高频化，并大幅度降低导通损耗，电路也更为简单。