来源：深圳市工业和信息化局2026-03-25

强化“电力电子+”能力跃迁，推动新一代hvdc供电方案迭代，加快高压sic mosfet、高频gan功率器件、多相控制器与智能功率级（drmos）、高集成度功率模块等重点产品研发创新。

来源：深圳市工业和信息化局2026-03-24

强化“电力电子+”能力跃迁，推动新一代hvdc供电方案迭代，加快高压sic mosfet、高频gan功率器件、多相控制器与智能功率级（drmos）、高集成度功率模块等重点产品研发创新。...强化“电力电子+”能力跃迁，推动新一代hvdc供电方案迭代，加快高压sic mosfet、高频gan功率器件、多相控制器与智能功率级（drmos）、高集成度功率模块等重点产品研发创新。

来源：北极星储能网2026-03-04

公司主营产品涵盖材料板块，单晶硅棒、硅片、晶圆板块及封装器件板块（包括mosfet、igbt、sic系列产品等），产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5g通讯、工业及消费电子等领域。

来源：东方日升储能2026-02-12

碳化硅功率模块赋能：在此基础上，系统引入碳化硅（sic）mosfet，开关频率提升至传统igbt的3倍，显著降低器件损耗40%，pcs最大效率提升至99.1%，系统循环效率由86%提升至90%，在相同充电条件下释放更多有效电量

来源：高工储能2026-02-11

成本方面，预计2026年底碳化硅mosfet与硅基igbt的价格差距持续，高端器件国产化率提升至60%以上，推动碳化硅pcs成本下降15%-20%。...自2023年以来，碳化硅mosfet价格年均降幅达15%-20%，与硅基igbt的价格差距持续缩小，曾经“价高和寡”的碳化硅器件，正逐步走进规模化应用的“寻常百姓家”。

来源：北极星储能网2026-01-19

该项目旨在扩大引线框架和高导热铜针式散热底板等产品的产能，主要应用于mosfet、igbt、sic及功率模块等功率半导体封装。

来源：山东志伟2025-09-01

氧化层制备：构建器件核心绝缘 / 介质结构在半导体器件（如 mosfet、二极管）中，二氧化硅（sio₂）或其他氧化物层（如 al₂o₃）是核心的绝缘层或介质层，臭氧可通过 “低温氧化” 工艺精准制备高质量氧化层

来源：光明市发展和改革局2025-08-29

本措施重点支持：锂离子电池、钠离子电池、钠盐电池、液流电池、半固态/固态电池等先进电化学储能技术路线的新型材料、元器件（绝缘栅双极型晶体管igbt、金氧半场效晶体管mosfet、数字信号处理dsp等芯片

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2025-08-25

如聚焦可再生能源并网痛点，加大构网型技术研发，2025年上半年基于碳化硅（sic）mosfet技术，推出全新的sunny central storage up-s大型储能系统，在规模储能技术取得重要突破

来源：北极星太阳能光伏网2025-08-20

募集资金投资用途及投资规模不发生变更的情况下，公司根据目前募投项目的实施进展，拟对三个募投项目“第三代半导体sic/gan功率器件及封测的研发及产业化”、“功率驱动ic及智能功率模块（ipm）的研发及产业化”、“sic/igbt/mosfet

来源：北极星太阳能光伏网2025-06-25

coolsic™ mosfet g2技术又将以怎样的独特性能优势，逆风翻盘塑造新的格局？3.工业驱动，作为传统应用领域，在碳化硅技术的赋能下，能否焕发出全新的发展动力？

来源：西安市人民政府2025-05-16

制定产业链招商图谱和招商目标企业清单，招引硅片环节金刚线，电池环节浆料、网板，组件环节焊带、背板，逆变器环节igbt、mosfet等配套企业。到2027年，招引企业新增产值100亿元。

来源：北极星太阳能光伏网2025-05-07

苏州固锝认为，经过近两年的发展，新硅能微电子已经形成了自己特有的经营理念、经营策略、经营方法，其在功率mosfet、igbt等产品的研发路线符合苏州固锝的长期战略布局。...新硅能微电子股权转让前后股东持股情况资料显示，新硅能微电子成立于2023年2月21日，法定代表人为吴炆皜，注册资本1500万元，该公司聚焦si/sic基mosfet、igbt、frd、pim和ipm等产品的研发

来源：北极星储能网2025-04-27

面对这些挑战，业内对光伏逆变和pcs转换效率的关注度持续提升，越来越多的企业开始探索新型半导体材料的应用，如导入sic技术，用来作为硅mosfet或igbt的替代方案。

来源：科士达2025-04-10

2025年4月，德国慕尼黑和中国上海讯——英飞凌宣布与深圳科士达科技股份有限公司深化合作，通过提供英飞凌1200v coolsic™ mosfet和coolsic™二极管、650v coolsic™ mosfet

来源：深圳市科技创新局2025-04-01

新型宽禁带半导体器件及车规级芯片布局碳化硅和氮化镓等第三代宽禁带和氧化镓、氮化铝、金刚石等第四代超宽禁带的新型半导体器件开发，研究异质集成及高功率密度集成供电芯片，研究新型器件结构、3d封装和集成冷却技术；研究高压大电流igbt/mosfet

来源：北极星储能网2025-02-14

（2）针对钠离子电池、钠盐电池、液流电池、半固态/固态电池、燃料电池等薄弱或缺失领域及储能电池绝缘栅双极型晶体管（igbt）、金氧半场效晶体管（mosfet）、数字信号处理（dsp）等关键元器件的重大项目

来源：深圳市光明区发展和改革局2025-02-13

（2）针对钠离子电池、钠盐电池、液流电池、半固态/固态电池、燃料电池等薄弱或缺失领域及储能电池绝缘栅双极型晶体管（igbt）、金氧半场效晶体管（mosfet）、数字信号处理（dsp）等关键元器件的重大项目

来源：英飞凌2024-12-19

根据合作备忘录，英飞凌将提供整套芯片解决方案，包括微控制单元（mcu）、电池均衡和监测ic、电源管理ic、驱动、mosfet、can和传感器产品。

来源：郑州航空港经济综合实验区管理委员会2024-11-20

针对锂离子电池、等薄弱或缺失领域及储能电池绝缘栅双极型晶体管（igbt）、金氧半场效晶体管（mosfet）、数字信号处理（dsp）等关键元器件的重大项目，按照项目实际投资金额的20%给予资助，单个企业最高资助不超过