来源：北极星太阳能光伏网2012-11-29

通过离子注入技术提高掺杂的均匀性。利用不足100微米的金刚线，提高切割速度，降低线损和硅片厚度。在电池表面等离子制绒，延长入射光光程，并通过内表面反射减少反射损失，提高转换效率。

来源：OFweek太阳能光伏网2012-11-28

通过离子注入技术提高掺杂的均匀性。利用不足100微米的金刚线，提高切割速度，降低线损和硅片厚度。在电池表面等离子制绒，延长入射光光程，并通过内表面反射减少反射损失，提高转换效率。

来源：光伏网2012-11-20

公司拟在项目实施的第二阶段引入离子注入技术代替扩散技术等，以提升产品技术指标、生产工艺、成本控制等方面的水平。

来源：世纪新能源网2012-11-01

通过离子注入技术提高掺杂的均匀性。利用不足100微米的金刚线，提高切割速度，降低线损和硅片厚度。在电池表面等离子制绒，延长入射光光程，并通过内表面反射减少反射损失，提高转换效率。

来源：北极星太阳能光伏网2012-06-28

通过离子注入技术提高掺杂的均匀性。利用不足100微米的金刚线，提高切割速度，降低线损和硅片厚度。在电池表面等离子制绒，延长入射光光程，并通过内表面反射减少反射损失，提高转换效率。

来源：solarbe2012-06-01

与传统的工艺相比，离子注入技术拥有更高的精度，能够确保可重复的卓越性能，同时，它还取代了多个工艺步骤，降低了生产成本。...穆林先生总结，当今激烈的市场竞争环境对高效太阳能电池有更大的需求，通过采用离子注入技术实现先进太阳能电池的更高产能，将为太阳能电池制造商带来空前的市场机遇。

来源：环球企业家2012-05-11

去年年底，应用材料收购了维利安，获得了维利安的离子注入技术。维利安开发的用于n型太阳能电池的硼离子注入技术，帮助电池转换效率突破了20%。

来源：环球企业家2012-05-10

去年年底，应用材料收购了维利安，获得了维利安的离子注入技术。维利安开发的用于n型太阳能电池的硼离子注入技术，帮助电池转换效率突破了20％。

来源：中国科学院2012-05-10

微电子所微电子设备研究室（八室）夏洋研究员带领的研究团队原创性地提出利用等离子体浸没离子注入技术制备黑硅材料。

来源：中国科学报2012-05-03

离子注入技术、钝化技术、选择性发射极技术、二次印刷技术、双层金属布线、选择性二极管、背接触技术都成为行业关注的第二代光伏电池技术。

来源：PV-Tech2012-04-10

据了解suniva是首家采用离子注入技术提高发射极性能的公司。在当下的光伏市场中，我们一直努力用合适的成本生产高效高品质太阳能电池，这(19%效率电池的量产)是suniva的又一个里程碑。

来源：北极星太阳能光伏网2012-02-14

我们的离子注入技术正按计划不断成熟，我们的计划是在今年五月上海举行的太阳能展会上推出此系统。

来源：北极星太阳能光伏网2011-11-15

此次收购使应用材料公司获得了维利安公司市场领先的离子注入技术。...维利安半导体还开发了用于n型光伏电池的硼离子注入技术，这项技术帮助光伏电池转换效率突破了20%。2011年第三季度，正泰太阳能的晶硅生产线选择了维利安半导体的等离子设备，其电池转换效率已达到19%。

来源：PV-Tech2011-09-07

维利安的沙立昂设备使用的是将掺质剂导入半导体原料的离子注入技术，而不是简单的扩散参杂。该公司称该工艺简化了生产流程，还将电池效率提高到19%以上。

来源：北极星太阳能光伏网2011-09-01

但在技术方面，目前硅电池业所使用的热扩散技术最多只有18%的转换率，而利用离子注入技术后就可以使光电转换率达到22%。...从事太阳能装备技术行业多年的上海凯世通半导体有限公司总经理陈炯在创办企业之初，就将专注点放在了这一关键技术突破上，离子注入技术30多年来没有被充分利用，其原因就是制成设备难度系数过高，投入过多，我们就是要突破这层阻碍

来源：北极星电力新闻网2011-05-09

此外，维利安还设法将离子注入技术引入太阳能行业，这一技术有可能将电池效率提高2%。 对于此次收购，两家公司更多的是基于半导体行业的考虑而非太阳能行业。

来源：中国电子报2011-04-21

第四，我们正在探索基于48所独有基础的全新工艺，如正在开发把离子注入技术和材料改性技术等应用到太阳能电池技术和光伏组件生产环节中，并已取得较大进展。

2005-03-30

专家认为，该产品采用高能氧离子注入技术制作二氧化硅隔离层，将检测电路与基底隔开，避免了高温环境下检测电路与基底之间的漏电问题，解决了常规硅压力传感器120℃失效的技术难题；该产品将被测高温流体与硅敏感元件相隔离

来源：《中国电子报》2007-03-14

“十一五”期间，我们要积极开发90nm、60nm乃至45nm的高速、低功耗芯片和新型硅基集成电路的制造工艺技术，研究新型的光刻及离子注入技术，缩小技术差距。