来源：元器件交易网2016-01-05

电路中mosfet选用了irf4310，该mosfet导通电阻仅为7k，通流能力可达140a。

来源：中国电力报2015-12-03

sic变流器导通电阻小，可在200摄氏度以上的高温下工作，能够实现变流系统低谐波、高能效、轻量化，从而降低轨道交通的电力能耗。

来源：电子产品世界2015-10-10

这是adg1434、adg1436这类模拟开关的应用中第一个提到的字眼，由于其很好的导通电阻、隔离度及封装体积小，深得设计者的亲睐。...以我们的设计器件选型为例，我们开始选用继电器实现系统中信号的切换，在改版时考虑到体积问题，于是考虑换成模拟开关，在选择模拟开关时，主要还是从导通电阻、隔离度还有体积考虑，再加上当时adg1434和adg1436

来源：电动汽车资源网2015-09-30

上面的分析是静态的，下面讨论开关转换的动态过程：三极管导通电阻远小于2千欧，因此三极管由截止转换到导通时场效应管栅极电容上的电荷可以迅速释放，场效应管迅速截止。

来源：电工技术学报2015-07-07

机械开关具有极低的导通电阻(级)，通过智能控制将其与其他液态金属、串联谐振等限流技术相结合，构成的混合式故障限流器具有不可替代的特殊性能，成为新的研究热点。

来源：广州金升阳科技有限公司2015-06-25

低导通电阻rds(on)，使sic mosfet具有优越的正向压降和导通损耗性能，更适应高温环境下的工作;2. 优良的输入特性，即sic mosfet拥有低栅极电荷，具备卓越的切换速率;3.

来源：eeworld2015-06-24

意法半导体最新的碳化硅功率mosfet具有优异的能效和可靠性，为公司的产品阵容增加了导通电阻不同的新产品。

来源：广州金升阳科技有限公司2015-06-16

同样例举了fairchild 与apt公司的1200v/20a si igbt系列的电气参数进行比较;通过表格性能对比，可以看出，sic mosfet有三个方面的性能是明显优于si igbt：1.极其低的导通电阻...如果器件工作频率越快，栅极电容的充放电时间要求越短，则要求输入的栅极电容越小，驱动的脉冲电流越大才能满足驱动要求;2.栅极驱动电路必须合理选择一定的驱动电压，栅极的驱动电压越高，则mosfet的感应导电沟道越大，则导通电阻越小

来源：eefocus2015-05-20

导通电阻和导通漏电流最大值分别为2q、100 na，较低的导通电阻和较宽频带(一3 db带宽为1o0mhz)使得其非常适合于数字和模拟信号切换场合的应用。

来源：新电子2015-01-28

如今，gan mosfet在功耗、驱动电流、导通电阻、起始电压、电源转换效率等方面，都已被证实能超越传统的mosfet技术。...现阶段，gan mosfet在功耗、导通电阻及电源转换效率等方面，表现皆已可超越传统mosfet方案，但要大量商用仍须克服制程及成本等问题。

来源：微电网论坛微信2014-12-22

mg2300快速开关的特点：动作时间短，小于5ms;能够耐受故障条件下的短路电流较高的可靠性和较小的导通电阻寿命长、成本低机械操控，具有明显、可靠的电网隔离断开点 。...微电网的应用急需能够满足微电网需求的快速开关 ：动作时间短，小于5ms;能够耐受故障条件下的短路电流较高的可靠性和较小的导通电阻二、满足微电网需要的新型快速开关：针对微电网并网带来的主要问题和基本要求，

来源：中国工业网2014-08-12

在10m负载的情况下，通往负载路径上的每m电阻都会使效率下降10，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及 mosfet的管芯接线等对效率都有影响。

来源：OFweek电子工程网2014-07-17

1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

来源：日经技术在线2014-07-10

坂本向功率半导体的开发人员呼吁，对于耐压超过700v、导通电阻小于25m、饱和电压超过14vds的器件，希望能够以低于1000日元的价格实现。

来源：中国电力电子产业网2014-06-11

isl85003/3a降压稳压器提供极低的导通电阻rds(on)，利用优化的电流模式控制器进一步提升效率和降低管芯温度，从而使复杂系统保持较低温度和防止产品故障。...18vo 连续3a输出电流o 最低为0.8v +/-1%的可调节输出电压o 500khz开关频率可选o 开关频率可外同步至2mhz* 高效率o 效率高达95%o 45m 和65m的低边和高边mosfet导通电阻

来源：电子发烧友2014-04-10

其内部除了工作频率为100khz的电流模式控制器外，还集成了800vcoolmos，导通电阻为2.2ohm，封装为dip7。该芯片内部同时集成了800v的高压启动单元。

来源：中国电力电子产业网2014-03-25

oc报警的原因：1)驱动供电的带载能力差，使igbt的导通管压降增大;2)驱动ic或外接功率大器不良，驱动能力变差，使igbt欠激励导通电阻变大; 3)igbt损坏或性能变差，导通通电阻变大; 4)驱动

来源：中国工业网2014-02-26

技巧之四、尽量使用mosfet器件如果设计的led灯具功率不是很高，建议使用集成了mosfet的led驱动器产品，因为这样做的好处是集成mosfet的导通电阻少，产生的热量要比分立的少，另外，就是集成的

来源：UPS应用2014-02-25

据东芝公司资料，1200v/100a的igbt的导通电阻是同一耐压规格的功率mosfet的1/10，而开关时间是同规格gtr的1/10。

来源：慕尼黑电子展2014-02-14

在10m负载的情况下，通往负载路径上的每m电阻都会使效率下降10%，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及mosfet的管芯接线等对效率都有影响。