来源：OFweek半导体照明网2011-09-29

配合使用外部mosfet，可提供大功率输出(超过50w)，并实现了较高的效率(超过85%)。允许使用小尺寸元件，从而降低了系统成本。...这两款ic可用于驱动外部功率mosfet，由于其具有独一无二的基极电流误差补偿功能，甚至还可以驱动更低成本的低贝塔值、双极型晶体管。

来源：全球光伏网2011-09-27

cpssc20ktl-o采用专利的三电平技术、igbt和mosfet并联技术,使效率在全范围内达到最大化,并具备高可靠全数字控制技术、两路最大功率跟踪、以及先进热设计、智能风扇调速等特点,各项指标均高于业界平均水平

来源：新电子2011-09-26

igbt技术演进日趋成熟igbt与n通道(n-ch)型mosfet不同处在于，n-ch型mosfet的基板极性为n；而igbt的基板极性为p。...受惠近期太阳能光伏逆变器中的igbt与mosfet两项功率元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。

来源：中国节能环保集团公司2011-09-16

太阳能光伏并网发电逆变电源系统项目采用先进的最大功率跟踪(mppt)控制技术、igbt和mosfet并联技术、单周期控制技术、并网控制技术等，具有电网侧高功率因数正弦波电流、无谐波污染供电等特点，大大提高了产品的效率及可靠性

来源：中国传动网2011-09-14

这新器件提供达70毫安(ma)的电流镜相当于所测电流的25安(a)，集成功率mosfet的逻辑电平on/off控制及其自身电路，将功耗降至几乎为零。这器件还包含软启动功能。...安森美半导体(onsemiconductor)推出带开关控制器的电流镜cat2300，将这器件与安森美半导体的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件结合使用，

来源：环球光伏网2011-09-14

实现二极管反向极性保护的低损耗方式是使用mosfet，当施加的电压极性正确时mosfet导通，而在电压极性不正确时关闭。图5e所示。...如果主mosfet的温度已超过了适当的水平，过温保护(otp)可以抑制电流以减少系统功耗。热管理ncp1294是一个低功耗器件。

来源：电子工程世界2011-09-08

这种设计让igbt的栅极可以像mosfet一样，以电压代替电流来控制开关。作为一种bjt，igbt的电流处理能力比mosfet更高。同时，igbt亦如bjt一样是一种少数载体元件。

来源：电子工程世界2011-09-08

另一方面，即便mosfet的成本是个主要考量，但为实行一个更优方案，也应重新审视采用mosfet的潜力，诸如microsemi的mos7/mos8mosfet所具备的领先特性就非常适合太阳能逆变器的设计

来源：价值人生网2011-09-01

大尺寸区融单晶硅是生产功率器件普通晶闸管(scr)、电力晶体管gtr、gto以及新型电力电子器件-mosfet、igbt以及功率集成电路(pic)等的必须基础材料。

来源：EEWORLD2011-08-22

功率mosfet器件结合使用，能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理，用于便携计算机及网络设备等应用。...这新器件提供达70毫安(ma)的电流镜相当于所测电流的25安(a)，集成功率mosfet的逻辑电平on/off控制及其自身电路，将功耗降至几乎为零。这器件还包含软启动功能。

来源：环球光伏网2011-08-16

超级结晶体管（如coolmos）的引进，为进一步降低mosfet的单位面积导通电阻rds（on）带来了希望，如图3所示。

2011-08-16

ltc3108 采用一个小的升压型变压器和一个内部 mosfet 形成一个谐振振荡器，可依靠非常低的输入电压来工作。变压器的升压比为 1:100 时，该转换器能以低至 20mv 的输入电压启动。

来源：21IC2011-08-16

到了80年代以后，随着功率mosfet工艺的日趋成熟及磁性材料质量的提高，高频变换逆变电源才走向市场（1）。...式中：ip为器件开关过程中流过的电流最大值；vp为器件开关过程中承受的电压最大值；ts为开通关断时间；f为工作频率；cds为功率mosfet的漏源寄生电容。

来源：CCTIME飞象网2011-08-12

每场研讨会将有4位专家做技术报告，探讨电容器、mosfet、电源模块、二极管和光耦合器在新能源、军工、通信、工业电源和其他行业中的应用。研讨会面向研发工程师，用中文讲解，cef的观众可以免费参加。...在8月23日上午10点50分至11点30分和8月25日上午9点30分至10点10分两个时间段，vincenttong将介绍vishaysiliconix的高、中、低压mosfet的晶圆制造和封装技术，以及

来源：申银万国证券2011-08-10

mosfet生产线的扩产计划延后,而igbt业务近期刚实现了消费电子领域的量产,所以短期内业务增长慢,不过2012年值得注意。维持增持评级。

来源：www.21dianyuan.com2011-08-04

在电池反向条件下，集成保护电路可以打开mosfet主开关，有助于纾缓固有的体二极管，减轻或消除散热问题。

来源：赛迪网2011-06-30

，analogictech )28日宣布推出aat4616 智能开关(smartswitch )系列，该系列为专门针对高端负载开关应用而设计的完全可调、低导通阻抗(rds(on))、超高精度限流p沟道mosfet

来源：世强电讯2011-06-23

※瑞萨电子照明用mosfet 瑞萨电子的mosfet采用低内阻、大电流工艺，极大降低开关损耗，多种封装，品种齐全，可满足多样化的需求。凭借卓越可靠的性能优势，目前已被广泛应用于照明领域。

来源：搜狐IT2011-06-15

随着高能效的功率变换技术不断引入，新一代的igbt、超级结mosfet和碳化硅二极管的使用，使得效率的标杆不断被刷新。...目前逆变器会根据不同功率采用igbt、mosfet和高速二极管作为功率变换的主要器件，市场要求这些器件具有更低的传导损耗与开关损耗及高可靠性等优点。

来源：互联网2011-06-02

该电路是采用廉价的双运放tab2453和buz74型功率开关管mosfet设计的无电源变压器稳压电源。其输入市电电压为z20v+-30v，输出直流电压为4．8v，输出电流为110ma。