来源:《中国电子报》2007-03-07
我认为,应该从中低端突破,我们国家的半导体设备尤其是主要设备,既要在诸如曝光、刻蚀和离子注入等关键设备上实现突破,也要关注诸如氧化扩散设备、化学腐蚀设备、硅片清洗设备。