来源：《Photovoltaics International》2012-05-09

在对硅基mosfet等新材料的要求方面，sic技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得mosfet(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管(insulated-gatebipolartransistor

来源：工信部网站2012-02-24

大力推进绝缘栅双极型晶体管(igbt)、金属氧化物半导体场效应管(mosfet)、快速恢复二极管(frd)等高频场控电力电子芯片和模块的技术创新与产业化;重点解决高阻区熔硅单晶、陶瓷覆铜板、铝碳化硅基板

来源：移动电源网2012-02-24

太空步智能微温持流供电技术，内部通过电压智能检测系统，当锂电池电压低于其过度放电电压检测点时将激活过度放电保护，使功率mosfet由开转变为切断而截止放电，以避免移动电源过度放电现象产生，并将电池保持在低静态电流的待机模式

来源：大比特电子变压器网2012-02-24

逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(bjt)，功率场效应管(mos-fet)，绝缘栅晶体管(igbt)和可关断晶闸管(gto)等，在小容量低压系统中使用较多的器件为mosfet

来源：EEWORLD2012-02-22

所展示的产品和平台包括适用于led照明和ac-dc开关模式电源 (smps) 的最新ic、supirbuck 系列集成式稳压器、directfet功率mosfet和igbt、以及为变速电机驱动器而设的imotion

来源：北极星太阳能光伏网2012-02-22

光伏发电用逆变器主要原料逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（bjt），功率场效应管（mos－fet），绝缘栅晶体管（igbt）和可关断晶闸管（gto）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为mosfet

来源：电源在线网2012-02-22

ltc2974 的 4 个通道同时地监视电压和电流以及外部温度，因此用户可以补偿移位 mosfet 的 rds(on) 或电感器 dcr。

来源：电源在线网2012-02-21

vout 在整个温度范围 1% iset 准确度 输出调节和瞬态响应不受输出电压影响 可非常容易地级联多个器件，以用于较大电流的应用中 高效率：高达 96% 1.5a 输出电流 集成的 n 沟道功率 mosfet

来源：电源在线网2012-02-21

其它可用的恩智浦功率mosfet系列采用的封装包括to220、i2pak和d2pak。...恩智浦新型greenchip tea1792是一款6引脚同步整流控制器，强大的驱动能力可使各种品牌的sr mosfet在最低rds(on)下工作。

来源：世纪电源网2012-02-06

日前，德州仪器 (ti) 宣布推出业界首款支持集成型 mosfet 的 100 v 同步降压稳压器，进一步壮大其高电压负载点产品阵营。...集成型 mosfet 无需空转(freewheeling)肖特基二极管，可提高效率。引脚兼容型 4 毫米 x 4 毫米 llp 封装可提供一种可扩展解决方案，能够充分满足各种电源需求。

来源：电子工程世界2012-02-04

3.新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：电子工程世界2012-01-29

2.3新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：中国传动网2012-01-04

开关电源一般由脉冲宽度调制（pwm）控制ic和mosfet构成。开关电源和线性电源相比，两者的成本都随着输出功率的增加而增长，但两者增长速率各异。

来源：百方网2011-12-22

开关电源一般由脉冲宽度调制(pwm)控制ic和mosfet构成。开关电源和线性电源相比，两者的成本都随着输出功率的增加而增长，但两者增长速率各异。

来源：电子发烧友2011-12-22

在10m负载的情况下，通往负载路径上的每m电阻都会使效率下降10%，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及mosfet的管芯接线等对效率都有影响。...由于每相输出电流减小，可以采用较小的功率mosfet和较小的电感器和电容器，这样也简化了设计。

来源：pv001光伏网2011-11-21

威世半导体是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：北极星电力网2011-11-15

功率和模拟器件部分也展出了很多产品,例如广泛用于工业领域的600v 5-50aigbt、用于照明/电源领域的新高压600v1-10a新产品、用于led驱动控制的pfc器件、20-100v的各类规格的低压mosfet

来源：icbuy亿芯网2011-10-13

在全碳化硅设计中配合科锐最新系列1200v碳化硅mosfet使用时，这些肖特基二极管使得高功率电子系统成为可能，其开关频率较传统以硅为材料的解决方案可高出5倍至8倍。

来源：北极星太阳能光伏网2011-10-08

对于额定电压只需600v/650v的输入级，则选用mosfet。...q3和q4可安排为快速恢复mosfet，比如fgl100n50f，或者是快速igbt，如fgh60n60sfd。

来源：电子元件技术2011-09-29

另一方面，即便mosfet的成本是个主要考量，但为实行一个更优方案，也应重新审视采用mosfet的潜力，诸如microsemi的mos7/mos8mosfet所具备的领先特性就非常适合太阳能逆变器的设计