来源：北极星太阳能光伏网2012-02-22

光伏发电用逆变器主要原料逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（bjt），功率场效应管（mos－fet），绝缘栅晶体管（igbt）和可关断晶闸管（gto）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为mosfet

来源：电源在线网2012-02-22

ltc2974 的 4 个通道同时地监视电压和电流以及外部温度，因此用户可以补偿移位 mosfet 的 rds(on) 或电感器 dcr。

来源：电源在线网2012-02-21

vout 在整个温度范围 1% iset 准确度 输出调节和瞬态响应不受输出电压影响 可非常容易地级联多个器件，以用于较大电流的应用中 高效率：高达 96% 1.5a 输出电流 集成的 n 沟道功率 mosfet

来源：电源在线网2012-02-21

其它可用的恩智浦功率mosfet系列采用的封装包括to220、i2pak和d2pak。...恩智浦新型greenchip tea1792是一款6引脚同步整流控制器，强大的驱动能力可使各种品牌的sr mosfet在最低rds(on)下工作。

来源：世纪电源网2012-02-06

日前，德州仪器 (ti) 宣布推出业界首款支持集成型 mosfet 的 100 v 同步降压稳压器，进一步壮大其高电压负载点产品阵营。...集成型 mosfet 无需空转(freewheeling)肖特基二极管，可提高效率。引脚兼容型 4 毫米 x 4 毫米 llp 封装可提供一种可扩展解决方案，能够充分满足各种电源需求。

来源：电子工程世界2012-02-04

3.新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：电子工程世界2012-01-29

2.3新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：中国传动网2012-01-04

开关电源一般由脉冲宽度调制（pwm）控制ic和mosfet构成。开关电源和线性电源相比，两者的成本都随着输出功率的增加而增长，但两者增长速率各异。

来源：百方网2011-12-22

开关电源一般由脉冲宽度调制(pwm)控制ic和mosfet构成。开关电源和线性电源相比，两者的成本都随着输出功率的增加而增长，但两者增长速率各异。

来源：电子发烧友2011-12-22

在10m负载的情况下，通往负载路径上的每m电阻都会使效率下降10%，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及mosfet的管芯接线等对效率都有影响。...由于每相输出电流减小，可以采用较小的功率mosfet和较小的电感器和电容器，这样也简化了设计。

来源：pv001光伏网2011-11-21

威世半导体是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：北极星电力网2011-11-15

功率和模拟器件部分也展出了很多产品,例如广泛用于工业领域的600v 5-50aigbt、用于照明/电源领域的新高压600v1-10a新产品、用于led驱动控制的pfc器件、20-100v的各类规格的低压mosfet

来源：icbuy亿芯网2011-10-13

在全碳化硅设计中配合科锐最新系列1200v碳化硅mosfet使用时，这些肖特基二极管使得高功率电子系统成为可能，其开关频率较传统以硅为材料的解决方案可高出5倍至8倍。

来源：北极星太阳能光伏网2011-10-08

对于额定电压只需600v/650v的输入级，则选用mosfet。...q3和q4可安排为快速恢复mosfet，比如fgl100n50f，或者是快速igbt，如fgh60n60sfd。

来源：电子元件技术2011-09-29

另一方面，即便mosfet的成本是个主要考量，但为实行一个更优方案，也应重新审视采用mosfet的潜力，诸如microsemi的mos7/mos8mosfet所具备的领先特性就非常适合太阳能逆变器的设计

来源：OFweek半导体照明网2011-09-29

配合使用外部mosfet，可提供大功率输出(超过50w)，并实现了较高的效率(超过85%)。允许使用小尺寸元件，从而降低了系统成本。...这两款ic可用于驱动外部功率mosfet，由于其具有独一无二的基极电流误差补偿功能，甚至还可以驱动更低成本的低贝塔值、双极型晶体管。

来源：全球光伏网2011-09-27

cpssc20ktl-o采用专利的三电平技术、igbt和mosfet并联技术,使效率在全范围内达到最大化,并具备高可靠全数字控制技术、两路最大功率跟踪、以及先进热设计、智能风扇调速等特点,各项指标均高于业界平均水平

来源：新电子2011-09-26

igbt技术演进日趋成熟igbt与n通道(n-ch)型mosfet不同处在于，n-ch型mosfet的基板极性为n；而igbt的基板极性为p。...受惠近期太阳能光伏逆变器中的igbt与mosfet两项功率元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。

来源：中国节能环保集团公司2011-09-16

太阳能光伏并网发电逆变电源系统项目采用先进的最大功率跟踪(mppt)控制技术、igbt和mosfet并联技术、单周期控制技术、并网控制技术等，具有电网侧高功率因数正弦波电流、无谐波污染供电等特点，大大提高了产品的效率及可靠性

来源：中国传动网2011-09-14

这新器件提供达70毫安(ma)的电流镜相当于所测电流的25安(a)，集成功率mosfet的逻辑电平on/off控制及其自身电路，将功耗降至几乎为零。这器件还包含软启动功能。...安森美半导体(onsemiconductor)推出带开关控制器的电流镜cat2300，将这器件与安森美半导体的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件结合使用，