来源：电子工程世界2012-01-29

2.3新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：中国传动网2012-01-04

开关电源一般由脉冲宽度调制（pwm）控制ic和mosfet构成。开关电源和线性电源相比，两者的成本都随着输出功率的增加而增长，但两者增长速率各异。

来源：百方网2011-12-22

开关电源一般由脉冲宽度调制(pwm)控制ic和mosfet构成。开关电源和线性电源相比，两者的成本都随着输出功率的增加而增长，但两者增长速率各异。

来源：电子发烧友2011-12-22

在10m负载的情况下，通往负载路径上的每m电阻都会使效率下降10%，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及mosfet的管芯接线等对效率都有影响。...由于每相输出电流减小，可以采用较小的功率mosfet和较小的电感器和电容器，这样也简化了设计。

来源：pv001光伏网2011-11-21

威世半导体是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：北极星电力网2011-11-15

功率和模拟器件部分也展出了很多产品,例如广泛用于工业领域的600v 5-50aigbt、用于照明/电源领域的新高压600v1-10a新产品、用于led驱动控制的pfc器件、20-100v的各类规格的低压mosfet

来源：icbuy亿芯网2011-10-13

在全碳化硅设计中配合科锐最新系列1200v碳化硅mosfet使用时，这些肖特基二极管使得高功率电子系统成为可能，其开关频率较传统以硅为材料的解决方案可高出5倍至8倍。

来源：北极星太阳能光伏网2011-10-08

对于额定电压只需600v/650v的输入级，则选用mosfet。...q3和q4可安排为快速恢复mosfet，比如fgl100n50f，或者是快速igbt，如fgh60n60sfd。

来源：电子元件技术2011-09-29

另一方面，即便mosfet的成本是个主要考量，但为实行一个更优方案，也应重新审视采用mosfet的潜力，诸如microsemi的mos7/mos8mosfet所具备的领先特性就非常适合太阳能逆变器的设计

来源：OFweek半导体照明网2011-09-29

配合使用外部mosfet，可提供大功率输出(超过50w)，并实现了较高的效率(超过85%)。允许使用小尺寸元件，从而降低了系统成本。...这两款ic可用于驱动外部功率mosfet，由于其具有独一无二的基极电流误差补偿功能，甚至还可以驱动更低成本的低贝塔值、双极型晶体管。

来源：全球光伏网2011-09-27

cpssc20ktl-o采用专利的三电平技术、igbt和mosfet并联技术,使效率在全范围内达到最大化,并具备高可靠全数字控制技术、两路最大功率跟踪、以及先进热设计、智能风扇调速等特点,各项指标均高于业界平均水平

来源：新电子2011-09-26

igbt技术演进日趋成熟igbt与n通道(n-ch)型mosfet不同处在于，n-ch型mosfet的基板极性为n；而igbt的基板极性为p。...受惠近期太阳能光伏逆变器中的igbt与mosfet两项功率元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。

来源：中国节能环保集团公司2011-09-16

太阳能光伏并网发电逆变电源系统项目采用先进的最大功率跟踪(mppt)控制技术、igbt和mosfet并联技术、单周期控制技术、并网控制技术等，具有电网侧高功率因数正弦波电流、无谐波污染供电等特点，大大提高了产品的效率及可靠性

来源：中国传动网2011-09-14

这新器件提供达70毫安(ma)的电流镜相当于所测电流的25安(a)，集成功率mosfet的逻辑电平on/off控制及其自身电路，将功耗降至几乎为零。这器件还包含软启动功能。...安森美半导体(onsemiconductor)推出带开关控制器的电流镜cat2300，将这器件与安森美半导体的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件结合使用，

来源：环球光伏网2011-09-14

实现二极管反向极性保护的低损耗方式是使用mosfet，当施加的电压极性正确时mosfet导通，而在电压极性不正确时关闭。图5e所示。...如果主mosfet的温度已超过了适当的水平，过温保护(otp)可以抑制电流以减少系统功耗。热管理ncp1294是一个低功耗器件。

来源：电子工程世界2011-09-08

这种设计让igbt的栅极可以像mosfet一样，以电压代替电流来控制开关。作为一种bjt，igbt的电流处理能力比mosfet更高。同时，igbt亦如bjt一样是一种少数载体元件。

来源：电子工程世界2011-09-08

另一方面，即便mosfet的成本是个主要考量，但为实行一个更优方案，也应重新审视采用mosfet的潜力，诸如microsemi的mos7/mos8mosfet所具备的领先特性就非常适合太阳能逆变器的设计

来源：价值人生网2011-09-01

大尺寸区融单晶硅是生产功率器件普通晶闸管(scr)、电力晶体管gtr、gto以及新型电力电子器件-mosfet、igbt以及功率集成电路(pic)等的必须基础材料。

来源：EEWORLD2011-08-22

功率mosfet器件结合使用，能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理，用于便携计算机及网络设备等应用。...这新器件提供达70毫安(ma)的电流镜相当于所测电流的25安(a)，集成功率mosfet的逻辑电平on/off控制及其自身电路，将功耗降至几乎为零。这器件还包含软启动功能。

来源：环球光伏网2011-08-16

超级结晶体管（如coolmos）的引进，为进一步降低mosfet的单位面积导通电阻rds（on）带来了希望，如图3所示。