来源:中国能源报2013-09-04
;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18ppma;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18ppma;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于
来源:中国化工报2013-08-30
对现有企业和项目,多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;硅基、铜铟镓硒(cigs)、碲化镉(cdte)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。
来源:中华人民共和国工业和信息化部2013-08-28
;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18ppma;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18ppma;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于