来源：新浪地产2014-05-28

开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制控制ic和mosfet构成。

来源：世纪新能源网2014-05-27

其功率一般小于30kw，功率开关管采用小电流的mosfet，拓扑结构采用dc-dc-boost升压和dc-ac全桥逆变两级电力电子器件变换，防护等级一般为ip65。体积较小，可室外臂挂式安装。

来源：北极星电2014-05-13

是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：北极星电力网（原创）2014-05-06

双方的这一合作所产生的协作优势包括：例如：sic 电源开关专用的隔离式栅极驱动器hades 技术;高温 sic mosfet;及 sic 传感元件的高温信号调节器。...cissoid 拥有高温隔离式栅极驱动器、高压 sic mosfet 开关等强大的半导体产品与评估套件组合。其他产品还包括直流到直流转换器和线性稳压器、功率驱动器 ic、通用 ic 及分立组件。

来源：深圳市晶福源电子技术有限公司2014-04-29

组串式逆变器：功率小于30kw，功率开关管采用小电流的mosfet，拓扑结构采用dc-dc-boost升压和dc-ac全桥逆变两级电力电子器件变换，防护等级一般为ip65。体积较小，可室外臂挂式安装。

来源：电子发烧友2014-04-10

但coolset开通时，外部mosfet的源极被拉至地，从而齐纳管d10形成反偏，从而使外部mosfet开通;当coolset关断时，电感电流首先对coolset内部的mosfet的漏源电容进行充电，直到

来源：西北工业大学电子信息学院2014-04-08

在mosfet导通时，初级线圈电压上正下负，使得d5截止，此时钳位电路不起作用，而在mosfet有导通到截止的时刻，由高频变压器的漏感产生的尖峰电压会叠加在直流高压和感应电压上，叠加的电压很容易损坏mosfet

来源：我爱方案网2014-04-03

图5中，lt3756为新型大功率led驱动芯片，输入电压6~100v，通过一个外部n沟道mosfet，可以使用标称值为12v的输入驱动20个1a的白光led，效率超过94%，频率范围为100khz~1mhz

来源：北极星电力网2014-03-25

日前，vishay intertechnology, inc宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款igbt和mosfet驱动器vow3120-x017t，扩充其光电子产品组合

来源：中国工业网2014-03-25

分立式mosfet需要复杂的结构，并且可能未经过优化或特定用于以防止反向极性。...而且，根据mosfet的应用方式，它们可能需要一个控制器或其他成本高昂的功能。

来源：企业网D1Net2014-03-25

到了80年代以后，随着功率mosfet工艺的日趋成熟及磁性材料质量的提高，高频变换逆变电源才走向市场。

来源：testpv2014-03-24

到了80年代以后，随着功率mosfet工艺的日趋成熟及磁性材料质量的提高，高频变换逆变电源才走向市场。

来源：泡泡网2014-03-13

例如，功率级所用的模拟组件mosfet驱动器，可以很方便地与数字电源控制器相连并实现各种保护及偏置电源管理，而pwm控制器也属于数控模拟芯片。

来源：北极星电力网2014-03-10

集成的mosfet的峰值效率达95%，节能模式提高了轻负载条件下的效率，在整个负载范围内都能实现高效率。...是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：中国工业网2014-02-26

的mosfet"。...技巧之四、尽量使用mosfet器件如果设计的led灯具功率不是很高，建议使用集成了mosfet的led驱动器产品，因为这样做的好处是集成mosfet的导通电阻少，产生的热量要比分立的少，另外，就是集成的

来源：UPS应用2014-02-25

绝缘栅双极型晶体管(igbt)是一种mosfet与双极晶体管复合的器件。...它既有功率mosfet易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点1、igbt在ups中的应用情况绝缘栅双极型晶体管(igbt)是一种mosfet与双极晶体管复合的器件

来源：UPS应用2014-02-18

功率mosfet及igbt的问世为ups开拓出一条光辉灿烂之路，使ups技术步入崭新的时代全数字化时代。...逆变器中的功率mosfet或igbt工作频率在20khz以上，因此输出滤波器小而简单，而且输出的正弦波非常光滑。

来源：慕尼黑电子展2014-02-14

在10m负载的情况下，通往负载路径上的每m电阻都会使效率下降10%，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及mosfet的管芯接线等对效率都有影响。...2014年，随着ic不断提升集成度和智能化以及业界也争相提供更高功率密度的封装，如so8fl、8fl、phasefet、双mosfet封装等，智能功率模块也将获得大的发展，目前ir、安森美、凌力尔特等公司都有布局

来源：中国电子报2014-01-26

ir公司还针对汽车应用扩展了ic产品组合，其中包括符合汽车标准的auir3200s mosfet驱动器ic。...与此同时，业界也在争相提供更高功率密度的封装，如so8fl、8fl、phasefet、双mosfet封装等。功率模块也将成为发展方向，如电源集成模块及智能功率模块等。

来源：大比特2014-01-24

其次，功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)是利用输入电压控制动作。耗电量较小，能够实现高速开关。但处理大电流时损耗大。...最后是igbt(绝缘栅双极晶体管)，在一个半导体元件(芯片)上集成双极晶体管和mosfet而构成。不仅耗电量小，能够处理大电流。而且可以实现高速开关。