来源：中国电力电子产业网2014-06-11

据ihsisuppli公司预测,我国绝缘栅双极型晶体管(igbt)2012年销售额将从2011年的10.30亿美元上升到11.10亿美元,增长幅度接近8%,同比2009年的4.3亿美元同比增长158%。

来源：工信部网站2014-03-26

推动安全可靠的绝缘栅双极型晶体管(igbt)等电力电子芯片及模块在电机节能领域的推广应用。2.加强监督检查。推动建立公开、公平、长效的监督检查机制。

来源：北极星电力网2014-03-18

一般情况下，该类机型所使用的全功率变频器是利用绝缘栅双极型晶体管igbt的通断功能来完成，由于igbt的频繁通断，会造成igbt发热，同时会产生谐波电流，电能质量也较差。

来源：UPS应用2014-02-25

绝缘栅双极型晶体管(igbt)是一种mosfet与双极晶体管复合的器件。...它既有功率mosfet易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点1、igbt在ups中的应用情况绝缘栅双极型晶体管(igbt)是一种mosfet与双极晶体管复合的器件

来源：中国质量报 记者：徐建华2014-01-09

3300伏、4500伏、6500伏在igbt(绝缘栅双极型晶体管)芯片产品的家族里，中国南车一次又一次创造了属于自己的辉煌，这一次，他们带来的是代表目前国内行业最高水平的6500伏高压igbt芯片。

来源：北极星电力网 刘亚鹏 曹婷2013-12-27

12月27日，记者从中国南车株洲所举办的高压高功率密度igbt(中文名为绝缘栅双极型晶体管)芯片及其模块研究开发 项目鉴定会上获悉，由该公司研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压igbt

来源：中自网2013-11-06

所有这些交流控制应用都需要能够产生大电流和高电压的核心功率器件，作为新型电力电子器件的代表，igbt(绝缘栅双极型晶体管)越来越受到业界的重视。

来源：中国电力电子产业网2013-09-24

据ihs isuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告，由于绿色能源与能源效率得到更多的重视，以及政府投资支持和严格的能源政策，2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(igbt)市场销售额的复合年度增长率将达

来源：半导体应用联盟2013-09-23

据ihs isuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告，由于绿色能源与能源效率得到更多的重视，以及政府投资支持和严格的能源政策，2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(igbt)市场销售额的复合年度增长率将达

来源：中国传动网2013-09-22

由上海永济电机公司设计制造的大功率igbt芯片(绝缘栅双极型晶体管)日前通过专家鉴定。该芯片实现国产化后，将在高铁建设、电力系统、绿色能源、电动汽车等领域每年创造数十亿元的产值。

来源：美国国家仪器(NI)有限公司2013-06-28

目前，最常使用的设备类型之一是绝缘栅双极型晶体管或igbt。20世纪80年代以来，igbt技术已经经过了六次发展，平均每11年，其能源效率提高了一倍。

来源：工信部2013-06-24

推动安全可靠的绝缘栅双极型晶体管(igbt)等电力电子芯片及模块在电机节能领域的推广应用。充分发挥全国专业性的、核心电机研究机构的力量，加强电机生产企业与用户之间的合作，开发符合市场需求的电机产品。

来源：中国电力电子产业网2013-04-09

vishay推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---vishay roederstein mkp386m，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(igbt)模块上，容量从0.047f到10f，可在+

来源：输配电设备网2013-03-29

经过bjt(双极型功率晶体管)、mosfet(金属氧化物场效应管)、sit(静电感应晶体管)、sith(静电感应晶闸管)、mgt(mos控制晶体管)、mct(mos控制晶闸管)，发展到今天的igbt(绝缘栅双极型晶体管

来源：工信部2013-03-28

筛选一批高效电机生产、设计、控制及系统匹配等领域的先进技术，发布先进适用技术目录；开展重大应用技术成果鉴定，组织开展应用示范；推动安全可靠的绝缘栅双极型晶体管（igbt）等电力电子芯片及模块在电机节能领域的推广应用

来源：互联网2012-07-17

变频器的核心电子器件从最初的scr(晶闸管)、gto(门极可关断晶闸管)，经过bjt(双极型功率晶体管)、sith(静电感应晶闸管)、mgt(mos控制晶体管)、mct(mos控制晶闸管)，发展到今天的igbt(绝缘栅双极型晶体管

来源：中国设备网2012-06-13

变频器的核心电子器件从最初的scr(晶闸管)、gto(门极可关断晶闸管)，经过bjt(双极型功率晶体管)、sith(静电感应晶闸管)、mgt(mos控制晶体管)、mct(mos控制晶闸管)，发展到今天的igbt(绝缘栅双极型晶体管

来源：ne21.com2012-06-13

此联合comolefo项目旨在识别和检测绝缘栅双极型晶体管(igbt)的老化机制，它是现代逆变器的主要组件。

来源：ne21.com2012-06-13

此联合comolefo项目旨在识别和检测绝缘栅双极型晶体管(igbt)的老化机制，它是现代逆变器的主要组件。

来源：《Photovoltaics International》2012-05-09

在对硅基mosfet等新材料的要求方面，sic技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得mosfet(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管(insulated-gatebipolartransistor