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异质结
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IMEC与美国国家半导体合作开发基于硅锗技术的BiCMOS工
2003-03-31
imec和美国国家半导体自从2002年1月以来一直在合作开发0.18微米硅锗
异质结
双极型晶体管(hbt)模块,目标是集成到后者现有的高速bicmos工艺家族之中。
IC
合作
美国
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