2009-07-21

新奥光伏主要生产硅基薄膜电池，我们十分看好其未来。...硅基薄膜电池虽然在转换效率方面目前略逊于晶硅电池，但在技术和应用上具有以下独特优点，决定了未来硅基薄膜电池将成为市场主流产品： 　　（1）耗材少，制造成本低。

来源：北极星电力新闻网2009-07-17

随着电子领域金属电极真空管被硅基半导体取代，通信领域铜导体被玻基光纤取代，制造、建筑领域的钢铁材料越来越广泛地被碳纤维取代，可以预见，在电力领域陶基高温超导材料将有可能取代铜、铝、钢材，成为电缆、电动机

来源：互联网2009-06-08

新奥光伏集成有限公司是新奥集团的主导产业之一,以开发、利用光伏能源为主要事业领域,依托先进生产、研发技术,为客户提供高效的硅基薄膜电池以及全面的系统集成解决方案,促进光伏能源推广应用。 　　

来源：北极星电力新闻网2009-02-11

按照公司第二个五年规划，到2012年尚德电力将形成硅材料、硅基电池、硅薄膜电池、光伏组件和发电系统及光伏建筑一体化的完整产业链，销售收入有望突破1000亿元人民币。 　　

来源：生意社2008-11-27

目前我国生产的工业硅基本是低级产品。

来源：全景网2008-11-11

经过一代研究人员的艰苦研发，中国诞生了第一个自主研制的多晶硅基地，川投能源也成了全国多晶硅行业里“第一个吃螃蟹的人”，并且仍然拥有国内领先的技术和盈利能力。

来源：全景证券频道2008-11-10

经过一代研究人员的艰苦研发，中国诞生了第一个自主研制的多晶硅基地，川投能源也成了全国多晶硅行业里“第一个吃螃蟹的人”，并且仍然拥有国内领先的技术和盈利能力。

来源：中国新能源网2008-10-29

要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本应该是我们追求的最大目标，从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜

来源：证券市场周刊2008-06-20

而上述硅材料产量中，除去电子硅用去一部分，用于太阳能电池的多晶硅基本供需平衡。　　然而，该数据没有充分考虑中国产能扩张的可能。

来源：信泰证券2008-05-15

市场资金围绕着天威保变、川投能源、江苏阳光、银星能源等多晶硅个股大做文章，股价也不断创出历史新高，那么对于一个股价仅仅7元出头，却投资国内最大6000吨多晶硅基地的（600795）国电电力，面临极大的爆发潜力

来源：环球能源网2007-12-28

cpv可提高混合式半导体基太阳能电池的性能，解决硅基太阳能模块的供应制约，发出每瓦电力的成本也较低。

2006-10-25

硅原材料多为进口 　　2005年我国晶体硅锭制造产业的产量和生产能力(其中一部分用作晶体硅太阳能电池原料)：据《国家发改委/全球环境基金/世界银行中国可再生能源发展项目》办公室统计，河北宁晋单晶硅基地

2006-08-16

尽管这一趋势在一定时间内还可能存在，但传统的硅基cmos正在接近其极限。

2006-06-21

此项实验是探索硅锗(sige)芯片速度极限计划的一部分，这种芯片类似于标准的硅基芯片，但是它含有锗元素使得芯片的功耗更低，性能更佳。 　　...ibm自1998年已经销售了上亿个硅锗芯片，但是移动通信领域每年要用掉数十亿个普通硅基芯片。目前高性能的硅锗芯片只应用导弹防御系统、宇宙飞行器以及遥感测量等特殊领域。

2005-10-27

如在传感器硅基板上添加抗原和抗体，加电状况下可快速识别病毒的种类。...以鉴定流感病毒为例，已知流感病毒大约135种，当不同病毒抗原与硅基板上的抗体结合时，电流会发生不同变化，由此可识别病毒种类。科学家认为，这种传感器的灵敏度可达传统检测方法的几十万倍。

2005-06-03

面对硅材料可能有的物理极限，胡正明认为，锗(ge)将有可能取代硅，成为半导体下一世代的替代材料，台积电也开始应用在硅基板上镀一层薄薄的锗，以改善硅材料的极限，不过锗要完全取代硅，短期之内还不太可能发生。

2004-11-23

而液晶、等离子、硅基液晶(lcos)和数字光处理(dlp)等技术的发展，也在促进电视广播向数字化方向的转变。

2004-10-27

据一些网络报导称，英特尔(intel)日前宣布，已取消开发用于投影电视的硅基液晶(lcos)芯片的计划。当初在1月份于拉斯维加斯举行的消费电子展览会上，英特尔公布了开发lcos芯片的计划。

2004-10-14

soi技术在芯片的晶体管与硅基片之间增加了一个绝缘埋层。这个绝缘层能够降低硅基片与活性晶体管之间的电容，从而使生产出的芯片速度更快，并且消耗的功率也更低。

2003-12-30

一项是可直接将应变硅和硅及绝缘膜结构(soi)相结合的ssdoi技术，另一项技术是在生产互补金属氧化物半导体(cmos)时，在同一晶圆上使用2种硅基层。　　...另外，该公司通过在一个晶圆上结合2种硅基层，成功地开发了空穴迁移率比利用原来技术生产的cmos高出1.5倍的元件，利用这项技术可将cmos性能提高40%-50%。