来源：eeworld2015-06-24

意法半导体最新的碳化硅功率mosfet具有优异的能效和可靠性，为公司的产品阵容增加了导通电阻不同的新产品。...凭借意法半导体独有的封装技术，新的1200v sic功率 mosfet的工作温度高达200 c，适用于高温工作环境，例如太阳能逆变器、电动汽车、混合动力汽车、计算机服务器系统和工业电机。

来源：广州金升阳科技有限公司2015-06-16

二、sic mosfet与si igbt性能对比目前市面上常见的sic mosfet电流均不大于50a，以常见的1200v/20a为例，列举了cree公司与rohm公司的sic mosfet管的部分电气参数

来源：中国节能产业网2015-06-01

2.关键技术(1)高效三相pfc交错技术，采用先进的sic二极管和st的stw57n65m5mosfet来提高pfc部分的效率，减小损耗和原材料的使用。

来源：中国节能产业网2015-06-01

2.关键技术(1)高效三相pfc交错技术，采用先进的sic二极管和st的stw57n65m5mosfet来提高pfc部分的效率，减小损耗和原材料的使用。

来源：北极星电力网2015-05-28

使用isl8117，工程师能够设计只需10个元件(包括mosfet和被动元件)的完整dc/dc降压转换解决方案，并实现最高98%的转换效率和达到1.5%的输出电压精度。

来源：电子发烧友2015-05-26

mosfet取代了cascode，该系列电路的关键特性包括：频率反走以保持输出负载条件、限制最大传输功率而不影响待机性能、跳周期运行改进抗电磁干扰性能等等。...图1：ncp107x系列方案2：ncp125x系列安森美半导体的脉宽调制(pwm)系列ncp125x(图2)，它集成了1000 v mosfet和pwm控制器，将双450 v输入与电流平衡串联，而分离的带控制器的高压单一

来源：第一电动网2015-05-25

被动均衡方式使用在电池监视ic中构建的金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，mosfet)，或在外部追加的mosfet以热能方式进行放电

来源：国际电力网2015-05-22

安森美半导体将推出更多低功率产品如ncp1060、ncp1070，将脉宽调制(pwm)控制器和mosfet集成到单个封装中。我们的集成转换器减少了元器件总数量，且更易于实现设计。

来源：与非网2015-05-20

4)驱动电路选用东芝半导体公司生产的高速光耦隔离型igbt/mosfet驱动芯片tlp250.tlp250具有隔离电压高、驱动能力强、开关速度快等特点。驱动电路的原理图如图3所示。

来源：物联网在线2015-05-14

将要讨论的具体部位包括sm72295全桥mosfet驱动器，sm72442 mppt控制器，再加上sm3320参考设计和太阳能逆变器资源管理器工具包。...本文将考虑如何其中的一些智能功能可以实现，采用如周围丰富，低功耗微控制器，专用控制器mppt和mosfet / igbt驱动器设备。从德克萨斯仪器公司的广泛组合的例子将用于说明本设计的问题。

来源：EEFOCUS2015-05-13

例如：英飞凌最新推出的500v到800v的coolmos ce系列产品，该产品系列采用的是英飞凌市场领先的超级结技术功率mosfet平台，既保证了coolmos在业界一贯的高品质和高可靠性，同时兼具吸引力的价格

来源：EEFOCUS2015-05-13

诸如模数转换器(adc)，绝缘栅双极型晶体管(igbt)和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)驱动器、接口驱动器以及运算放大器等ti的处理器和信号链产品有助于电源转换器模块的开发，而这些模块正是燃料电池的核心

来源：与非网2015-04-28

hitfet+(高集成度温度保护mosfet)低边开关具备突出特性，比如诊断功能、数字状态反馈和短路防护以及前所未有的受控斜率调节功能，能轻松平衡开关损失和emc兼容性。...对于需要mosfet保护功能的众多汽车与工业应用而言，hitfet+是正确之选在汽车应用领域，hitfet+产品可驱动电磁阀，实现高达20khz的pwm(脉宽调制)阀门控制。

来源：电子发烧友2015-04-20

其中，由于igbt效率损耗较大导致系统效率偏低，考虑如果采用损耗较小的mosfet，系统效率会至少上升10%~15%.

来源：华强北电子市场2015-04-10

元件并于15mm x 15mm x 4.92mm bga封装中包含了电感、 dc/dc 稳压器、 mosfet及支援零组件。

来源：OFweek 电子工程网2015-04-03

小巧的封装外形和高低边mosfet在封装内的优化互连，可最大限度地降低环路电感，从而实现最优的系统性能。...英飞凌科技股份公司2015年3月24日推出了optimos 5 25v和30v产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率mosfet。

来源：OFweek 工控网2015-03-09

公司逐步建立形成亚洲最大的高压变频带载实验站，成为国内最大的高压变频生产基地，基于igbt、mosfet电力电子器件的专用功率模块(asipm)是现代电力电子技术的具体应用，对我国现代通讯、电子仪器、计算机

来源：OFweek 工控网2015-03-04

公司逐步建立形成亚洲最大的高压变频带载实验站，成为国内最大的高压变频生产基地，基于igbt、mosfet电力电子器件的专用功率模块(asipm)是现代电力电子技术的具体应用，对我国现代通讯、电子仪器、计算机

来源：新电子2015-01-28

如今，gan mosfet在功耗、驱动电流、导通电阻、起始电压、电源转换效率等方面，都已被证实能超越传统的mosfet技术。...现阶段，gan mosfet在功耗、导通电阻及电源转换效率等方面，表现皆已可超越传统mosfet方案，但要大量商用仍须克服制程及成本等问题。

来源：英飞凌科技股份公司2015-01-26

led驱动器则是英飞凌目前与将来的重心所在，其产品组合除了大多数人较为熟知的coolmos、optimos等金属氧化物半导体场效晶体管(mosfet)以外，还包括dc/dc led驱动ic及线性led驱动