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      来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-05-18

      新的g6准单晶硅片在每片成本上比传统多晶硅片高不超过0.5元,最低则可以降至0.3元。...凤凰光伏计划在未来一年内,通过继续努力降低生产成本,逐步将多晶硅片的产能全部转向准单晶硅片,以进一步提高企业的营收能力。

      来源:中证网2012-05-18

      前者是在硅片生产环节必不可少的切割环节,该技术可以提高了单台设备的产能,同时大幅度减少了在生产过程中cod(化学耗氧量)的排放;后者能将常规多晶硅片的电池平均转换效率从16.5%左右提高至18.2%以上

      来源:北极星太阳能光伏网2012-05-17

      跌涨值 跌涨幅度 多晶硅片

      来源:综合媒体报道2012-05-16

      4月30日是在美国上市的外国企业提交2011年度业绩的最后期限,而太阳能多晶硅片生产商赛维太阳能错过了此最后期限,未能及时提交年报,这对投资者而言是一个红色警告。

      来源:中国证券网2012-05-15

      多晶硅片达产后的产能将超出目前的下游电池片及组件产能,存在新一轮扩产的可能。欧元强劲,汇兑损失不再。...以上四个光伏投资项目都将在2012年底前完成建设,届时公司的光伏产能将达到:单晶硅片100mw、多晶硅片100mw、太阳能电池片900mw、组件300mw、坩埚13万只。

      来源:股市动态分析2012-05-15

      去年2月,赛维ldk与亿晶光电达成供销协议,前者向后者的子公司常州亿晶光电科技有限公司(下称常州亿晶)出售太阳能多晶硅片,合同总价为1.71亿元。...后来由于部分多晶硅片存在质量瑕疵,因此常州亿晶在将该部分产品退还至赛维ldk之后,拒绝支付余款,于是遭到赛维ldk的起诉。赛维ldk要求法院判令常州亿晶继续履行合同,支付剩余款项1.28亿元。

      来源:《太阳能发电》杂志2012-05-15

      根据我们掌握的信息,目前现货市场的多晶硅最低成交价已经涨至$27/kg,平均价位则上扬至$29.32/kg;硅片价格也在持续上涨,多晶硅片最低成交价达到$1.15/piece,而平均价格持续上涨至$1.189

      来源:北极星太阳能光伏网2012-05-14

      新的g6准单晶硅片在每片成本上比传统多晶硅片高不超过0.5元,最低则可以降至0.3元。...凤凰光伏计划在未来一年内,通过继续努力降低生产成本,逐步将多晶硅片的产能全部转向准单晶硅片,以进一步提高企业的营收能力。

      来源:中国行业研究网2012-05-14

      在此背景下,江西赛维这家当年号称全球最大的太阳能多晶硅片生产商,发展一度堪称光速,如今却债台高筑,深陷供应商堵厂门、公司大裁员等各种风波中。

      来源:中国行业研究网2012-05-14

      在此背景下,江西赛维这家当年号称全球最大的太阳能多晶硅片生产商,发展一度堪称光速,如今却债台高筑,深陷供应商堵厂门、公司大裁员等各种风波中。

      来源:中国财务总监网2012-05-11

      晶澳太阳能在安徽合肥、河北宁晋和燕郊、江苏扬州、上海奉贤、江苏连云港东海拥有七个生产基地,其中宁晋和扬州是电池片基地,合计电池产能超过3吉瓦,上海奉贤基地主要生产电池组件,产能超过1.2吉瓦,江苏东海则主要生产多晶硅片

      来源:电子信息产业网2012-05-10

      在硅片与电池方面,本周仅小幅滑落,多晶硅片平均价位为1.076美元/片,跌幅0.46%;而单晶硅片的平均价位为1.551/片,跌幅为0.64%。

      来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-05-10

      跌涨值 跌涨幅度 多晶硅片

      来源:北极星太阳能光伏网2012-05-08

      此外多晶硅片受到产品价格大幅下滑影响,收入下滑18.87%。

      来源:OFweek太阳能光伏网2012-05-07

      此外多晶硅片受到产品价格大幅下滑影响,收入下滑18.87%。

      来源:和讯股票2012-05-07

      在此背景下,江西赛维这家当年号称全球最大的太阳能多晶硅片生产商,发展一度堪称光速,如今却债台高筑,深陷供应商堵厂门、公司大裁员等各种风波中。

      来源:北极星太阳能光伏网2012-05-07

      多晶硅片由意大利的eurosolare提供,lcm2电池的效率ami5下,达到19.8%,这是目前水平最高的多晶硅电池的研究结果。该工艺打破了多晶硅电池不适合采用高温过程的传统观念。...(1)geogiatech电池geogia工业大学光伏中心使用电阻率0.65cm、厚度280m的hem(热交换法)多晶硅片制作电池,n+发射区的形成和磷吸杂结合,采用快速热过程制备铝背场,用lift一off

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