来源:摩尔光伏2019-06-18
松下公司在2012年制备了厚度仅为58μm的电池,大大减小了单晶硅片的厚度,开路电压达到了很高的747mv,对电池厚度小于98μm的电池进行了研究,发现随着电池厚度的减小,由于表面复合速率随之降低,开路电压增大...使电池具有优越的性能;除此之外,衬底材料可采用“低质量”且廉价的晶体硅,甚至多晶硅,因为低温过程不会对硅衬底造成性能方面的退化;在衬底厚度方面,可选择作为衬底光吸收材料的光学所要求的最低值(约80μm),原因是单晶硅片在低温沉积过程中弯曲和变形程度小