来源：陕西省人民政府2021-12-15

聚焦光子产业链，推动光电子集成芯片设计、光有源芯片制造和光学材料等优势领域争创国际一流水平，引导中游器件研发、模组装配制造领域拓展产品种类，推动下游超快激光器制造、超快激光加工系统、增材制造及应用、光纤传感系统等领域实现突破

来源：北极星环保网2021-12-14

聚焦光子产业链，推动光电子集成芯片设计、光有源芯片制造和光学材料等优势领域争创国际一流水平，引导中游器件研发、模组装配制造领域拓展产品种类，推动下游超快激光器制造、超快激光加工系统、增材制造及应用、光纤传感系统等领域实现突破

来源：陕西省人民政府2021-12-13

聚焦光子产业链，推动光电子集成芯片设计、光有源芯片制造和光学材料等优势领域争创国际一流水平，引导中游器件研发、模组装配制造领域拓展产品种类，推动下游超快激光器制造、超快激光加工系统、增材制造及应用、光纤传感系统等领域实现突破

来源：北极星环保网2021-11-22

在芯片制造方面，加快布局第二、三代半导体晶片及外延衬底（砷化镓、氮化镓、碳化硅）、微机电系统（mems）、金属—氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）、绝缘栅双极型晶体管（igbt）等特色芯片生产线，

来源：北极星储能网2021-11-10

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造

来源：电网头条2021-11-09

过去，igbt器件在产品设计、芯片制造、封装测试、产品稳定性方面难度大。国内igbt器件的技术研发及产业发展刚起步。

来源：北极星储能网2021-11-03

开展汽车制造、芯片制造、生物医药、电商物流等行业绿色供应链示范试点。拓宽可回收物企业在供应链创新与应用的范围，紧密衔接企业回收体系与城市“两网融合”体系。

来源：北极星环保网2021-10-29

巩固大尺寸高效低成本发光二极 管（led）外延片、芯片制造优势。提升衬底、高纯金属有机化合 物（mo 源）、高纯氨气、新型荧光粉、荧光陶瓷等配套水平。支 持石墨烯、紫外、深紫外等技术创新方向。

来源：北极星环保网2021-10-22

开展汽车制造、芯片制造、生物医药、电商物流等行业绿色供应链示范试点。拓宽可回收物企业在供应链创新与应用的范围，紧密衔接企业回收体系与城市“两网融合”体系。

来源：TBR膜2021-08-06

tbr膜了解到客户需求后，迅速组建科研项目组，经过实地考察、理论研究、试验论证、优化制程等方法，通过不断地探寻，tbr膜最终攻克了芯片制造废水膜污染控制、双膜法制备再生超纯水工艺等技术难题，获得了园区和用户一致好评

来源：福建投资集团2021-07-27

海沧信息产业园作为海沧区集成电路制造型企业集聚载体，先后获得第四届集成电路“ic创新奖”产业链合作奖以及“2020-2021中国集成电路高质量发展十大特色园区”等荣誉奖项，重点发展集成电路特色工艺芯片和化合物芯片制造

来源：北极星风力发电网2021-07-23

张江科学城汇聚2.2万家创新型企业，拥有外资研发中心171家，在集成电路设计、芯片制造、新药研发等领域均处于国内领先地位，“张江研发+上海制造”的协同发展格局逐步形成。

来源：上海市人民政府2021-07-22

张江科学城汇聚2.2万家创新型企业，拥有外资研发中心171家，在集成电路设计、芯片制造、新药研发等领域均处于国内领先地位，“张江研发+上海制造”的协同发展格局逐步形成。

来源：北极星氢能网2021-07-21

张江科学城汇聚2.2万家创新型企业，拥有外资研发中心171家，在集成电路设计、芯片制造、新药研发等领域均处于国内领先地位，“张江研发+上海制造”的协同发展格局逐步形成。

来源：北极星电力网2021-07-08

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造

来源：北极星太阳能光伏网（整理）2021-07-08

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造

来源：北极星氢能网2021-07-08

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造

来源：福建省人民政府2021-07-08

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造

来源：北极星输配电网2021-07-07

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造

来源：北极星环保网2021-07-07

丰富知识产权ip核和设计工具，完善hbt和0.25微米phemt工艺；推动12英寸id内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造